저전압 MOSFET 트렌치 프로세스 5G 베이스 스테이션을 위한 고효율 모터 드라이버
Place of Origin | Guangdong, CN |
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브랜드 이름 | REASUNOS |
가격 | Confirm price based on product |
Packaging Details | Dustproof, waterproof, and anti-static tubular packaging, placed inside a cardboard box in cartons |
Delivery Time | 2-30 days (Depends on Total Quantity) |
Payment Terms | 100% T/T in Advance(EXW) |
Supply Ability | 5KK/month |

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xEfficiency | High Efficiency And Reliable | Trench process Application | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
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Trench process Advantages | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. | resistance | Low Rds(ON) |
Structure process | Trench/SGT | EAS capability | High EAS Capability |
SGT process Application | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. | SGT process Advantages | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
강조하다 | 고효율 모터 드라이버,저전압 MOSFET 모터 드라이버,5G 베이스 스테이션 모터 드라이버 |
제품 설명:
저전압 MOSFET는 현대 전자 시스템의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계된 최첨단 반도체 장치입니다.첨단 트렌치 및 SGT (Shielded Gate Transistor) 프로세스를 활용합니다., 이 저전압 FET는 성능과 효율성을 비교하기 어려운 조합을 제공합니다.그 탁월 한 특성 은 자동차 운전자 를 포함한 광범위한 응용 분야 에 이상적 인 선택 이다, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장 솔루션, 고 주파수 스위치, 동기 조정, 무선 및 빠른 충전 및 DC / DC 변환기.
저전압 MOSFET의 핵심은 여러 가지 중요한 이점을 제공하는 트렌치 프로세스 기술입니다.이 프로세스의 주요 이점은 훨씬 작은 Rds ((ON) 입니다.또는 배수 소스의 저항이는 효율성을 높이고 작동 중에 전력 손실을 줄입니다. 이것은 에너지 효율이 가장 중요한 응용 프로그램에서 특히 중요합니다.트렌치 프로세스로 설계된 저전압 트랜지스터는 일련 및 병렬 구성 모두를 허용합니다., 응용 프로그램의 특정 필요에 따라 자유롭게 조합 및 활용 할 수있는 유연성을 제공합니다.
SGT 저전압 MOSFET는 특히 자동차 드라이버 및 5G 기지 스테이션과 같은 애플리케이션에 적합하여 장치의 기능을 더욱 향상시킵니다.SGT 프로세스는 저전압 MOSFET의 고주파 전환을 손쉽게 처리 할 수있는 능력을 향상시키기 위해 조정되었습니다., 그것은 에너지 저장 시스템 및 전원 공급 장치의 동기 정렬에 대한 훌륭한 선택입니다.이 기술은 고속 작동 및 전환의 엄격한 요구 조건에서도 견고한 성능을 제공합니다, 현장에서의 신뢰성과 장수성을 보장합니다.
저항은 MOSFET의 성능에서 중요한 매개 변수이며, 저전압 MOSFET는 낮은 Rds ((ON) 로 돋보인다.이 낮은 저항은 MOSFET을 통해 최소한의 전압 하락을 보장합니다이 기능은 무선 충전 및 빠른 충전 시스템과 같은 응용 프로그램에서 매우 유용합니다.효율성 유지 및 열 관리가 필수적인 경우.
또한 저전압 MOSFET의 트렌치 프로세스 응용은 충전 솔루션에만 국한되지 않습니다. 그것은 또한 모터 운전자,정확한 통제와 효율성이 필요한 경우DC/DC 변환기는 낮은 전압 트랜지스터가 낮은 손실로 높은 주파수에서 전환할 수 있는 능력에서 이익을 얻으며, 전체 시스템을 보다 효율적이고 반응력 있게 만듭니다.고주파 스위치 및 동시 교정 회로, 전력 관리 및 변환 시스템에서 중요한, 또한 향상된 성능을 위해 낮은 Rds ((ON) 을 활용 하 고 낮은 전압 MOSFET의.
