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Mosfet di super giunzione multi-scene stabile, Mosfet discreto anti-EMI

  • Stable Multiscene Superjunction Mosfet , Anti EMI Discrete Mosfet
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Margine di EMI Grande EMI Margin Vantaggi È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI
Tipo N Capacità Capacità di giunzione ultrabassa
pacchetto Pacchetto ultra piccolo Nome del prodotto Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET
Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potere Resistenza interna Resistenza interna ultra piccola
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Mosfet di supergiunzione stabile

,

Mosfet

,

super giunzione multiscene
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET di potenza a supergiunzione a pacchetto ultra piccolo per circuito PFC con eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge

Descrizione del prodotto:

Super Junction MOSFET è un tipo di transistor a semiconduttore di ossido metallico con tipo N. È utilizzato principalmente in driver a LED, circuito PFC, alimentatore di commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua,Attrezzature elettriche a nuova energia, ecc. Il Super Junction MOSFET ha molti vantaggi rispetto al processo di trincea tradizionale, come eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge.che ha un ampio margine di IMESi tratta di una sorta di dispositivi discreti di potenza. Questo Super Junction MOSFET garantisce un'elevata efficienza e affidabilità per tutti i tipi di applicazioni.

 

Parametri tecnici:

Tipo di dispositivo Vantaggi
Dispositivi discreti di potenza E' realizzato con il processo di epitaxia a più strati, ha eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge rispetto al processo di trench.
Pacco Applicazione
Confezione ultrapiccola Guida LED, circuito PFC, alimentazione a commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua, apparecchiature di alimentazione a nuova energia, ecc.
Nome del prodotto Capacità
MOSFET/SJ MOSTET a super giunzione Capacità di giunzione ultra-bassa
Tipo Margine di emissione
N Grandi margini di IME
Resistenza interna  
Resistenza interna molto piccola  
 

Applicazioni:

I MOSFET REASUNOS Super Junction sono MOSFET ad alte prestazioni di potenza che offrono prestazioni superiori per driver LED, circuiti PFC, alimentatori di commutazione, UPS di sistemi di alimentazione continua,Equipaggiamenti di nuova energiaQuesti MOSFET sono realizzati mediante un processo di epitaxia a più strati, che è superiore al tradizionale processo di trincea a causa delle sue eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge.Viene anche fornito con un grande margine EMI e ultra piccola resistenza interna.

I MOSFET REASUNOS Super Junction sono di tipo N, con il marchio REASUNOS e il luogo di origine del Guangdong, in Cina.E'confezionato in una confezione antipolvere., imballaggi tubulari impermeabili e antistatici collocati in una scatola di cartone in cartone.e il pagamento è accettato tramite 100% T/T in anticipo (EXW)La capacità di approvvigionamento è di 5KK/mese.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi per MOSFET a super giunzione

In ABC Company, ci impegniamo a fornire un servizio clienti superiore e supporto tecnico per il nostro prodotto MOSFET Super Junction.Il nostro team di supporto tecnico esperto e esperto è disponibile per aiutarvi in ogni fase del processo.

Il nostro team può fornire assistenza con la selezione del prodotto, le revisioni delle schede dati, la risoluzione dei problemi e il supporto alla progettazione.Se hai bisogno di aiuto per comprendere le caratteristiche e i benefici di Super Junction MOSFET o aiuto con la tua applicazione specificaSiamo qui per aiutare.

Offriamo anche una varietà di risorse online, come note di applicazione, video, webinar e tutorial, per aiutarti a ottenere il massimo dal nostro prodotto Super Junction MOSFET.

Per eventuali domande o richieste aggiuntive, non esitate a contattare il nostro team di supporto tecnico.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a super giunzione:

  • Il prodotto deve essere confezionato in una busta antistatica e collocato in una scatola sigillata.
  • La spedizione sarà effettuata da un servizio di corriere affidabile come UPS, DHL, FedEx, ecc.
  • Le informazioni di tracciamento saranno fornite al cliente su richiesta.
 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio di Super Junction MOSFET?

R1: Il marchio di Super Junction MOSFET è REASUNOS.

D2: Dove viene prodotto il MOSFET Super Junction?

R2: Il MOSFET Super Junction è prodotto nel Guangdong, in Cina.

Q3: Come acquistare il Super Junction MOSFET?

A3: è possibile acquistare Super Junction MOSFET con 100% T/T in anticipo ((EXW). Il prezzo è confermato in base al prodotto.

D4: Che tipo di imballaggio utilizza il Super Junction MOSFET?

A4: Super Junction MOSFET è dotato di un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile alla polvere e all'acqua, collocato in una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo ci vuole per consegnare il MOSFET Super Junction?

R5: Il tempo di consegna del Super Junction MOSFET dipende dalla quantità totale e di solito dura da 2 a 30 giorni.

Etichette:

Transistor a super giunzione di ossido metallico

MOSFET a super giunzione del circuito PFC

MOSFET a super giunzione di alimentazione