Inverter Diodo de barreira durável SiC Schottky, Resistência ao calor Mosfet SBD
Lugar de origem | Guangdong, NC |
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Marca | REASUNOS |
Preço | Confirm price based on product |
Detalhes da embalagem | Embalagem tubular à prova de pó, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de pap |
Tempo de entrega | 2-30 dias (depende da quantidade total) |
Termos de pagamento | 100% T/T adiantado (EXW) |
Habilidade da fonte | 5KK/mês |

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xResistência ao calor | Resistência de alta temperatura | Vantagens | Baseado na linha de produção do padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiá |
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Aplicação | Circuito PFC, inversor DC/AC para geração de energia solar e eólica, fonte de alimentação UPS, motor | eficiência | Eficiência elevada |
Frequência | De alta frequência | Materiais | Carbono de silício |
Tipo de dispositivo | Dispositivos discretos do poder | Características | Corrente de recuperação reversa extremamente baixa, forte capacidade de corrente anti-surge |
Destacar | Diodo de barreira de Schottky,Diodo de barreira SiC Schottky durável,Resistência ao calor Mosfet SBD |
No. | Part No. | VF(V)Typ (TA=25℃) | IF(A)TC=145℃(TA=25℃) | Typ IR(µA)(TA=25℃) | VR(V)(TA=25℃) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSS04065D | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-252 | 2500 | |
2 | RSS04065G | 1.4 | 4 | 1 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
3 | RSS04065A | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
4 | RSS04065B | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
5 | RSS06065D | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-252 | 2500 | |
6 | RSS06065G | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
7 | RSS06065R | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
8 | RSS06065S | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-263 | 800 | |
9 | RSS06065A | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
10 | RSS06065B | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
11 | RSS08065D | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-252 | 2500 | |
12 | RSS08065G | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
13 | RSS08065R | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
14 | RSS08065S | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-263 | 800 | |
15 | RSS08065A | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
16 | RSS08065B | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
17 | RSS10065D | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-252 | 2500 | |
18 | RSS10065R | 1.37 | 10 | 5 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
19 | RSS10065S | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-263 | 800 | |
20 | RSS10065A | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
21 | RSS10065B | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
22 | RSS15065A | 1.4 | 15 | 2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
23 | RSS20065A | 1.35 | 20 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
24 | RSS20065W | 1.45 | 20 | 5 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
25 | RSS20065K | 1.37 | 20 | 5 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
26 | RSS30065W | 1.5 | 30 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
27 | RSS30065K | 1.4 | 30 | 1 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
28 | RSS40065K | 1.35 | 40 | 6 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
29 | RSS50065W | 1.5 | 50 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
30 | RSS60065K | 1.5 | 60 | 2 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
31 | RSS02120D | 1.38 | 2 | 1 | 1200 | TO-252 | 2500 | |
32 | RSS10120A | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-220-2L | 1000 | |
33 | RSS10120W | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
34 | RSS15120W | 1.55 | 15 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
35 | RSS20120W | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
36 | RSS20120K | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
37 | RSS30120W | 1.5 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
38 | RSS30120K | 1.55 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
39 | RSS40120K | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
40 | RSS40120W | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
41 | RSS50120W | 1.4 | 50 | 30 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
42 | RSS25170W | 1.55 | 25 | 5 | 1700 | TO-247-2L | 600 | |
43 | RSS10200W | 1.45 | 10 | 8 | 2000 | TO-247-2L | 600 |
Dispositivos discretos de potência SBD de carburo de silício baseado na linha de produção padrão militar nacional
Descrição do produto:
Os diodos de barreira de carburo de silício (SiC SBD) são dispositivos discretos de potência com corrente de recuperação reversa extremamente baixa e forte capacidade de corrente antialteração.Estes dispositivos podem funcionar de forma estável em condições de alta temperatura e são utilizados principalmente em circuitos PFC, inversores DC/AC para geração de energia solar e eólica, fontes de alimentação UPS, condutores de motor, etc. Com as excelentes características do Diodo Rectificador de Barreira de Carbono de Silício Schottky (SiC SBD),Pode proporcionar uma melhor eficiência de conversão de energia, velocidade de comutação rápida e estabilidade de temperatura mais elevada.a resistência à alta temperatura do diodo de barreira de carburo de silício (SiC SBD) pode garantir a segurança e a fiabilidade do dispositivo em condições de temperatura extrema, tornando-a uma escolha ideal para aplicações em ambientes adversos.
Parâmetros técnicos:
Imóveis | Descrição |
---|---|
Materiais | Carbono de silício |
Aplicação | Circuito PFC, inversor DC/AC para geração de energia solar e eólica, fonte de alimentação UPS, motorista, etc. |
Nome do produto | Diodo Schottky de Carbono de Silício, SBD de Carbono de Silício, Diodo de barreira de Carbono de Silício |
Frequência | Frequência elevada |
Resistência ao calor | Resistência a altas temperaturas |
Tipo de dispositivo | Dispositivos discretos de energia |
Eficiência | Eficiência elevada |
Características | Corrente de recuperação reversa extremamente baixa, forte capacidade de corrente anti-surge |
Potência | Alto Poder |
Vantagens | Baseado na linha de produção padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiável |
Aplicações:
O Diodo Schottky de Carbono de Silício, comumente conhecido como Sic SBD, é fabricado pela REASUNOS e é amplamente usado em aplicações de eletrônica de potência devido ao seu alto desempenho de potência.É feito de um material chamado carburo de silício, que é um composto de silício e carbono, e tem propriedades superiores ao silício, como maior potência e melhor condutividade térmica.Isto faz com que seja uma ótima escolha para aplicações que exigem alta potênciaTambém é usado em dispositivos discretos de potência e pode ser encontrado em muitos equipamentos industriais e produtos eletrônicos.Graças à sua qualidade confiável e processo estável da linha de produção militar nacional padrão, o REASUNOS Silicon Carbide SBD é amplamente reconhecido e aceito na indústria.
O REASUNOS Silicon Carbide SBD é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas e colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.e o prazo de entrega dura tipicamente de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade totalOs termos de pagamento são 100% T/T antecipadamente (EXW).
Apoio e Serviços:
A Silicon Carbide SBD fornece uma ampla gama de suporte técnico e serviços para garantir que seu produto funcione sem problemas e com eficiência.A nossa equipa de apoio técnico está disponível 24 horas por dia, 7 dias por semana, para responder a quaisquer perguntas que possam ter.Também oferecemos uma variedade de serviços para ajudá-lo a otimizar seu produto, incluindo solução de problemas, instalação e manutenção.Os nossos especialistas experientes podem ajudá-lo com quaisquer necessidades de personalização que possa terSe precisar de mais assistência, a nossa equipa está mais do que feliz em fornecê-la.
Embalagem e transporte:
Embalagem e transporte do SBD de carburo de silício:
Cada SBD de Carbono de Silício é embalado e enviado em uma caixa separada. A caixa contém o produto e um conjunto de instruções.A caixa é então colocada numa caixa maior com um material de embalagem para protegê-la de qualquer dano durante o transporteA caixa maior é então selada e rotulada com as especificações do produto e o endereço do destinatário.