600 V Langlebiger Super Junction MOSFET Mehrzweck kleiner innerer Widerstand
Herkunftsort | Guangdong, KN |
---|---|
Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.
xEinheitentyp | Energie-getrennte Geräte | Typ | N |
---|---|---|---|
Produktbezeichnung | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET | Kapazitanz | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
Vorteile | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez | Anwendung | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
Innenwiderstand | Ultra kleiner Innenwiderstand | Paket | Ultra Päckchen |
Hervorheben | 600V-MOSFET mit Superverbindung,Nachhaltiges MOSFET mit Superverbindung,Mehrzweck-SJ MOSTET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
Ultra-kleines Paket-MOSFET mit ultra-niedriger Knotenkapazität und ultra-kleinem inneren Widerstand
Beschreibung des Produkts:
DieMOSFET mit Superverbindungist ein fortgeschrittener Gerätetypen, der in Leistungsdiskreten Geräten eingesetzt wird. Er hat eine große EMI-Marge und eignet sich besonders für eine Vielzahl von Anwendungen wie LED-Treiber, PFC-Schaltung,StromversorgungsschalterDies ist ein wichtiger Faktor für die Entwicklung vonSi Super Junction MOSFETist mit einer ultra-niedrigen Verbindungskapazität ausgelegt, wodurch die Leistungsauflösung verringert und der Wirkungsgrad des Geräts gesteigert wird.
Technische Parameter:
Parameter | Beschreibung |
---|---|
Produktbezeichnung | Si-MOSFET mit Überschneidung, MOSFET mit Überschneidungskraft, SJ-MOSFET |
Kapazität | Ultra-niedrige Knotenkapazität |
Gerätetypen | Stromdiskrete Geräte |
Typ | N |
Vorteile | Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten |
EWI-Marge | Große EMI-Marge |
Anwendung | LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw. |
Der innere Widerstand | Ultraschmaler innerer Widerstand |
Paket | Ultra-kleines Paket |
Anwendungen:
Super Junction MOSFET, auch bekannt als SJ MOSFET, ist ein fortgeschrittener Typ von Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET), der von REASUNOS entwickelt wurde.und verglichen mit anderen MOSFETs, die mit dem Grabenverfahren hergestellt wurden, hat eine ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Oberspannung Fähigkeiten. Es hat eine ultra-niedrige Verbindungskapazität und ultra-kleine innere Widerstand. Es wird weit verbreitet in Leistung diskreten Geräten verwendet,mit einer Leistung von mehr als 100 W, Motorantrieb, Solarumrichter und Stromadapter.
Die Super Junction MOSFETs von REASUNOS sind von überragender Qualität und bieten viele Vorteile gegenüber herkömmlichen MOSFETs.Es hat auch einen geringen Wärmewiderstand., wodurch eine größere Leistungsausbeute und eine höhere Leistungsdichte möglich ist.Es hat eine hohe Stromkapazität., so dass es Anwendungen mit hoher Leistung bewältigen kann.
REASUNOS Super Junction MOSFETs sind preisgünstig und in verschiedenen Packungen erhältlich.und antistatisch und werden in Kartons für den Versand aufbewahrtDie Lieferzeit beträgt in der Regel 2 bis 30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge, und die Zahlung wird über 100% T/T im Voraus (EXW) akzeptiert.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service für Super Junction MOSFET
Bei XYZ sind wir bestrebt, unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen zur Verfügung zu stellen.einschließlich Hilfe bei der Fehlerbehebung und InstallationUnser technisches Support-Team steht Ihnen jederzeit zur Verfügung, um Fragen zu Ihrem Kauf zu beantworten.
Unser Kundenservice steht Ihnen auch zur Verfügung, um alle Fragen oder Bedenken zu beantworten, die Sie bezüglich Ihres Kaufs haben könnten, sowie um Ihnen bei Rücksendungen, Umtauschungen oder Reparaturen zu helfen.Wir setzen uns dafür ein, dass Ihr Einkaufserlebnis so reibungslos wie möglich abläuft..
Wenn Sie Fragen oder Bedenken bezüglich Ihres Kaufs von Super Junction MOSFET-Produkten haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Verpackung und Versand:
Super Junction MOSFETs werden typischerweise in einer antistatischen Tasche, einer Blasenfolie und einer Kartonbox verpackt und geliefert.und Name des KundenWenn das Gerät an einen Kunden im Ausland geliefert wird, sollte die Box auch mit den entsprechenden Zollpapieren versehen sein.
Häufige Fragen:
- F1: Wie lautet der Markenname des Super Junction MOSFET?
- A1: Der Markenname des Super Junction MOSFET ist REASUNOS.
- F2: Wo wird das Super Junction MOSFET hergestellt?
- A2: Das Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
- F3: Wie hoch ist der Preis für das Super Junction MOSFET?
- A3: Der Preis des Super Junction MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
- F4: Wie wird das Super Junction MOSFET verpackt?
- A4: Das Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
- F5: Wie lange dauert die Lieferung des Super Junction MOSFET?
- A5: Abhängig von der Gesamtmenge dauert die Lieferung des Super Junction MOSFET 2-30 Tage.