アンチ・サーージ・MOSFET スーパー・ジャンクション Nチャネル 耐久性多用途

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x内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 | EMIの差益 | 大きいEMIの差益 |
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製品名 | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET | パッケージ | 超小型パッケージ |
装置タイプ | 力の分離した装置 | キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス |
適用する | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 | 利点 | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
ハイライト | アンチ・サーージ・MOSFET スーパー・ジャンクション,MOSFET スーパージャンクション 耐久性,多目的モスフェット Nチャンネル |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
超小型内部抵抗超接合モスフェット 優れた抗EMIおよび抗急増能力
製品説明:
スーパージャンクションMOSFETは,LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器などに広く使用されているスーパーモスフェットです.EMIの大きな利益率と超小規模なパッケージで設計されています超低回合容量で,多層エピタキシープロセスで作られています.
技術パラメータ:
パラメータ | 仕様 |
---|---|
製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
タイプ | N |
パッケージ | 超小型パッケージ |
内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
容量 | 超低回路容量 |
EMI 保証金 | 高いEMI手数料 |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
応用:
Reasunos Super Junction MOSFET (スーパーモスフェット) とは,超低コンセント容量を持つ超コンセントパワーモスフェット.多層エピタキシプロセスで作られる.優れた抗EMIと抗急上昇能力を持っている.
- ブランド名: Reasunos
- 原産地: 広東,中国
- 価格: 製品によって確認される価格
- 梱包 詳細: 防塵,防水,防静的管状の梱包,紙箱内 に 詰め られ て いる
- 配達時間: 2~30日 (総量による)
- 支払い条件: 100%T/T 提前 (EXW)
- 供給能力: 5KK/月
- 容量:極低の交差点容量
- 適用: LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など
- 利点: 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,優れた抗EMIおよび抗急上昇能力を持っています.
- タイプ:N
- 製品名:スーパージャンクションMOSFET/SJ MOSTET
Reasunos Super Junction MOSFETは,LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,新しいエネルギー電源機器に広く使用されています.顧客にとって信頼性と効率性の高い選択です.
サポートとサービス
スーパージャンクションMOSFETは,電力の効率を向上させ,オンステート抵抗を減らすために設計されたユニークな構造を持つ高度な金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) の1種類である.超ジャンクションMOSFETの最大性能を確保するために,我々は包括的な技術サポートとサービスを提供します.
経験 の ある エンジニア たち の チーム は,製品 の 選択,設計,故障 解決 に 関する 技術 的 な 援助 を 提供 し て い ます.また,以下 の よう な サービス も 提供 し て い ます.
- 装置の性能を正確にモデル化するためのシミュレーションサービス
- 最適な性能のための設計とレイアウトサポート
- 現地での訓練とセミナー
- カスタムデバイスプログラミング
- 信頼性試験
スーパージャンクション MOSFET 技術サポートとサービスに関する詳細については,ご連絡ください.
梱包と輸送:
スーパージャンクション MOSFET 製品は,輸送中に製品の安全性と整合性を確保するために適切な材料に安全に梱包されます.パッケージングプロセスには,次のステップが含まれます:
- スーパー・ジャンクション MOSFET 製品は保護箱に入れます.
- 保護箱は,紙箱に入れます.
- 紙箱はテープで封印されています.
- 封印された紙箱は,より大きな紙箱に入れます.
- 大きめの紙箱は粘着テープでしっかりと閉じます.
- 荷物は適切な輸送コンテナに入れます.
輸送には次のステップが含まれます.
- 梱包された Super Junction MOSFET 製品は,適切な配送アドレスに送られます.
- パッケージは目的地に到達するまで 追跡されます
- パッケージは顧客に配達されます.
FAQ:
- Q:スーパージャンクションMOSFETとは?
- A: スーパージャンクション MOSFETは,電力の損失を軽減し効率を向上させるために設計された金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) の1種類です.
- Q: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は何ですか?
- A:スーパージャンクションMOSFETのブランド名は REASUNOSです
- Q:スーパージャンクションMOSFETはどこで作られていますか?
- A: スーパージャンクション MOSFETは中国の広東で作られています
- Q:スーパージャンクションMOSFETの値段は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの価格は 製品に基づいて価格を確認します.
- Q: スーパージャンクション MOSFETのパッケージは?
- A: スーパー・ジャンクション MOSFET は 防塵,防水,防静的管状のパッケージで 梱包され, 紙箱に詰められています
- Q: スーパージャンクション MOSFETの配送時間はどのくらいですか?
- A: スーパージャンクション MOSFET の配達時間は 2-30 日 (総量に依存します).
- Q: スーパージャンクション MOSFETの支払い期限は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの支払い期間は 100% T/T アドバンス (EXW) です.
- Q: スーパージャンクション MOSFET の供給能力は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの供給能力は 5KK / 月です.