요약하자면, 저전압 MOSFET는 트렌치 및 SGT 프로세스 기술의 장점을 결합한 혁신적이고 다재다능한 구성 요소입니다.연쇄 및 병렬 구성 모두에서 작동할 수 있는 능력과 결합5G 기반시설을 발전시키거나 산업용 모터를 구동시키거나또는 에너지 저장 시스템의 효율성을 보장, 저전압 MOSFET는 성능과 효율성에 대한 타협을 거부하는 사람들을위한 최종 선택입니다.
그 광범위한 응용 분야와 다양한 고성능 환경의 엄격한 요구 사항을 충족시킬 수있는 능력으로, 저전압 MOSFET는 단지 구성 요소가 아닙니다.그것은 저전압 FET 범주의 혁신의 초석입니다그것은 현재의 기술 요구에 부응할 뿐만 아니라 미래의 발전에 대한 기대를 예상하고 초과하도록 설계되었습니다.저전압 MOSFET는 실제로 최첨단 공학의 증거입니다, 다양한 전자 응용 분야에서 경쟁 우위를 확보합니다.
특징:
- 제품명: 저전압 MOSFET
- 트렌치 프로세스 장점:
- 더 작은 RSP (반항 영역 제품)
- 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.
- SGT 공정 장점:
- 돌파구 FOM (공로의 수치) 최적화
- 더 많은 응용 분야
- 구조 과정: 트렌치/SGT
- SGT 저전압 MOSFET 적용:
- 자동차 운전자
- 5G 기지국
- 에너지 저장
- 고주파 스위치
- 동시 수정
- 키워드:
- SGT 저전압 MOSFET
- 낮은 전압
- 저전압 현장 효과 트랜지스터
기술 매개 변수:
매개 변수 | 설명 |
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제품 이름 | 저전압 MOSFET |
구조 과정 | 트렌치/SGT |
SGT 프로세스 적용 | 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장소, 고주파 스위치, 동기 교정 |
트렌치 프로세스 적용 | 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 교정 |
SGT 공정 장점 | 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버 |
트렌치 프로세스 장점 | 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 될 수 있습니다 |
효율성 | 높은 효율성 과 신뢰성 |
저항력 | 낮은 Rds ((ON) |
EAS 능력 | 높은 EAS 능력 |
전력 소비 | 낮은 전력 손실 |
응용 프로그램:
REASUNOS 브랜드는 고품질의 저전압 MOSFET을 생산하는 것으로 유명하며 그 제품은 다양한 응용 프로그램 및 시나리오에서 널리 사용됩니다.이 MOSFET들은 현대 전자제품의 필수 부품입니다.낮은 게이트 전압 작업에 설계되어 효율적인 전력 관리 및 고속 스위칭을 요구하는 시스템에 이상적입니다.이 고성능 부품의 가격은 요청에 따라 제공됩니다.고객들이 그들의 특정 제품 요구에 따라 비용을 확인 할 수 있도록 보장합니다.
먼지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장으로 정밀하게 포장 된 REASUNOS MOSFET는 배송 시 무결성을 보장하기 위해 카드 상자에 추가로 배치됩니다.이 회사는 배달시간에 대해 자랑스럽게 생각합니다., 전체 주문량에 따라 2 ~ 30 일 사이를 약속합니다. 지불 조건은 고객 친화적입니다. 거래 프로세스를 단순화하기 위해 100% T / T 사전 (EXW).월 5KK의 강력한 공급 능력으로, REASUNOS는 소규모 및 대규모 작업의 요구를 모두 충족시킬 수 있습니다.
REASUNOS의 낮은 게이트 전압 MOSFET은 특히 정확한 제어가 가장 중요한 모터 드라이버와 같은 애플리케이션에 적합합니다.이 저전압 MOSFET는 높은 효율과 안정적인 성능으로 인해 안정적인 작동을 보장합니다.에너지 저장 시스템은 고주파 스위치 기능을 활용하여 고속 작동과 에너지 손실을 줄입니다.전원 공급 장치의 동기 수정은 이러한 낮은 VGS MOSFETs 빛나는 또 다른 영역입니다, 전통적인 다이오드 직렬기보다 효율성을 향상시킵니다.
