安定したスーパー・ジャンクション・フェット・マルチ・レイヤ 新エネルギー発電設備

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xタイプ | N | 利点 | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
---|---|---|---|
内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 | パッケージ | 超小型パッケージ |
装置タイプ | 力の分離した装置 | キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス |
適用する | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 | EMIの差益 | 大きいEMIの差益 |
ハイライト | 安定したスーパージャンクションフェット,スーパー・ジャンクション・フェット・マルチレイヤー,装置 スーパー・ジャンクション・ダイオード |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
超ジャンクション MOSFET パワー ディスクリーート デバイス 大きい EMI マージンを持つ新しいエネルギー発電設備
製品説明:
スーパージャンクション金属酸化フィールド効果トランジスタ (SJ MOSFET) は,優れた性能を持つ高度なMOSFETの一種である.それは超小パッケージ設計を採用し,多層エピタキシプロセスで作られています超低回合容量で,優れた抗EMIおよび抗急上昇機能を有し,LEDドライバ,PFC回路,電源を切り替える連続電源システムのUPS,新しいエネルギー電源機器など
SJ MOSFETは,超小型サイズ,低電力消費,優れたEMIおよび電圧上昇保護の利点を持つスーパーモスフェットパッケージに基づいています.SJ MOSFETは,高電流容量と低電阻も提供しています.SJ MOSFETは,優れたEMIと電圧過剰保護を必要とする電力システムおよびアプリケーションに最適なソリューションを提供します.,信頼性の高い低抵抗性能も備えています
SJ MOSFETは超小型なパッケージ設計と優れた性能により,LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS優れた抗EMIおよび抗電圧上昇能力により,優れたEMIおよび電圧上昇保護を必要とする電力システムおよびアプリケーションに理想的な選択になります.信頼性のある低抵抗性能.
技術パラメータ:
資産 | 価値 |
---|---|
製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
タイプ | N |
パッケージ | 超小型パッケージ |
EMI マージン | 高いEMI手数料 |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
容量 | 超低回路容量 |
内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
応用:
スーパージャンクションMOSFET (スーパージャンクションMOSFET) は,中国広東で製造された先進的な半導体装置である.LEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,電源配送,電源配送などに広く使用されている.連続電源システムのUPSSJ MOSFETは超低の結合容量を持ち,優れた抗EMIおよび抗急増能力を提供しています. さらに,SJ MOSFETは,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させ,SJ MOSFETの性能を向上させることができます.多層エピタクシーで作られていますこの製品価格は,総量に基づいています. 防塵,防水,防水,防塵,防水,防塵,防水,防水,防水,防塵,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水,防水防静的管状の包装で,紙箱の中に入れられ,配達時間は約2~30日です. 供給能力は5KK/月です. 支払い条件は100%T/T先行です.
サポートとサービス
超ジャンクションMOSFET製品に 総合的な技術サポートとサービスを提供し 信頼性と効率性を確保します
- 問題解決と診断
- 修理と保守
- 交換部品
- ソフトウェアとファームウェアの更新
- 技術的な助言と援助
- 訓練と教育
経験豊富な技術者のチームが,あなたが持っているかもしれない技術的な問題であなたを助けるために利用できます. 我々は,最高の品質の技術サポートとサービスを提供することにコミットしています,そして,いつもここにいて助けてくれる..
梱包と輸送:
スーパージャンクション MOSFET は,輸送中にあらゆる種類の損傷からデバイスを保護する安全なパッケージで送られます.地上輸送商品名,商品番号,配送住所が記載されています.
スーパー・ジャンクション MOSFET のパッケージング材料は 優れた保護を提供するように設計されています装置に衝撃や振動による損傷を防ぐために,パッケージは泡や他の材料でマッシングされている.パッケージの整合性を確保するために,強力なテープで封印されます.
パッケージは,タイムリーに配達されることを保証するために,バーコードラベルを使用して追跡されます.また,危険警告がラベルに貼られ,潜在的なリスクについて処理者に警告されます.
FAQ:
- Q:スーパージャンクションMOSFETとは?
- A: スーパージャンクション MOSFETは,低電阻,低ゲート充電,低入力容量を提供する,電力の性能が向上した MOSFET タイプです.
- Q:スーパージャンクションMOSFETのブランド名は何ですか?
- A: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は REASUNOSです
- Q: 商品の原産地は?
- A: 商品の原産地は中国広東です.
- Q:スーパージャンクションMOSFETの価格は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの価格は製品によって確認されます.
- Q: スーパージャンクション MOSFETのパッケージは?
- A: 防塵・防水・防静的管状のパッケージを スーパージャンクション MOSFET用の紙箱に詰めています
- Q: スーパージャンクション MOSFETの配達時間は?
- A: スーパージャンクション MOSFET の配達時間は 2~30 日で,総量に依存します.
- Q:スーパージャンクション MOSFETの支払い条件は?
- A: スーパー・ジャンクション MOSFET の支払い条件は 100% T/T アドバンス (EXW) です.
- Q:スーパージャンクションMOSFETの供給能力は?
- A: スーパージャンクション MOSFETの供給能力は 5KK / 月です.