Όλα τα Προϊόντα
λέξεις-κλειδιά [ high power mosfet ] αγώνας 182 προϊόντα.
Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Σταθερό MOSFET πολύ χαμηλής τάσης για γρήγορη φόρτιση
| Πλεονεκτήματα διαδικασίας SGT: | Σημαντική FOM βελτιστοποίηση, που καλύπτει περισσότερη εφαρμογή. |
|---|---|
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |
| Κατανάλωση ενέργειας: | Χαμηλής ισχύος απώλεια |
Οδηγός κινητήρα χαμηλής τάσης Fet σταθερή για διακόπτη υψηλής συχνότητας
| αποδοτικότητα: | Υψηλή απόδοση και αξιοπιστία |
|---|---|
| Δυνατότητα EAS: | Υψηλή ικανότητα EAS |
| Αντίσταση: | Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) |
Πολλαπλή σκηνή 20V Mosfet χαμηλή τάση, 5G σταθμός βάσης χαμηλής ισχύος τρανζίστορ
| Αντίσταση: | Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) |
|---|---|
| Διαδικασία δομής: | Τάφρο/SGT |
| Ονομασία προϊόντος: | MOSFET χαμηλής τάσης |
Ανθεκτική λειτουργία SGT MOSFET χαμηλής τάσης με μικρότερο RSP
| Εφαρμογή διαδικασίας SGT: | Οδηγός μηχανών, σταθμός βάσης 5G, ενεργειακή αποθήκευση, υψηλής συχνότητας διακόπτης, σύγχρονη διόρθ |
|---|---|
| Αντίσταση: | Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) |
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |
Οδηγός κινητήρα χαμηλή τάση πύλης Mosfet, πολυτελή σκηνή χαμηλή Vgs N Channel Mosfet
| Πλεονεκτήματα διαδικασίας τάφρου: | Μικρότερο RSP, τόσο σειρές όσο και παράλληλες διαμορφώσεις μπορούν να συνδυαστούν και να χρησιμοποιη |
|---|---|
| Αντίσταση: | Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) |
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |
Π κανάλι χαμηλής τάσης MOSFET ανθεκτικό για ασύρματη φόρτιση χαμηλή
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |
|---|---|
| Εφαρμογή διαδικασίας SGT: | Οδηγός μηχανών, σταθμός βάσης 5G, ενεργειακή αποθήκευση, υψηλής συχνότητας διακόπτης, σύγχρονη διόρθ |
| Ονομασία προϊόντος: | MOSFET χαμηλής τάσης |
Αποθήκευση ενέργειας MOSFET χαμηλής τάσης Πρακτικό N κανάλι Υψηλή ικανότητα EAS
| Δυνατότητα EAS: | Υψηλή ικανότητα EAS |
|---|---|
| Πλεονεκτήματα διαδικασίας τάφρου: | Μικρότερο RSP, τόσο σειρές όσο και παράλληλες διαμορφώσεις μπορούν να συνδυαστούν και να χρησιμοποιη |
| Διαδικασία δομής: | Τάφρο/SGT |
Τρύπα SGT χαμηλής τάσης MOSFET πρακτική χαμηλή αντίσταση 30V 40V
| Εφαρμογή διαδικασίας SGT: | Οδηγός μηχανών, σταθμός βάσης 5G, ενεργειακή αποθήκευση, υψηλής συχνότητας διακόπτης, σύγχρονη διόρθ |
|---|---|
| Πλεονεκτήματα διαδικασίας SGT: | Σημαντική FOM βελτιστοποίηση, που καλύπτει περισσότερη εφαρμογή. |
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |