600 V Langlebiger Super Junction MOSFET Mehrzweck kleiner innerer Widerstand

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Typ N
Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ
Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand Paket Ultra Päckchen
Hervorheben

600V-MOSFET mit Superverbindung

,

Nachhaltiges MOSFET mit Superverbindung

,

Mehrzweck-SJ MOSTET

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Ultra-kleines Paket-MOSFET mit ultra-niedriger Knotenkapazität und ultra-kleinem inneren Widerstand

Beschreibung des Produkts:

DieMOSFET mit Superverbindungist ein fortgeschrittener Gerätetypen, der in Leistungsdiskreten Geräten eingesetzt wird. Er hat eine große EMI-Marge und eignet sich besonders für eine Vielzahl von Anwendungen wie LED-Treiber, PFC-Schaltung,StromversorgungsschalterDies ist ein wichtiger Faktor für die Entwicklung vonSi Super Junction MOSFETist mit einer ultra-niedrigen Verbindungskapazität ausgelegt, wodurch die Leistungsauflösung verringert und der Wirkungsgrad des Geräts gesteigert wird.

 

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Si-MOSFET mit Überschneidung, MOSFET mit Überschneidungskraft, SJ-MOSFET
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Typ N
Vorteile Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
EWI-Marge Große EMI-Marge
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Paket Ultra-kleines Paket
 

Anwendungen:

Super Junction MOSFET, auch bekannt als SJ MOSFET, ist ein fortgeschrittener Typ von Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET), der von REASUNOS entwickelt wurde.und verglichen mit anderen MOSFETs, die mit dem Grabenverfahren hergestellt wurden, hat eine ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Oberspannung Fähigkeiten. Es hat eine ultra-niedrige Verbindungskapazität und ultra-kleine innere Widerstand. Es wird weit verbreitet in Leistung diskreten Geräten verwendet,mit einer Leistung von mehr als 100 W, Motorantrieb, Solarumrichter und Stromadapter.

Die Super Junction MOSFETs von REASUNOS sind von überragender Qualität und bieten viele Vorteile gegenüber herkömmlichen MOSFETs.Es hat auch einen geringen Wärmewiderstand., wodurch eine größere Leistungsausbeute und eine höhere Leistungsdichte möglich ist.Es hat eine hohe Stromkapazität., so dass es Anwendungen mit hoher Leistung bewältigen kann.

REASUNOS Super Junction MOSFETs sind preisgünstig und in verschiedenen Packungen erhältlich.und antistatisch und werden in Kartons für den Versand aufbewahrtDie Lieferzeit beträgt in der Regel 2 bis 30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge, und die Zahlung wird über 100% T/T im Voraus (EXW) akzeptiert.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Super Junction MOSFET

Bei XYZ sind wir bestrebt, unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen zur Verfügung zu stellen.einschließlich Hilfe bei der Fehlerbehebung und InstallationUnser technisches Support-Team steht Ihnen jederzeit zur Verfügung, um Fragen zu Ihrem Kauf zu beantworten.

Unser Kundenservice steht Ihnen auch zur Verfügung, um alle Fragen oder Bedenken zu beantworten, die Sie bezüglich Ihres Kaufs haben könnten, sowie um Ihnen bei Rücksendungen, Umtauschungen oder Reparaturen zu helfen.Wir setzen uns dafür ein, dass Ihr Einkaufserlebnis so reibungslos wie möglich abläuft..

Wenn Sie Fragen oder Bedenken bezüglich Ihres Kaufs von Super Junction MOSFET-Produkten haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand

Super Junction MOSFETs werden typischerweise in einer antistatischen Tasche, einer Blasenfolie und einer Kartonbox verpackt und geliefert.und Name des KundenWenn das Gerät an einen Kunden im Ausland geliefert wird, sollte die Box auch mit den entsprechenden Zollpapieren versehen sein.

 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname des Super Junction MOSFET?
A1: Der Markenname des Super Junction MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo wird das Super Junction MOSFET hergestellt?
A2: Das Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F3: Wie hoch ist der Preis für das Super Junction MOSFET?
A3: Der Preis des Super Junction MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
F4: Wie wird das Super Junction MOSFET verpackt?
A4: Das Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferung des Super Junction MOSFET?
A5: Abhängig von der Gesamtmenge dauert die Lieferung des Super Junction MOSFET 2-30 Tage.