Alle Produkte
Ansprechpartner : Anita Yin
Telefonnummer : +86 13712219843
Whatsapp : +8613712219843

Stabiler Multiscene Superjunction Mosfet, Anti-EMI Diskreter Mosfet

  • Stable Multiscene Superjunction Mosfet , Anti EMI Discrete Mosfet
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.

x
Produktdetails
EMS-Rand Große EMI Margin Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez
Typ N Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Paket Ultra Päckchen Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand
Hervorheben

Stabiler Überschnitt Mosfet

,

Multiscene Superjunction Mosfet

,

Anti-EMI Diskretes Mosfet
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
Hinterlass eine Nachricht
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Ultra-kleines Paket Superjunction Power MOSFET für PFC-Schaltkreise mit hervorragenden Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten

Beschreibung des Produkts:

Super Junction MOSFET ist eine Art Metalloxid Halbleitertransistor mit N-Typ. Es wird hauptsächlich in LED-Treiber, PFC-Schaltung, Schaltstromversorgung, UPS Of Continuous Power Supply System,Neue Energieversorgungsanlagen, etc. Super Junction MOSFET hat viele Vorteile im Vergleich zum traditionellen Grabenprozess, wie z. B. hervorragende Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten.mit einer hohen EMI-MargeEs handelt sich um eine Art Stromdiskretgerät. Dieses Super Junction MOSFET gewährleistet eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit für alle Arten von Anwendungen.

 

Technische Parameter:

Gerätetypen Vorteile
Stromdiskrete Geräte Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
Paket Anwendung
Ultra-kleines Paket LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
Produktbezeichnung Kapazität
Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET Ultra-niedrige Knotenkapazität
Typ EMI-Marge
N Große EMI-Marge
Der innere Widerstand  
Ultraschmaler innerer Widerstand  
 

Anwendungen:

REASUNOS Super Junction MOSFETs sind Hochleistungs-MOSFETs, die eine überlegene Leistung für LED-Treiber, PFC-Schaltkreise, Schaltnetzteile, UPS von kontinuierlichen Stromversorgungssystemen,und neue EnergieversorgungsanlagenDiese MOSFETs werden durch den Multi-Layer-Epitaxy-Prozess hergestellt, der aufgrund seiner hervorragenden Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten dem traditionellen Grabenverfahren überlegen ist.Es kommt auch mit einer großen EMI-Marge und ultra kleinen internen Widerstand.

Die REASUNOS Super Junction MOSFETs sind in N-Typ, mit einem Markennamen von REASUNOS und einem Ursprungsort aus Guangdong, China, erhältlich.Es ist staubdicht verpackt., wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen in Kartonsäulen, die je nach Gesamtmenge 2 bis 30 Tage liefern,und die Zahlung wird über 100% T/T im Voraus (EXW) akzeptiert- Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Super Junction MOSFET

Wir bei ABC Company sind bestrebt, einen erstklassigen Kundenservice und technischen Support für unser Super Junction MOSFET Produkt zu bieten.Unser sachkundiges und erfahrenes technisches Support-Team steht Ihnen bei jedem Schritt zur Verfügung..

Unser Team kann bei der Produktauswahl, Datenblattüberprüfungen, Fehlerbehebung und Designunterstützung helfen.Ob Sie Hilfe benötigen, um die Funktionen und Vorteile von Super Junction MOSFET zu verstehen oder Hilfe bei Ihrer spezifischen AnwendungWir sind hier, um zu helfen.

Wir bieten auch eine Vielzahl von Online-Ressourcen an, wie beispielsweise Anwendungsnotizen, Videos, Webinare und Tutorials, um Ihnen zu helfen, das Beste aus unserem Super Junction MOSFET-Produkt zu machen.

Für weitere Fragen oder Anfragen wenden Sie sich bitte an unseren technischen Support.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Super-Junction-MOSFET:

  • Das Produkt wird in einen antistatischen Beutel verpackt und in eine versiegelte Verpackung gebracht.
  • Der Versand erfolgt über einen zuverlässigen Kurierdienst wie UPS, DHL, FedEx usw.
  • Auf Anfrage wird dem Kunden die Nachverfolgungsinformation zur Verfügung gestellt.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname von Super Junction MOSFET?

A1: Der Markenname von Super Junction MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo wird Super Junction MOSFET hergestellt?

A2: Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie kauft man ein Super Junction MOSFET?

A3: Sie können Super Junction MOSFET mit 100% T/T im Voraus kaufen.

F4: Welche Art von Verpackung verwendet das Super Junction MOSFET?

A4: Super Junction MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen ausgestattet, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert sind.

F5: Wie lange dauert die Lieferung des Super Junction MOSFET?

A5: Die Lieferzeit von Super Junction MOSFET hängt von der Gesamtmenge ab und dauert in der Regel 2-30 Tage.

Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET