Все продукты
Контактное лицо : Anita Yin
Номер телефона : +86 13712219843
WhatsApp : +8613712219843

Многоцелевой Си-Си-Шоттки-барьерный диод

  • Multipurpose SiC Schottky Barrier Diode Durable High Temperature Resistance
Место происхождения Гуандун, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Цена Confirm price based on product
Упаковывая детали Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки 2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты 100% T/T заранее ((EXW)
Поставка способности 5кк/месяц

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Сила Наивысшая мощность Частота Высокочастотный
Термостойкость Высокотемпературное сопротивление Преимущества Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество
Тип прибора Приборы силы дискретные Материал Силиконовый карбид
Применение Схема PFC, Инвертор постоянного тока/переменного тока для солнечной и ветровой энергетики, питание U Наименование продукта Силиконовый карбид SBD/Sic SBD
Выделить

Многоцелевой барьерный диод SiC Schottky

,

Си Си Соттки барьерный диод прочный

,

Стойкость к температуре диод Шоттки
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
Оставьте сообщение
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
Характер продукции

Сико-Шотткийский барьерный диод с сильной антиперебойностью

Описание продукта:

Силиконокарбидный барьерный диод (Silicon Carbide SBD) - устройство с дискретной мощностью, изготовленное из карбида кремния.сильная способность к противопожарному току и высокая эффективностьСиликоновый карбид SBD предназначен для работы в условиях высокой температуры и является отличным выбором для различных энергетических приложений.и высокое разрывное напряжениеКроме того, его высокая эффективность и низкий обратный рекуперативный ток означают, что он потребляет меньше энергии и уменьшает потери энергии.Он также предлагает более высокую теплопроводностьБлагодаря всем этим характеристикам, Кремниевый карбид SBD является идеальным решением для применения при высоких температурах и мощности.

 

Технические параметры:

Наименование продукта Характеристики
Силиконовый карбид SBD/Sic SBD Высокотемпературная устойчивость, высокая мощность, дискретные устройства, высокая эффективность, основанные на национальной военной производственной линии, процесс стабилен и качество надежное,Высокая частотаЧрезвычайно низкий обратный восстановительный ток, сильная антиперебойная способность.
Применение Материал
Схема PFC, Инвертор постоянного тока/переменного тока для солнечной и ветровой энергетики, питание UPS, драйвер двигателя и т.д. Силиконовый карбид
 

Применение:

Силиконовый карбидный SBD (SiC SBD) от REASUNOS - это устройство с дискретной мощностью с диодной структурой ректификатора Schottky.Инвертор постоянного тока/переменного тока для производства солнечной и ветровой энергииС высокой частотой и высокой мощностью, это устройство идеально подходит для высокоэффективных и энергосберегающих систем питания.и антистатическая трубчатая упаковкаЦена зависит от продукта, а срок доставки составляет от 2 до 30 дней, в зависимости от общего количества.Срок оплаты 100% T/T заранее ((EXW).

 

Поддержка и услуги:

Техническая поддержка и обслуживание SBD из карбида кремния

Мы предоставляем всеобъемлющую техническую поддержку и сервис для наших продуктов СБД из карбида кремния.Наша команда высококвалифицированных инженеров готовы помочь вам с любыми техническими вопросами или запросами, которые у вас могут бытьМы можем предоставить подробную документацию, техническую поддержку и помощь в устранении любых проблем, которые могут возникнуть.

Наш персонал обслуживания клиентов доступен 24 часа в сутки, чтобы ответить на любые вопросы или вопросы, которые у вас могут возникнуть.предоставлять консультации по установке и обслуживанию, и ответить на любые вопросы, которые у вас могут возникнуть о наших продуктах СБД из карбида кремния.

Мы стремимся обеспечить высочайшее качество обслуживания и поддержки для наших клиентов.Мы стремимся убедиться, что ваш опыт с нашей Кремниевого карбида SBD продуктов является как можно более плавным и без проблем.

 

Упаковка и перевозка:

Продукты Silicon Carbide SBD упаковываются и отправляются безопасным образом.Затем упаковка запечатывается и завертывается защитным материалом, чтобы обеспечить безопасное ее прибытие..

Все посылки отслеживаются и застрахованы для максимальной безопасности и спокойствия.Отчисления за доставку могут варьироваться в зависимости от веса и пункта назначения.

 

Часто задаваемые вопросы

Вопрос 1: Что такое Кремниевый карбид SBD?
A1: Силиконовый карбид SBD - это высококачественный полупроводниковый субстрат от REASUNOS, с местом происхождения в Гуандун, Китай.
Вопрос 2: Какова цена на Кремниевый карбид SBD?
A2: Цена на Кремниевый карбид SBD зависит от продукта, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.
Вопрос 3: Как упаковывается СБД из карбида кремния?
A3: Силиконовый карбид SBD упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
Вопрос 4: Сколько длится срок доставки СБД карбида кремния?
Ответ: Время доставки СБД карбида кремния зависит от общего количества. Обычно это занимает 2-30 дней.
Q5: Каковы условия оплаты Silicon Carbide SBD?
A5: Условия оплаты Silicon Carbide SBD составляют 100% T/T заранее ((EXW).
Бирки:

Силициевый шотткийский барьерный ректификатор диод

Многофункциональный супербарьерный диод

Силиконовый карбид SBD Практический