REASUNOS MOSFET의 SGT 프로세스 응용은 모터 드라이버 및 에너지 저장 시스템과 같은 강력한 전력 처리 기능을 필요로하는 응용 프로그램에 대한 적합성을 더욱 확장합니다.고주파 스위치 애플리케이션에 관해서, 이러한 MOSFET의 트렌치 프로세스 장점은 더 작은 RSP를 특징으로하며 다재다능한 활용을 위해 시리즈 및 병렬 구성 모두를 허용합니다. 높은 EAS 기능으로,이 저전압 현장 효과 트랜지스터는 스트레스 조건 하에 신뢰성과 성능을 유지.
마지막으로 트렌치와 SGT 방법론을 모두 사용하는 구조 프로세스는 현대 전자 응용 프로그램이 요구하는 높은 효율성과 신뢰성을 REASUNOS MOSFET에 보장합니다.소비자 전자기기용, 산업 자동화 또는 통신 인프라, REASUNOS 저전압 MOSFET는 예외적인 성능과 적응력으로 돋보인다.
지원 및 서비스:
우리의 저전압 MOSFET 제품은 광범위한 응용 프로그램에 높은 성능과 신뢰성을 제공하기 위해 설계되었습니다.우리는 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공합니다.이 서비스에는 상세한 제품 문서, 응용 프로그램 노트 및 설계 자원이 포함되어 있습니다.
제품 선택, 설계 과정, 시뮬레이션 모델 및 열 관리 고려 사항에 대한 기술 지원이 제공됩니다.우리는 다양한 조건에서 기기의 성능을 예측하고 디자인을 최적화하는 데 도움이되는 다양한 도구를 제공합니다.우리의 헌신적인 지원 팀은 최신 기술을 잘 알고 있으며 귀하의 특정 요구에 대한 솔루션을 제공 할 준비가되어 있습니다.
어떤 문제나 질문이 있을 경우, 우리는 문제를 진단하고 효율적으로 해결하기 위해 문제 해결 지원을 제공합니다.우리의 목표는 작업에 대한 최소한의 다운타임을 보장하고 우리의 저전압 MOSFET 제품으로 가능한 최고의 성능을 달성하는 데 도움이됩니다.
또한, 우리는 지속적으로 우리의 제품과 서비스를 개선하기 위해 노력합니다. 우리는 우리의 저전압 MOSFET의 기능과 응용에 대한 피드백과 문의를 환영합니다.품질과 고객 만족에 대한 우리의 헌신은 무엇보다 중요합니다., 우리는 설계에서 배포까지 모든 단계에서 당신을 지원하기 위해 여기에 있습니다.
포장 및 운송:
저전압 MOSFET 제품은 정적 방출에 대한 보호를 보장하기 위해 정적 방출에 정밀하게 포장됩니다. 각 MOSFET는 개별적으로 전도성 거품에 포장됩니다.용기를 완충하고 운송 중에 포장 안에 이동을 방지하도록 특별히 설계된 장치.
대량 주문의 경우, 여러 개의 개별 단위는 충격과 진동으로 인한 손상을 방지하기 위해 충분한 패딩을 가진 더 크고 견고한 고지 상자에 안전하게 배치됩니다.외부 패키지는 운송 과정에서 안전한 취급을 보장하기 위해 필요한 취급 지침과 내용물의 민감성을 명확하게 표시합니다..
상품은 신뢰할 수 있는 택배 서비스를 통해 추적 번호를 가지고 배송됩니다. 고객에게 배달 주소를 향한 패키지의 진행을 모니터링 할 수 있도록합니다.예상 배송 시간은 발송 시에 제공됩니다., 고객들은 배송 중에 손상되지 않았는지 확인하기 위해 도착했을 때 주문을 검사하도록 권장됩니다.