LEDドライバ スーパージャンクション MOSFET 抗急上昇 抗EMI 内部抵抗

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x装置タイプ | 力の分離した装置 | キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス |
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製品名 | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET | EMIの差益 | 大きいEMIの差益 |
パッケージ | 超小型パッケージ | 適用する | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
タイプ | N | 内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 |
ハイライト | LED ドライバ スーパージャンクション MOSFET,スーパージャンクション MOSFET アンチ・サーージ,アンチ EMI スーパー モスフェット |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
優れた抗EMIおよび抗急増能力を持つLEDドライバーのためのスーパージャンクションMOSFET
製品説明:
スーパージャンクション MOSFET は,LED ドライバー,PFC サーキット,スイッチング 電源,UPS の連続電源システム,および新エネルギー電源機器などのアプリケーションに理想的な選択です.超小規模なパッケージと大きな EMI マージンで,非常に効率的で信頼性があります.
スーパー・ジャンクション MOSFET の大きな EMI マージンは,超低のジャンクション容量によって達成され,回路からの EMI 騒音を減らすのに役立ちます.より効率的で信頼性の高い操作につながりますさらに,スーパージャンクション MOSFET の超小容積は,ボードスペースが限られているアプリケーションに適した選択になります.
総合的には,スーパージャンクションMOSFETは,さまざまなアプリケーションで最大限のパフォーマンスと信頼性を提供するように設計されています.彼らの大きな EMI マージンと超小さなパッケージは,LEDドライバーのための理想的な選択ですPFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,そして新しいエネルギー電源機器.
技術パラメータ:
属性 | 価値 |
---|---|
パッケージ | 超小型パッケージ |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
EMI マージン | 高いEMI手数料 |
容量 | 超低回路容量 |
製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
タイプ | N |
応用:
スーパージャンクション MOSFET:このREASUNOSブランドのスーパージャンクション金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (sj mosfet) は CNの広東で製造されています.紙箱の中に入れる配送時間は2-30日 (総量に依存) で,支払い条件は100%T/T先行 (EXW) です.供給能力は5KK/月です.多層エピタキシプロセスで作られています.溝処理と比べると優れた抗EMIおよび抗急増能力を備えています. LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,新しいエネルギー電源機器などに適しています.N型の電源分離装置です.
サポートとサービス
スーパージャンクションMOSFET製品に 技術的なサポートと サービスを提供します 顧客がデバイスから 最高の性能を得られるように
製品に関する質問に答えたり,インストールやセットアップに 協力したりできます. デバイスから最大限の利益を得るのを手伝います.
また,Super Junction MOSFET 製品には,材料や工芸の欠陥,および発生する他の予期せぬ問題などを含む包括的な保証も提供しています.
もし質問や支援が必要な場合は,ご連絡ください. 私たちのチームは,あなたのスーパージャンクションMOSFETを最大限に活用するために,24/7利用可能です.
梱包と輸送:
スーパー・ジャンクションMOSFETは,チューブまたはテープ・アンド・ロール形式で梱包され,出荷されます. 部品は輸送中に損傷を避けるために慎重に処理され,直ちに使用可能な状態で到着します.
管は泡で覆われ,プラスチック袋に封印され,テープとロールの部品は乾燥剤を装着した抗静脈袋に詰め込まれています.
FAQ:
- Q:スーパージャンクションMOSFETとは?
- A:スーパージャンクション MOSFETは,プロセスの技術の進歩を利用してデバイスのオン抵抗を減らすMOSFETの一種です.電源変換アプリケーションで使用できます.DC/DC変換機など制御装置と電源を
- Q:スーパージャンクション MOSFETのブランド名は何ですか?
- A:スーパージャンクション MOSFETのブランド名は REASUNOSです.
- Q:スーパージャンクションMOSFETの原産地は?
- A:スーパージャンクションMOSFETの原産地は中国広東です.
- Q:スーパージャンクションMOSFETの価格は?
- A: スーパージャンクション MOSFET の価格は製品によって決まります.詳細についてはご連絡ください.
- Q:スーパー・ジャンクション MOSFET はどのようにパッケージ化されますか?
- A:Super Junction MOSFETは,防塵,防水,防静的管状のパッケージで詰められ,紙箱に詰められています.
- Q:スーパージャンクション MOSFETの配送にはどれくらい時間がかかりますか?
- A:通常,総量に応じて,スーパージャンクション MOSFET を配達するのに 2-30 日かかります.