Invertitore Diodo di barriera SiC Schottky resistente al calore Mosfet SBD
Luogo di origine | Guangdong, CN |
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Marca | REASUNOS |
Prezzo | Confirm price based on product |
Imballaggi particolari | Imballaggio tubolare antirughe, antirughe e antistatiche, collocato in una scatola di cartone in car |
Tempi di consegna | 2-30 giorni (a seconda della quantità totale) |
Termini di pagamento | 100% T/T in anticipo (EXW) |
Capacità di alimentazione | 5KK/mese |

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xResistenza al calore | Resistenza ad alta temperatura | Vantaggi | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
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Applicazione | Circuito PFC, inverter CC/AC per la generazione di energia solare ed eolica, alimentatore UPS, motor | efficienza | Alta efficienza |
Frequenza | Ad alta frequenza | Materiale | Carburo di silicio |
Tipo di dispositivo | Dispositivi discreti di potere | Caratteristiche | Corrente di recupero inverso estremamente bassa, forte capacità di corrente anti-surge |
Evidenziare | Diodo di barriera di Schottky,Diodo di barriera SiC Schottky resistente,Resistenza al calore Mosfet SBD |
No. | Part No. | VF(V)Typ (TA=25℃) | IF(A)TC=145℃(TA=25℃) | Typ IR(µA)(TA=25℃) | VR(V)(TA=25℃) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSS04065D | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-252 | 2500 | |
2 | RSS04065G | 1.4 | 4 | 1 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
3 | RSS04065A | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
4 | RSS04065B | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
5 | RSS06065D | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-252 | 2500 | |
6 | RSS06065G | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
7 | RSS06065R | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
8 | RSS06065S | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-263 | 800 | |
9 | RSS06065A | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
10 | RSS06065B | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
11 | RSS08065D | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-252 | 2500 | |
12 | RSS08065G | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
13 | RSS08065R | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
14 | RSS08065S | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-263 | 800 | |
15 | RSS08065A | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
16 | RSS08065B | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
17 | RSS10065D | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-252 | 2500 | |
18 | RSS10065R | 1.37 | 10 | 5 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
19 | RSS10065S | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-263 | 800 | |
20 | RSS10065A | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
21 | RSS10065B | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
22 | RSS15065A | 1.4 | 15 | 2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
23 | RSS20065A | 1.35 | 20 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
24 | RSS20065W | 1.45 | 20 | 5 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
25 | RSS20065K | 1.37 | 20 | 5 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
26 | RSS30065W | 1.5 | 30 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
27 | RSS30065K | 1.4 | 30 | 1 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
28 | RSS40065K | 1.35 | 40 | 6 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
29 | RSS50065W | 1.5 | 50 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
30 | RSS60065K | 1.5 | 60 | 2 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
31 | RSS02120D | 1.38 | 2 | 1 | 1200 | TO-252 | 2500 | |
32 | RSS10120A | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-220-2L | 1000 | |
33 | RSS10120W | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
34 | RSS15120W | 1.55 | 15 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
35 | RSS20120W | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
36 | RSS20120K | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
37 | RSS30120W | 1.5 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
38 | RSS30120K | 1.55 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
39 | RSS40120K | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
40 | RSS40120W | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
41 | RSS50120W | 1.4 | 50 | 30 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
42 | RSS25170W | 1.55 | 25 | 5 | 1700 | TO-247-2L | 600 | |
43 | RSS10200W | 1.45 | 10 | 8 | 2000 | TO-247-2L | 600 |
Dispositivi discreti di potenza SBD in carburo di silicio basato sulla linea di produzione nazionale di standard militare
Descrizione del prodotto:
I diodi di barriera al carburo di silicio (SiC SBD) sono dispositivi discreti di potenza con corrente di recupero inversa estremamente bassa e una forte capacità di corrente anti-surge.Questi dispositivi possono funzionare in modo stabile in condizioni di alta temperatura e sono utilizzati principalmente nei circuiti PFC, inverter CC/AC per la generazione di energia solare ed eolica, alimentatori UPS, driver di motore, ecc. Con le eccellenti caratteristiche del diodo rettificatore di barriera del carburo di silicio Schottky (SiC SBD),può fornire una migliore efficienza di conversione di potenza, velocità di commutazione rapida e stabilità a temperatura superiore.la resistenza alle alte temperature del diodo barriera al carburo di silicio (SiC SBD) può garantire la sicurezza e l'affidabilità del dispositivo in condizioni di temperatura estrema, che lo rende una scelta ideale per applicazioni in ambienti difficili.
Parametri tecnici:
Immobili | Descrizione |
---|---|
Materiale | Carburo di silicio |
Applicazione | Circuito PFC, inverter CC/AC per la generazione di energia solare ed eolica, alimentatore UPS, motore, ecc. |
Nome del prodotto | Diodo di Schottky al carburo di silicio, SBD al carburo di silicio, diodo di barriera al carburo di silicio |
Frequenza | Alta frequenza |
Resistenza al calore | Resistenza alle alte temperature |
Tipo di dispositivo | Dispositivi discreti di potenza |
Efficienza | Alta efficienza |
Caratteristiche | Corrente di recupero inverso estremamente bassa, forte capacità di corrente anti-surge |
Potenza | Potere elevato |
Vantaggi | Sulla base della linea di produzione standard militare nazionale, il processo è stabile e la qualità è affidabile |
Applicazioni:
Il diodo Schottky al carburo di silicio, comunemente noto come Sic SBD, è prodotto da REASUNOS ed è ampiamente utilizzato in applicazioni di elettronica di potenza a causa delle sue elevate prestazioni di potenza.E' fatto di un materiale chiamato carburo di silicio, che è un composto di silicio e carbonio, e ha proprietà superiori al silicio come una maggiore potenza e una migliore conduttività termica.Questo lo rende un'ottima scelta per le applicazioni che richiedono un'elevata potenzaÈ utilizzato anche in dispositivi discreti di potenza e può essere trovato in molte apparecchiature industriali e prodotti elettronici.Grazie alla sua affidabile qualità e al processo stabile della linea di produzione militare nazionale, REASUNOS Silicon Carbide SBD è ampiamente riconosciuto e accettato nel settore.
REASUNOS Silicon Carbide SBD è confezionato in un imballaggio tubulare antipolvere, impermeabile e antistatico e collocato all'interno di una scatola di cartone in cartoni.e il tempo di consegna in genere va da 2 a 30 giorni a seconda della quantità totaleLe condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW).
Supporto e servizi:
La Silicon Carbide SBD fornisce una vasta gamma di supporto tecnico e servizi per garantire che il prodotto funzioni senza intoppi ed in modo efficiente.Il nostro team di supporto tecnico è disponibile 24 ore su 24, 7 giorni su 7 per rispondere a qualsiasi domanda.. Offriamo anche una varietà di servizi per aiutarti nell'ottimizzazione del tuo prodotto, tra cui risoluzione dei problemi, installazione e manutenzione.I nostri esperti esperti possono aiutarvi con qualsiasi necessità di personalizzazione che potreste avereSe avete bisogno di ulteriore assistenza, il nostro team è più che felice di fornirvela.
Imballaggio e trasporto:
Imballaggio e spedizione del carburo di silicio:
Ogni SBD è confezionato e spedito in una scatola separata. La scatola contiene il prodotto e una serie di istruzioni.La scatola viene quindi collocata in una scatola più grande con un materiale di imballaggio per proteggerla da eventuali danni durante il trasportoLa scatola più grande viene quindi sigillata ed etichettata con le specifiche del prodotto e l'indirizzo del destinatario.