Motor Ultra-Hochspannungstransistor Multifunktionell Langlebig

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig
Technologie MOSFET Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Widerstand Niedriger Auf-Widerstand
Hervorheben

Motor mit Hochspannungstransistor

,

Hochspannungstransistor Multifunktions

,

Langlebiger Hochspannungstransistor

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

DieHochspannungs-MOSFETist ein Leistungsmosfet mit speziellen Eigenschaften, um verschiedene Anwendungen zu unterstützen. Es ist mit FRD HV MOSFET eingebettet und hat eine breite Palette von Anwendungen, wie z. B. Motorreihe, Wechselrichter,und Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltanwendungen.

Dieses MOSFET ist mit einer einzigartigen seitlichen variablen Dopingtechnologie ausgestattet, die es ihm ermöglicht, eine hervorragende Leistung bei hohen Temperaturen zu erzielen.Durch den geringen Widerstand und die hohe Spannung/ultrahohe Spannung ist es die ideale Wahl für viele Anwendungen.

Das hier.FRD HV MOSFETist hervorragend geeignet für Anwendungen, bei denen Hochspannungsmotoren undMOSFETs für ultrahohe SpannungEs eignet sich hervorragend für den Einsatz in HV (Hochspannung) und UHV (Ultra-Hochspannung) Anwendungen.

 

Technische Parameter:

Eigenschaften Hochspannungs-MOSFET
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Technologie MOSFET
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Typ N
 

Anwendungen:

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET-Transistoren werden aufgrund ihrer hohen Spannung und hohen Stromwerte in verschiedenen industriellen Anwendungen weit verbreitet.und mit staubdichtem, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Karton verpackt, Lieferzeit von 2 bis 30 Tage je nach Gesamtmenge,und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat. Die Spannungsbewertung ist Hochspannung/ultra-hohe Spannung und kann in LED-Treiber, Adaptoren, industrielle Schaltnetzteil, Inverter, Motor-Serie,Inverter, Half Bridge/Full Bridge Circuit Applications usw. Es hat auch eine hohe Wärmeableitung und ist N-Typ.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten ein breites Spektrum an technischer Unterstützung und Dienstleistungen für unsere Hochspannungs-MOSFETs an.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern ist bereit, Ihnen bei Fragen und Bedenken zu helfen und zu beraten..

Zu unseren Dienstleistungen gehören:

  • Beratung und Unterstützung bei der Produktauswahl
  • Designunterstützung und technische Fehlerbehebung
  • Prüfungen und Charakterisierung von Geräten
  • Unterstützung von Software, Firmware und Hardware
  • Produktdokumentation und Benutzerhandbücher

Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen über unsere technische Unterstützung und Dienstleistungen für unsere Hochspannungs-MOSFETs.

 

Verpackung und Versand:

Hochspannungs-MOSFET

Verpackung und Versand:

  • Das Produkt wird in einem statisch freien Beutel verpackt und in einem entsprechenden Karton versandt.
  • Die Verpackung muss mit folgenden Angaben versehen sein: Produktbezeichnung, Bauteilnummer, Versandadresse und Warnzeichen, dass das Produkt empfindlich auf elektrostatische Entladungen reagiert.
  • Alle Produkte müssen mit einer Tracking-Nummer versendet werden.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie heißt der Markenname von Hochspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.

F3: Wie hoch ist der Preis für Hochspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET ist auf Basis des Produkts bestätigt.

F4: Wie sind die Verpackungsdaten von Hochspannungs-MOSFET?

A4: Die Verpackungsdetails von Hochspannungs-MOSFET sind staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt werden.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.