電源 スーパージャンクション MOSFET 表面マウント 多機能

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x適用する | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 | 利点 | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
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製品名 | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET | 装置タイプ | 力の分離した装置 |
内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 | キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス |
タイプ | N | パッケージ | 超小型パッケージ |
ハイライト | 電源スーパージャンクション MOSFET,スーパー・ジャンクション MOSFET 表面マウント,多機能 SJ MOSTET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
超低ジャンクション容量 パワーディスクリートデバイス スーパージャンクション MOSFET/SJ MOSTET
製品説明:
超接線MOSFETは 電力半導体技術の革命的な突破です 超接線構造を使用した最初の電力MOSFETです超低回合容量と大きなEMIマージンを達成できる複数の層のエピタキシープロセスで作られ,従来のトレントプロセスよりも,抗EMIと抗急上昇能力の面で優れている.また,超小型パッケージも備えています.高い電源密度を必要とするアプリケーションに適している優れた性能により,この電池は,スーパー・ジャンクション MOSFET は,幅広い消費者および産業用アプリケーションにおいて,電力変換と電圧調節のための理想的な選択となりました.
技術パラメータ:
製品名 | 記述 |
---|---|
スーパージャンクション MOSFET | スーパージャンクション金属酸化物半導体トランジスタ,SJ MOSFET,N型 |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
容量 | 超低回路容量 |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
内部抵抗 | 極小な内抵抗 |
パッケージ | 超小型パッケージ |
EMI 保証金 | 高いEMI手数料 |
応用:
REASUNOS Si Super Junction MOSFETは,多層エピタキシープロセスで製造された電源離散装置である.超小型パッケージ,大きなEMIマージン,超低のジャンクション容量を有する.溝処理と比べると優れた抗EMIおよび抗急増機能を有し,高効率,低電力消費,低EMIを必要とするアプリケーションで人気の選択肢となっています.この製品の価格は,総量によって異なります.. 防塵,防水,抗静的管状の包装で梱包され,紙箱に詰め込まれており,配送時間は通常2-30日です.供給能力は5KK/月です.支払条件は100%T/T (EXW).
サポートとサービス
私たちの技術サポートとサービスは,問題を解決するのに役立ちます.性能を最適化する製品から最大限の利益を得るのです
ウェブサイト,メール,電話を通じて 技術的なサポートとサービスを提供しています半導体業界で長年の経験があり,必要な情報と支援を用意しています..
製品テスト,製品認証,製品エンジニアリングなど 様々なサービスを提供していますこれらのサービスは,あなたのスーパージャンクションMOSFETが最高品質基準を満たし,信頼性と効率性を確保するために設計されています.
私たちの技術サポートとサービスは,あなたのスーパージャンクション MOSFET 製品から最大限に活用できるように設計されています.質問や支援が必要な場合は,いつでも私たちと連絡してください.
梱包と輸送:
スーパー・ジャンクション MOSFET製品は,輸送中に保護するために,マッサージ材料で強化された強く安全な箱/カートで梱包され,出荷されます.各箱/カートには,スーパージャンクション MOSFET 製品が含まれています.すべての出荷物には,受信者の正しい住所と追跡番号が適切にラベルされている必要があります.
スーパージャンクションMOSFETの出荷は,目的地に応じて,利用可能な最も信頼性の高いキャリアを通じて送られます.すべての出荷は保険付きで送られ,配達時に署名が必要です.迅速な配送を必要とする顧客のために,急送オプションも提供します.
FAQ:
- Q:スーパージャンクションMOSFETとは?
- A: スーパージャンクション MOSFETは,電流の流れを制御するために使用される金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) の 1 種類です.
- Q:スーパージャンクションMOSFETのブランド名は何ですか?
- A: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は REASUNOSです
- Q:スーパージャンクションMOSFETはどこから来たのですか?
- A: スーパージャンクション MOSFETは中国広東出身です
- Q:スーパージャンクションMOSFETの価格は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの価格は製品によって確認されます.
- Q: スーパージャンクション MOSFETのパッケージは?
- A: スーパー ジュンクション MOSFET は 防塵,防水,防静的管状のパッケージで 紙箱の中に 詰め込まれています.
- Q: スーパージャンクション MOSFETの配送時間はどのくらいですか?
- A: スーパー・ジャンクション MOSFETの配達時間は,総量に応じて 2~30 日です.
- Q:スーパージャンクション MOSFETの支払い条件は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの支払い条件は 100% T/T アドバンス (EXW) です.
- Q:スーパージャンクションMOSFETの供給能力は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの供給能力は 5KK / 月です.