安定したマルチシーンのスーパージャンクション モスフェット,アンチEMI ディスクレート モスフェット

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xEMIの差益 | 大きいEMIの差益 | 利点 | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
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タイプ | N | キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス |
パッケージ | 超小型パッケージ | 製品名 | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
装置タイプ | 力の分離した装置 | 内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 |
ハイライト | 安定した超結合モスフェット,マルチシーンのスーパージャンクション モスフェット,アンチ EMI ディスクレート モスフェット |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
PFC回路のための超小型パッケージスーパージャンクションパワーMOSFET,優れた抗EMIおよび抗急増能力
製品説明:
スーパージャンクションMOSFETは,N型の金属オキシド半導体トランジスタの一種である.主にLEDドライバー,PFC回路,スイッチング電源,UPS Of Continuous Power Supply System,新エネルギー発電設備超ジャンクションMOSFETは,優れた抗EMIおよび抗急上昇能力などの伝統的な溝プロセスと比較して多くの利点があります.EMI 利回りが高いこのスーパージャンクション MOSFET は,あらゆる種類のアプリケーションに高い効率と信頼性を保証します.
技術パラメータ:
装置の種類 | 利点 |
---|---|
電源を分離する装置 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
パッケージ | 適用する |
超小型パッケージ | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
製品名 | 容量 |
超交差点MOSFET/SJ MOSTET | 超低回路容量 |
タイプ | EMI マージン |
N | 高いEMI手数料 |
内面 の 抵抗 | |
極小な内抵抗 |
応用:
REASUNOS スーパー・ジャンクション MOSFETは,LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,新エネルギー発電設備これらのMOSFETは,マルチレイヤーエピタキシープロセスで作られ,優れた抗EMIおよび抗急上昇能力により,従来の溝プロセスに優れています.また,大きな EMI 利益率と超小型の内抵抗も備えています.
REASUNOSスーパージャンクションMOSFETはN型で,REASUNOSのブランド名と中国広東出身地があります.これらのMOSFETの価格は製品選択時に確認されます.防塵で包装されていますこの製品に対する配送期間は,総量に応じて2~30日です.支払いは100%T/T (EXW) によるものです供給能力は月5KKです
サポートとサービス
ABC社では スーパージャンクション MOSFET 製品に対して 優れた顧客サービスと技術サポートを提供することに コミットしています私たちの知識と経験豊富な技術サポートチームは,すべてのステップであなたを助けるために利用できます.
製品選択,データシートレビュー,トラブルシューティング,デザインサポートなどでサポートできますスーパージャンクションMOSFETの機能と利点を理解する助けを必要としているか,またはあなたの特定のアプリケーションの助け助けてくれる
また,アプリケーションノート,ビデオ,ウェブセミナー,チュートリアルなどの様々なオンラインリソースも提供しています.
追加的な質問や問い合わせについては,当社の技術サポートチームにご連絡ください.
梱包と輸送:
スーパー・ジャンクション MOSFET の梱包と輸送:
- 製品は抗静電袋に包装され,密閉された箱に入れます.
- UPS,DHL,FedExなどの信頼できる宅配サービスによって運送されます.
- 追跡情報は お客様の要求に応じて提供されます.
FAQ:
A1: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は REASUNOSです
A2: スーパージャンクション MOSFETは中国の広東で生産されています
A3: スーパージャンクション MOSFETを100%T/Tで事前に購入できます.価格は製品に基づいて確認されます.
A4: スーパー・ジャンクション MOSFET は,防塵,防水,抗静的管状のパッケージで,紙箱に詰め込まれています.
A5: スーパージャンクション MOSFET の配達時間は,総量に依存し,通常 2~30 日かかります.