Invertisseur Diode de barrière durable SiC Schottky, résistance à la chaleur Mosfet SBD
Lieu d'origine | Guangdong, NC |
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Nom de marque | REASUNOS |
Prix | Confirm price based on product |
Détails d'emballage | Emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en cart |
Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |

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xRésistance à la chaleur | Résistance à hautes températures | Avantages | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
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Application du projet | Circuit PFC, Invertisseur CC/AC pour la production d'énergie solaire et éolienne, alimentation UPS, | l'efficacité | Rendement élevé |
Fréquence | À haute fréquence | Matériel | Carbure de silicium |
Type de dispositif | Dispositifs discrets de puissance | Caractéristiques | Extrêmement faible courant de récupération inverse, forte capacité de courant anti-surge |
Mettre en évidence | Diode de barrière Schottky SiC à onduleur,Diode de barrière SiC Schottky résistante,Résistance thermique Mosfet SBD |
No. | Part No. | VF(V)Typ (TA=25℃) | IF(A)TC=145℃(TA=25℃) | Typ IR(µA)(TA=25℃) | VR(V)(TA=25℃) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSS04065D | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-252 | 2500 | |
2 | RSS04065G | 1.4 | 4 | 1 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
3 | RSS04065A | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
4 | RSS04065B | 1.4 | 4 | 1 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
5 | RSS06065D | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-252 | 2500 | |
6 | RSS06065G | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
7 | RSS06065R | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
8 | RSS06065S | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-263 | 800 | |
9 | RSS06065A | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
10 | RSS06065B | 1.36 | 6 | 1.2 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
11 | RSS08065D | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-252 | 2500 | |
12 | RSS08065G | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN5*6 | 5000 | |
13 | RSS08065R | 1.39 | 8 | 6 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
14 | RSS08065S | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-263 | 800 | |
15 | RSS08065A | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
16 | RSS08065B | 1.39 | 8 | 6 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
17 | RSS10065D | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-252 | 2500 | |
18 | RSS10065R | 1.37 | 10 | 5 | 650 | DFN8*8 | 260 | |
19 | RSS10065S | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-263 | 800 | |
20 | RSS10065A | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
21 | RSS10065B | 1.37 | 10 | 5 | 650 | TO-220Internal insulation | 1000 | |
22 | RSS15065A | 1.4 | 15 | 2 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
23 | RSS20065A | 1.35 | 20 | 6 | 650 | TO-220-2L | 1000 | |
24 | RSS20065W | 1.45 | 20 | 5 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
25 | RSS20065K | 1.37 | 20 | 5 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
26 | RSS30065W | 1.5 | 30 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
27 | RSS30065K | 1.4 | 30 | 1 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
28 | RSS40065K | 1.35 | 40 | 6 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
29 | RSS50065W | 1.5 | 50 | 2 | 650 | TO-247-2L | 600 | |
30 | RSS60065K | 1.5 | 60 | 2 | 650 | TO-247-3L | 600 | |
31 | RSS02120D | 1.38 | 2 | 1 | 1200 | TO-252 | 2500 | |
32 | RSS10120A | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-220-2L | 1000 | |
33 | RSS10120W | 1.43 | 10 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
34 | RSS15120W | 1.55 | 15 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
35 | RSS20120W | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
36 | RSS20120K | 1.45 | 20 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
37 | RSS30120W | 1.5 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
38 | RSS30120K | 1.55 | 30 | 5 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
39 | RSS40120K | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-3L | 600 | |
40 | RSS40120W | 1.45 | 40 | 2 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
41 | RSS50120W | 1.4 | 50 | 30 | 1200 | TO-247-2L | 600 | |
42 | RSS25170W | 1.55 | 25 | 5 | 1700 | TO-247-2L | 600 | |
43 | RSS10200W | 1.45 | 10 | 8 | 2000 | TO-247-2L | 600 |
Dispositifs discrets de puissance Le carbure de silicium SBD basé sur la ligne de production de la norme militaire nationale
Description du produit:
Les diodes de barrière au carbure de silicium (SiC SBD) sont des dispositifs discrets de puissance avec un courant de récupération inverse extrêmement faible et une forte capacité de courant anti-surge.Ces dispositifs peuvent fonctionner de manière stable dans des conditions de température élevée et sont principalement utilisés dans les circuits PFC, les onduleurs CC/AC pour la production d'énergie solaire et éolienne, les sources d'alimentation UPS, les moteurs, etc. Avec les excellentes caractéristiques du diode rectificateur à barrière de silicone au carbure de Schottky (SiC SBD),il peut fournir une meilleure efficacité de conversion de puissance, une vitesse de commutation rapide et une stabilité à température plus élevée.la résistance à haute température de la diode de barrière au carbure de silicium (SiC SBD) peut assurer la sécurité et la fiabilité du dispositif dans des conditions de température extrêmes, ce qui en fait un choix idéal pour des applications dans des environnements difficiles.
