การระบายความร้อน โวลเตชั่นสูง MOSFET ทนทานสําหรับ Smart Meter
สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
---|---|
ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
ราคา | Confirm price based on product |
รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xการประยุกต์ใช้งาน HV Mosfet | ไดร์เวอร์ LED, อะแดปเตอร์, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ ฯลฯ | การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A |
---|---|---|---|
การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี | แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ |
เทคโนโลยี | มอสเฟต | ประเภท | เอ็น |
ข้อดี | เทคโนโลยีการเติมสารแปรผันด้านข้างแบบใหม่ โครงสร้าง MOS กำลังพิเศษ ลักษณะเฉพาะที่ยอดเยี่ยมในอุณหภูมิส | ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง |
เน้น | การระบายความร้อน MOSFET ความดันสูง,MOSFET ความดันสูง ทนทาน,เครื่องวัดสมาธิ ความดันสูง MOS |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
คําอธิบายสินค้า:
ทรานซิสเตอร์มอส-เกตความดันสูง (HV FETs) เป็นอุปกรณ์ที่ให้ผลงานดีเยี่ยม ความน่าเชื่อถือและความแข็งแรงในการใช้งานความดันสูงพวกเขามีเทคโนโลยีดอปปิ้งแบบแปรปรวนทางด้านใหม่ และโครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษตัวอย่างของการใช้งานประกอบด้วย เครื่องวัดสมาร์ท เครื่องไฟฟ้ากระเป๋าไฟฟ้า เครื่องไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม และระบบพลังงานไฟฟ้า
HV FETs ได้ถูกออกแบบมาเพื่อกระจายความร้อนอย่างรวดเร็วและให้การกระจายความร้อนที่ดี. พวกเขามีอยู่ในชนิด N, ซึ่งเป็นที่เหมาะสมสําหรับการออกแบบปัสดุพลังงานแรงดันสูง.
ทรานซิสเตอร์มอส-เกตความดันสูง ให้ผลงานและความน่าเชื่อถือที่ดีกว่า สําหรับการใช้งานความดันสูงหลายประเภทโครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษและคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูงด้วยการระบายความร้อนที่ดี พวกเขาเป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับเครื่องวัดสมาร์ท แหล่งไฟฟ้ากระบวนการอุตสาหกรรมการสลับ แหล่งไฟฟ้าและระบบพลังงานไฟฟ้า
ปริมาตรเทคนิค:
ชื่อสินค้า | เทคโนโลย |
---|---|
MOSFET ความดันสูง | MOSFET |
ประเภท | ระดับความกระชับกําลัง |
N | ความดันสูง/ความดันสูงสุด |
การใช้งาน MOSFET Ultra-HV | การใช้งาน FRD HV MOSFET ที่ติดตั้ง |
เครื่องวัดอัจฉริยะ เครื่องไฟฟ้ากระบวนการ เครื่องไฟฟ้าสวิตชิ่งอุตสาหกรรม เครื่องไฟฟ้าระบบไฟฟ้า | เครื่องยนต์ชุด อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น |
การรั่วไหล | ความต้านทาน |
การรั่วไหลต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μ A | ความต้านทานต่ํา |
การระบายความร้อน | ข้อดี |
การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
การใช้งาน:
REASUNOS Embedded FRD High Voltage MOSFET เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูง ที่ถูกออกแบบมาเพื่อให้ผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพดีเยี่ยมในแอพลิเคชั่นความดันสูงมันเป็นทางเลือกที่เหมาะสมสําหรับเครื่องวัดที่ฉลาด, แหล่งไฟฟ้าตู้, แหล่งไฟฟ้าการสลับอุตสาหกรรม, และระบบพลังงานไฟฟ้า.และความต้านทานการเปิดต่ําของมัน ให้การไหลของกระแสที่ดีผลิตภัณฑ์นี้ทําจากองค์ประกอบที่มีคุณภาพสูงสุด และสามารถทํางานได้ถึงความดันสูงสุดวางไว้ในกล่องกระดาษกล่องราคาถูกยืนยันขึ้นอยู่กับประเภทสินค้าและปริมาณ และเวลาในการจัดส่งจะตั้งแต่ 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ก่อน (EXW)และความสามารถในการจัดส่งคือ 5KK / เดือน.
การสนับสนุนและบริการ:
MOSFET ความดันสูง ให้บริการด้านการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการต่างๆ เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าทีมงานสนับสนุนของเราพร้อม 24/7 เพื่อตอบคําถามใด ๆ และให้คําตอบกับปัญหาของลูกค้าของเราเราให้บริการหลากหลายตัวเลือกการสนับสนุน เช่น
- แชทสดกับทีมงานสนับสนุนลูกค้าของเรา
- การสนับสนุนทางโทรศัพท์
- การสนับสนุนทางอีเมล
- คู่มือแก้ปัญหา
- คําถามที่พบบ่อย (FAQ)
เรายังให้การฝึกอบรมทางเทคนิคและสัมมนา เพื่อช่วยลูกค้าของเราให้ได้ประโยชน์ที่สุดจากผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของพวกเขาทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราพร้อมที่จะช่วยคุณกับคําถามหรือปัญหาที่คุณอาจมี.
การบรรจุและการขนส่ง
ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงควรถูกเก็บและส่งในบรรจุเดิมของพวกเขา ซึ่งรวมถึงถังกันความร้อน เพื่อป้องกันมันจากความเสียหายใด ๆกระป๋อง ควรมีฝาปิดหรือฝาปิด เพื่อปกป้องมันจากสิ่งต่าง ๆ.
สะพานควรวางไว้ในถังที่ปลอดภัยที่มีวัสดุปัสดุที่เหมาะสม และล้อมรอบด้วยวัสดุป้องกันเพื่อลดความเสียหายในระหว่างการขนส่งให้น้อยที่สุดมันสําคัญเช่นกันที่จะติดป้ายบรรจุอย่างถูกต้องด้วยชื่อสินค้าและบาร์โค้ด.
สําหรับการขนส่งระหว่างประเทศ มันสําคัญที่จะให้แน่ใจว่าถังบรรจุและติดป้ายอย่างถูกต้อง ตามกฎหมายสินค้าอันตรายทางทะเลระหว่างประเทศ (IMDG)