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MOSFET de súper unión duradera de 600 V de uso múltiple Resistencia interna pequeña

  • 600V Durable Super Junction MOSFET Multipurpose Small Internal Resistance
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos del poder El tipo N
Nombre del producto Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET Capacitancia Capacitancia de empalme ultrabaja
Ventajas Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An Aplicación Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi
Resistencia interna Resistencia interna ultra pequeña paquete Paquete ultra pequeño
Resaltar

MOSFET de súper unión de 600 V

,

MOSFET de súper unión duradero

,

SJ MOSTET de uso múltiple
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de súper unión de paquete ultra pequeño con capacidad de unión ultra baja y resistencia interna ultra pequeña

Descripción del producto:

ElMOSFET de súper uniónes un tipo de dispositivo avanzado que se utiliza en dispositivos discretos de potencia. Tiene un gran margen EMI y es especialmente adecuado para una variedad de aplicaciones como controlador de LED, circuito PFC,fuente de alimentación de conmutación, UPS del sistema de suministro de energía continua, equipo de energía nueva, etc.Si MOSFET de súper uniónestá diseñado con una capacitancia de unión ultrabaja, lo que reduce la disipación de energía y mejora la eficiencia del dispositivo.

 

Parámetros técnicos:

Parámetros Descripción
Nombre del producto Si MOSFET de superunión, MOSFET de potencia de superunión, SJ MOSFET
Capacidad Capacidad de unión ultrabaja
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energía
El tipo No
Ventajas Se hace por proceso de epitaxia de múltiples capas. Comparado con el proceso de trinchera, tiene excelentes capacidades anti-EMI y anti-surge
Margen del IME Gran margen de IEM
Aplicación El conductor LED, el circuito PFC, el suministro de energía de conmutación, el sistema UPS de suministro de energía continua, el equipo de energía de nueva energía, etc.
Resistencia interna Resistencia interna muy pequeña
Paquete Paquete muy pequeño
 

Aplicaciones:

Super Junction MOSFET, también conocido como SJ MOSFET, es un tipo avanzado de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) desarrollado por REASUNOS.y comparado con otros MOSFET fabricados con proceso de zanja, tiene excelentes capacidades anti-EMI y anti-salto. Tiene una capacidad de unión ultrabaja y una resistencia interna ultra pequeña. Se utiliza ampliamente en dispositivos discretos de potencia,con una potencia de transmisión de alta frecuencia, motor de accionamiento, inversor solar y adaptador de energía.

Los MOSFET de Super Junction de REASUNOS son de calidad superior, con muchas ventajas sobre los MOSFET tradicionales.También tiene baja resistencia térmica., lo que permite una mayor disipación de energía y una mayor densidad de potencia. Tiene un amplio rango de temperatura de funcionamiento, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones.Tiene una capacidad de corriente alta, lo que le permite manejar aplicaciones de alta potencia.

Los MOSFET de súper unión REASUNOS tienen un precio competitivo y están disponibles en una variedad de paquetes.y antistaticos y se colocan dentro de cajas de cartón en cajas de cartón para su envíoEl tiempo de entrega es generalmente de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total, y el pago se acepta a través del 100% T / T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicio para el MOSFET de súper unión

En XYZ, estamos comprometidos a proporcionar a nuestros clientes los mejores productos y servicios disponibles.incluida la asistencia para la solución de problemas y la instalaciónNuestro equipo de soporte técnico está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener con respecto a su compra.

Nuestro equipo de atención al cliente también está disponible para responder cualquier pregunta o inquietud que pueda tener sobre su compra, así como para proporcionar ayuda con cualquier devolución, cambio o reparación.Nos comprometemos a asegurar que su experiencia de compra sea lo más fluida posible.

Si tiene alguna pregunta o inquietud con respecto a su compra de productos MOSFET Super Junction, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío

Los Super Junction MOSFET se envasan y envían típicamente en una bolsa antistática, envoltura de burbujas y una caja de cartón.y el nombre del clienteSi el dispositivo se envía a un cliente en el extranjero, la caja también debe estar etiquetada con los documentos aduaneros apropiados.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de súper unión?
R1: La marca del MOSFET de súper unión es REASUNOS.
P2: ¿Dónde se fabrica el MOSFET de súper unión?
R2: El Super Junction MOSFET es fabricado en Guangdong, China.
P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de súper unión?
R3: El precio del MOSFET de súper unión se confirma en función del producto.
P4: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de súper unión?
A4: El Super Junction MOSFET está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuánto tiempo se tarda en entregar el MOSFET de súper unión?
R5: Se tarda de 2 a 30 días en entregar el Super Junction MOSFET, dependiendo de la cantidad total.
Etiquetas:

Transistores de súper unión de óxido metálico

MOSFET de súper unión del circuito PFC

MOSFET de súper unión de suministro de energía