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Schlüsselwörter [ n channel high power mosfet ] Spiel 48 produits.
UPS-Hochleistungs-Halbleiter mit hohem Temperaturwiderstand
Antisurge-Strom: | Stärkung der Leistungsfähigkeit des Überspannungstroms |
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Häufigkeit: | Hochfrequenz |
Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
Effiziente Halbleiter mit hoher Leistung
RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |
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Anwendung: | Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Umrichter, Motorantrieb, UPS, Schaltanlage, Umrichter, UPS, Moto |
Häufigkeit: | Hochfrequenz |
300V 600V Hochspannung N-Kanal Mosfet, Industrieller Hochspannungstransistor
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
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Typ: | N |
Technologie: | MOSFET |
Solar-Inverter Siliziumkarbid MOSFET N-Kanal für Industrie
Einheitentyp: | MOSFET |
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Häufigkeit: | Hochfrequenz |
Widerstand: | Geringer Widerstand |
Anti-Surge Super Junction Mos, praktischer N-Kanal Metalloxid Halbleiter
Anwendung: | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
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Typ: | N |
Kapazitanz: | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
300V 500V Hochspannungs-MOSFET-N-Kanal für industrielle Anwendungen
Typ: | N |
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Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg: | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
Technologie: | MOSFET |
Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET, langlebige Niedrigleistung N-Kanal-Mosfet
Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
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Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
650V Siliziumkarbid-Leistung Mosfet Multifunktions-Dauerhaft N-Kanal
Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
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Widerstand: | Geringer Widerstand |
Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Schnellladende Niederspannungs-MOSFET N-Kanal Mehrzweck für Motorfahrer
Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
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EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Dauerhafte Superjunction Power Mosfet, Überspannungshemmung N-Kanal Mosfet
Kapazitanz: | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
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Paket: | Ultra Päckchen |
Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |