600V 내구성 있는 슈퍼 융합 MOSFET 다목적 작은 내부 저항

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x장치 타입 | 전력 이산 장치 | 종류 | 엔 |
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제품 이름 | 슈퍼접합 MOSFET/SJ MOSTET | 전기 용량 | 초저 접합 정전 용량 |
장점 | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. 다층 에피택시 공정으로 만들어졌습니다. Compared With Tren | 적용 | LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급 장치, 연속 전원 공급 시스템의 UPS, 신 에너지 전력 장비 등 |
내부 저항 | 초소형 내부 저항 | 패키지 | 초소형 패키지 |
강조하다 | 600V 슈퍼 융합 MOSFET,내구성 있는 슈퍼 융합 MOSFET,다목적 SJ MOSTET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
극소규모 패키지 초단절 MOSFET, 극저단절 용량 및 극소규모 내부 저항
제품 설명:
의슈퍼 융합 MOSFET전력 분산 장치에 사용되는 고급 장치 유형입니다. 큰 EMI 마진을 가지고 있으며 LED 드라이버, PFC 회로,전원 공급 장치 전환, UPS의 연속 전력 공급 시스템, 새로운 에너지 전력 장비, 등Si 슈퍼 융합 MOSFET초저단절역량으로 설계되어 전력 소모를 줄이고 장치의 효율성을 높입니다.
기술 매개 변수:
매개 변수 | 설명 |
---|---|
제품 이름 | Si 초연결 MOSFET, 초연결 전력 MOSFET, SJ MOSFET |
용량 | 초저조절 용량 |
장치 유형 | 전력 분별 장치 |
종류 | N |
장점 | 다층 에피타시 공정으로 만들어집니다. 트렌치 프로세스와 비교하면 우수한 반 EMI 및 항 급증 능력을 가지고 있습니다. |
EMI 마진 | 큰 EMI 마진 |
적용 | LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급, UPS의 연속 전원 공급 시스템, 새로운 에너지 전력 장비, 등 |
내적 저항 | 극히 작은 내부 저항 |
패키지 | 아주 작은 패키지 |
응용 프로그램:
슈퍼 융합 MOSFET (Super Junction MOSFET) 는 SJ MOSFET로도 알려져 있으며, REASUNOS에서 개발한 고급 유형의 금속 산화 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 이다.다른 MOSFET들과 비교하면, 그것은 우수한 반 EMI 및 반 급증 능력을 가지고 있습니다. 그것은 초저한 접합 용량과 극히 작은 내부 저항을 가지고 있습니다. 그것은 전력 분리 장치에 널리 사용됩니다.예를 들어 고주파 전환 전원 공급 장치, 모터 드라이브, 태양 전지 인버터, 전원 어댑터.
REASUNOS의 슈퍼 융합 MOSFET는 전통적인 MOSFET보다 많은 장점을 가지고 우수한 품질을 가지고 있습니다. 그것은 효율을 향상시키고 에너지를 절약하는 데 도움이되는 매우 낮은 전원 저항을 가지고 있습니다.또한 열 저항도 낮습니다., 더 큰 전력 소모와 더 높은 전력 밀도를 허용합니다. 넓은 작동 온도 범위를 가지고 있으며 다양한 응용 프로그램에 적합합니다.높은 전류 용량을 가지고 있습니다., 높은 전력 애플리케이션을 처리 할 수 있습니다.
REASUNOS 슈퍼 융합 MOSFET는 경쟁력 있는 가격으로 제공되며 다양한 패키지로 제공됩니다. 그들은 먼지, 방수,그리고 반 정적, 그리고 배송을 위한 카튼 상자 안에배달 시간은 일반적으로 전체 양에 따라 2 ~ 30 일이며 지불은 100% T / T 사전 (EXW) 를 통해 받아 들여집니다. 이러한 제품의 공급 능력은 한 달에 5KK까지입니다.
지원 및 서비스:
슈퍼 융합 MOSFET에 대한 기술 지원 및 서비스
XYZ에서 우리는 고객에게 최고의 제품과 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 우리는 슈퍼 융합 MOSFET 제품에 대한 기술 지원을 제공합니다.문제 해결 및 설치 지원우리의 기술 지원 팀은 귀하의 구매에 관한 모든 질문에 대답 할 수 있습니다.
고객 서비스 팀은 또한 구매에 대한 질문이나 우려에 대해 답변하고 환불, 교환 또는 수리에 대한 도움을 제공 할 수 있습니다.우리는 귀하의 쇼핑 경험이 가능한 한 원활하게 이루어질 수 있도록 최선을 다하고 있습니다..
슈퍼 융합 MOSFET 제품을 구매하는 것에 대한 질문이나 우려가 있다면 저희에게 연락하는 것을 주저하지 마십시오. 우리는 도움을 줄 것입니다!
포장 및 운송:
슈퍼 융합 MOSFET는 일반적으로 반 정적 봉지, 거품 포개 및 고판 상자에 포장되어 배송됩니다. 상자에는 장치의 부품 번호, 배송 날짜,그리고 고객의 이름장치가 해외 고객에게 배송되는 경우 상자에는 적절한 관세 서류가 표시되어야합니다.
FAQ:
- Q1: 슈퍼 융합 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
- A1: 슈퍼 융합 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
- Q2: 슈퍼 융합 MOSFET는 어디에서 생산됩니까?
- A2: 슈퍼 융합 MOSFET는 중국 광둥에서 생산됩니다.
- Q3: 슈퍼 융합 MOSFET의 가격은 얼마입니까?
- A3: 슈퍼 융합 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.
- Q4: 슈퍼 융합 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?
- A4: 슈퍼 융합 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
- Q5: 슈퍼 융합 MOSFET를 배달하는 데 얼마나 걸릴까요?
- A5: 수량에 따라 슈퍼 융합 MOSFET를 배달하는 데 2~30일이 걸립니다.