Paramètres techniques:
Les biens immobiliers | Définition |
---|---|
Matériel | Carbure de silicium |
Application du projet | Circuit PFC, Invertisseur CC/AC pour la production d'énergie solaire et éolienne, alimentation UPS, pilote de moteur, etc. |
Nom du produit | Diode de Schottky au carbure de silicium, SBD au carbure de silicium, diode barrière au carbure de silicium |
Fréquence | Fréquence élevée |
Résistance à la chaleur | Résistance aux températures élevées |
Type de dispositif | Dispositifs discrets en puissance |
Efficacité | Haute efficacité |
Caractéristiques | Extrêmement faible courant de récupération inverse, forte capacité de courant anti-surge |
Le pouvoir | Le pouvoir suprême |
Les avantages | Basé sur la ligne de production militaire nationale, le processus est stable et la qualité est fiable |
Applications:
La diode Schottky au carbure de silicium, communément appelée Sic SBD, est fabriquée par REASUNOS et est largement utilisée dans les applications d'électronique de puissance en raison de ses performances de puissance élevées.Il est fait d'un matériau appelé carbure de silicium, qui est un composé de silicium et de carbone, et possède des propriétés supérieures au silicium telles qu'une puissance plus élevée et une meilleure conductivité thermique.Cela en fait un excellent choix pour les applications qui nécessitent une puissance élevéeIl est également utilisé dans les dispositifs discrets de puissance et peut être trouvé dans de nombreux équipements industriels et produits électroniques.Grâce à sa qualité fiable et à son processus stable de la ligne de production militaire nationale, REASUNOS Silicon Carbide SBD est largement reconnu et accepté dans l'industrie.
REASUNOS Silicon Carbide SBD est emballé dans un emballage tubulaire anti-poussière, imperméable à l'eau et antistatique et placé dans une boîte en carton dans des cartons.et le délai de livraison est généralement de 2 à 30 jours selon la quantité totaleLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).
Assistance et services:
Silicon Carbide SBD fournit un large éventail de services et de support technique pour assurer le bon fonctionnement de votre produit.Notre équipe d'assistance technique est disponible 24h/24 et 7j/7 pour répondre à toutes vos questions.Nous offrons également une variété de services pour vous aider à optimiser votre produit, y compris le dépannage, l'installation et la maintenance.Nos spécialistes expérimentés peuvent vous aider avec tous les besoins de personnalisation que vous pourriez avoirSi vous avez besoin de plus d'assistance, notre équipe est plus qu'heureuse de vous l'apporter.
Emballage et expédition
Emballage et expédition du SBD au carbure de silicium:
Chaque SBD en carbure de silicium est emballé et expédié dans une boîte séparée. La boîte contient le produit et un ensemble d'instructions. La boîte est ensuite scellée et étiquetée avec les spécifications du produit.La boîte est ensuite placée dans une boîte plus grande avec un matériau d'emballage pour la protéger de tout dommage pendant le transport.La boîte plus grande est alors scellée et étiquetée avec les spécifications du produit et l'adresse du destinataire.