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5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
安定した超低電圧 MOSFET マルチスクリーン 急速充電
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
|---|---|
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
| 電力消費量: | 低い電力の損失 |
耐久性のあるSGT低電圧MOSFET多機能
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
|---|---|
| 抵抗: | 低いRDS （） |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
モータードライバー 低ゲート電圧 モスフェット 多場面低 VGS Nチャネル モスフェット
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
|---|---|
| 抵抗: | 低いRDS （） |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
Pチャネル低電圧MOSFET 無線充電用耐久性 低
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
|---|---|
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
| 製品名: | 低電圧MOSFET |
エネルギー貯蔵 低電圧 MOSFET 実用 N チャネル 高EAS 能力
| EAS機能: | 高い EAS 機能 |
|---|---|
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
| 構造プロセス: | トレンチ/SGT |
トレンチSGT低電圧MOSFET 実用的な低電圧抵抗 30V 40V
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
|---|---|
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |