Устойчивый многосценный суперсоединение Мосфета, анти-EMI дискретный Мосфета
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
x| Допустимый предел EMI | Большой допустимый предел EMI | Преимущества | Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный |
|---|---|---|---|
| Тип | N | Емкость | Ультра-низкая емкость соединения |
| Пакет | Ультра небольшой пакет | Наименование продукта | Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET |
| Тип прибора | Приборы силы дискретные | Внутреннее сопротивление | Ультра небольшое внутреннее сопротивление |
| Выделить | Мосфет с стабильным сверхсоединением,Мультисцена сверхсоединения Мосфета,Противо-EMI дискретный Мосфет |
||
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
| 3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
| 5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
| 7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
| 8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
| 9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
| 10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
| 12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
| 13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
| 14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
| 15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
| 16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
| 17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
| 18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
| 19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
| 20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
| 21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
| 22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
| 23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
| 24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
| 25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
| 26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
| 28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
| 29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
| 30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
| 31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
| 32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
| 33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
| 34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
| 35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
| 36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
| 37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
| 38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
| 39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
Ультра-малые пакеты сверхсоединения мощности MOSFET для PFC схемы с отличными анти-EMI и анти-перебоев возможностей
Описание продукта:
Super Junction MOSFET - это тип полупроводникового транзистора из оксида металла с типом N. Он в основном используется в светодиодных драйверах, схемах PFC, коммутационных источниках питания, системе непрерывного питания UPS,Новое энергетическое оборудование, и т. д. Super Junction MOSFET имеет множество преимуществ по сравнению с традиционным траншейным процессом, таким как отличные анти-EMI и анти-перепады возможностей.который имеет большую маржу EMIЭто вид дискретных устройств питания. Этот Super Junction MOSFET обеспечивает высокую эффективность и надежность для всех видов приложений.
Технические параметры:
| Тип устройства | Преимущества |
|---|---|
| Устройства с дискретным питанием | Он изготовлен многослойным эпитаксическим процессом. |
| Пакет | Применение |
| Сверхмаленький пакет | Драйвер LED, схема PFC, переключающее питание, UPS системы непрерывного питания, новое энергетическое оборудование, и т.д. |
| Наименование продукта | Пропускная способность |
| Суперсоединение MOSFET/SJ MOSTET | Ультранизкая пропускная способность соединения |
| Тип | Маржинальная ставка по ИПВ |
| N | Большая маржа EMI |
| Внутреннее сопротивление | |
| Ультраменьшее внутреннее сопротивление |
Применение:
REASUNOS Super Junction MOSFETs - это высокопроизводительные MOSFET с высокой мощностью, которые предлагают превосходную производительность для светодиодных драйверов, схем PFC, коммутационных источников питания, бесперебойных систем подачи энергии,и оборудования для производства электроэнергииЭти MOSFET изготавливаются с помощью многослойного эпитаксического процесса, который превосходит традиционный траншейный процесс из-за его превосходных анти-EMI и анти-свертывающих способностей.Он также поставляется с большой маржой EMI и сверх маленьким внутренним сопротивлением.
REASUNOS Super Junction MOSFETs поставляются в N-типе, с торговой маркой REASUNOS и местом происхождения из Гуандун, Китай.Он упакован в пылестойкую упаковку, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонных коробках.и оплата принимается через 100% T/T заранее (EXW)Возможности поставки составляют 5 кк/месяц.
Поддержка и услуги:
В компании ABC мы стремимся обеспечить превосходное обслуживание клиентов и техническую поддержку нашего продукта Super Junction MOSFET.Наша опытная команда технической поддержки готова помочь вам на каждом этапе.
Наша команда может помочь с выбором продукта, обзором таблицы данных, устранением неполадок и поддержкой дизайна.Если вам нужна помощь в понимании особенностей и преимуществ Super Junction MOSFET или помощь с вашим конкретным приложениемМы здесь, чтобы помочь.
Мы также предлагаем разнообразные онлайн-ресурсы, такие как примечания к приложению, видео, вебинары и учебные пособия, чтобы помочь вам получить максимальную отдачу от нашего продукта Super Junction MOSFET.
Для любых дополнительных вопросов или запросов, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой технической поддержки.
Упаковка и перевозка:
Упаковка и транспортировка MOSFET с суперсоединением:
- Продукт упаковывается в антистатический пакет и помещается в запечатанную коробку.
- Отправка будет осуществляться надежным курьерским сервисом, таким как UPS, DHL, FedEx и т.д.
- Информация о отслеживании будет предоставлена клиенту по запросу.
Часто задаваемые вопросы
Ответ 1: Торговая марка Super Junction MOSFET - это REASUNOS.
A2: Super Junction MOSFET производится в Гуандун, Китай.
A3: Вы можете купить Super Junction MOSFET с 100% T/T заранее ((EXW). Цена подтверждается на основе продукта.
A4: Super Junction MOSFET поставляется с пылестойкой, водонепроницаемой и антистатической трубчатой упаковкой, помещенной в картонную коробку в картонные коробки.
Ответ 5: Время доставки Super Junction MOSFET зависит от общего количества и обычно занимает 2-30 дней.

