Wszystkie produkty
Osoba kontaktowa : Anita Yin
Numer telefonu : +86 13712219843
WhatsApp : 8613712219843

Inwerter Trwałe Diody barierowe SiC Schottky, Odporność cieplna Mosfet SBD

  • Inverter Durable SiC Schottky Barrier Diode , Heat Resistance Mosfet SBD
Miejsce pochodzenia Guangdong, CN
Nazwa handlowa REASUNOS
Cena Confirm price based on product
Szczegóły pakowania Pyłoszczelne, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczane wewnątrz kartonu w kartonac
Czas dostawy 2-30 dni (w zależności od całkowitej ilości)
Zasady płatności 100% T/T z góry (EXW)
Możliwość Supply 5KK/miesiąc

Skontaktuj się ze mną, aby otrzymać bezpłatne próbki i kupony.

WhatsApp:0086 18588475571

czat: 0086 18588475571

Skype'a: sales10@aixton.com

W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.

x
Szczegóły Produktu
Wytrzymałość cieplna Odporność na wysoką temperaturę Zalety W oparciu o linię produkcyjną krajowego standardu wojskowego proces jest stabilny, a jakość niezawod
Zastosowanie Obwód PFC, falownik DC/AC do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacz UPS, sterownik sil wydajność Wysoka wydajność
Częstotliwość Wysoka częstotliwość Materiał Węglik krzemu
Rodzaj urządzenia Zasilanie urządzeń dyskretnych Charakterystyka Niezwykle niski prąd odzyskiwania wstecznego, silna zdolność przeciwprzepięciowa
Podkreślić

Inwerter SiC Schottky Barrier Diode

,

Wytrzymały diodę barierową SiC Schottky

,

Odporność cieplna Mosfet SBD
Możesz zaznaczyć potrzebne produkty i komunikować się z nami na tablicy ogłoszeń.
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
Zostaw wiadomość
No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
opis produktu

Urządzenia dyskretne mocy węglowodorów krzemowych SBD oparte na krajowej linii produkcyjnej standardu wojskowego

Opis produktu:

Diody barierowe z węglanu krzemowego (SiC SBD) to urządzenia dyskretne w zakresie mocy o niezwykle niskim prądzie odzysku i silnej zdolności przeciwprądowej.Urządzenia te mogą pracować stabilnie w warunkach wysokiej temperatury i są głównie stosowane w obwodach PFC, Inwertery prądu stałego/przełączonego do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacze UPS, sterowniki silników itp.może zapewnić lepszą wydajność konwersji mocy, szybka prędkość przełączania i większa stabilność temperatury.wysokiej odporności na temperaturę diody barierowej węglanu krzemowego (SiC SBD) może zapewnić bezpieczeństwo i niezawodność urządzenia w ekstremalnych warunkach temperatury, co czyni go idealnym wyborem do zastosowań w trudnych warunkach.

 

Parametry techniczne:

Nieruchomości Opis
Materiał Karbyd krzemowy
Zastosowanie Obwód PFC, Inwerter prądu stałego/przechodzącego do wytwarzania energii słonecznej i wiatrowej, zasilacz UPS, sterownik silnika itp.
Nazwa produktu Diodę Schottky'ego, SBD i barierową diodę
Częstotliwość Wysoka częstotliwość
Odporność na ciepło Odporność na wysokie temperatury
Rodzaj urządzenia Urządzenia dyskretne
Efektywność Wysoka wydajność
Charakterystyka Niezwykle niski prąd odwrotnego odzysku, silna zdolność prądu przeciwprężnego
Władza Wysoka moc
Zalety Proces jest stabilny, a jakość niezawodna.
 

Zastosowanie:

Dioda Schottky, powszechnie znana jako Sic SBD, jest produkowana przez REASUNOS i jest szeroko stosowana w elektronikach mocy ze względu na wysoką wydajność.Jest wykonana z materiału zwanego węglem krzemowym, który jest związkiem krzemu i węgla i ma lepsze właściwości niż krzemu, takie jak wyższa moc i lepsza przewodność cieplna.Dzięki temu jest doskonałym wyborem dla zastosowań wymagających dużej mocyJest również stosowany w urządzeniach dyskretnych mocy i można go znaleźć w wielu urządzeniach przemysłowych i produktach elektronicznych.Dzięki niezawodnej jakości i stabilnemu procesowi z krajowej linii produkcyjnej wojskowej, REASUNOS Silicon Carbide SBD jest powszechnie uznawany i akceptowany w branży.

REASUNOS Silicon Carbide SBD jest pakowany w nieprzepuszczalny, wodoodporny i antystatyczny opakowanie rurowe i umieszczony w pudełku kartonowym w kartonach.a czas dostawy trwa zazwyczaj od 2 do 30 dni w zależności od całkowitej ilościWarunki płatności są 100% T/T z góry (EXW).

 

Wsparcie i usługi:

Silicon Carbide SBD zapewnia szeroki zakres wsparcia technicznego i usług, aby zapewnić płynne i wydajne działanie produktu.Nasz zespół wsparcia technicznego jest dostępny 24/7 aby odpowiedzieć na wszelkie pytaniaOferujemy również różnorodne usługi, które pomogą Ci zoptymalizować produkt, w tym rozwiązywanie problemów, instalację i konserwację.nasi doświadczeni specjaliści mogą pomóc w każdej potrzebie dostosowaniaJeśli potrzebujesz dalszej pomocy, nasz zespół z chęcią ci ją zapewni.

 

Opakowanie i wysyłka:

Opakowanie i wysyłka SBD z węglem krzemowym:

Każdy SBD z węglem krzemowym jest pakowany i wysyłany w osobnym pudełku.Następnie pudełko umieszcza się w większym pudełku z materiałem opakowaniowym, aby chronić je przed uszkodzeniami podczas transportuNastępnie większe pudełko jest zapieczętowane i oznaczone specyfikacją produktu oraz adresem odbiorcy.

 

Częste pytania:

P1: Co to jest SBD z węglanu krzemowego?A1: Karbid krzemowy SBD jest materiałem półprzewodnikowym wytwarzanym przez REASUNOS, pod marką REASUNOS, z siedzibą w Guangdong w Chinach.
P2: Jaka jest cena SBD z węglem krzemowym?A2: Cena SBD z węglem krzemowym zależy od produktu, prosimy o kontakt w celu uzyskania dalszych informacji.
P3: Jak opakowany jest silikonowy węglik SBD?A3: SBD z węglem krzemowym jest pakowany w odparowane od pyłu, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczone w kartonowym pudełku w kartonach.
P4: Jak długi jest czas dostawy dla SBD z węglem krzemowym?Odpowiedź: Czas dostawy SBD z węglem krzemowym wynosi 2-30 dni, w zależności od całkowitej ilości.
P5: Jakie są warunki płatności za SBD z węglem krzemowym?Odpowiedź: Warunki płatności za SBD z węglem krzemowym wynoszą 100% T/T z góry (EXW).
tagi:

Dioda naprawcza bariery krzemowej Schottky'ego

Wielofunkcyjna superdioda barierowa

SBD węglika krzemowego praktyczne