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Schlüsselwörter [ n channel high power mosfet ] Spiel 57 produits.
Automobilmedizinische Hochleistungs-MOSFET Militärstandard Niedrig Widerstand
| Einheitentyp: | MOSFET |
|---|---|
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
| Produktbezeichnung: | MOSFET der hohen Leistung |
High Power MOSFET Stable Process voltage DC/DC Converter MOSFET High Power DC/DC Converter voltage Stable Process
| Advantages: | Based On The National Military Standard Production Line, The Process Is Stable And The Quality Is Reliable |
|---|---|
| Device Type: | MOSFET |
| Resistance: | Low On Resistance |
Beleuchtung Stabil Hochleistungs-MOSFET-Multiscene Hochgeschwindigkeitsschalter
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
|---|---|
| Einheitentyp: | MOSFET |
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
Hochleistungs-MOSFET mit hoher Frequenz
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
|---|---|
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Solarumrichter Hochleistungs-MOSFET Militärstandard Stabile hohe Frequenz
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
|---|---|
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
| Einheitentyp: | MOSFET |
N-Kanal Siliziumkarbid MOSFET Mehrzweck für Motorfahrer
| Typ: | N |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
Anti-EMI Superjunction Power Mosfet, praktische N-Kanal-Leistungs-Mosfet
| Kapazitanz: | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
|---|---|
| Paket: | Ultra Päckchen |
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
Mehrzweck-Niedrigleistungsmosfetten, N-Kanal-Mosfet Niedrigspannungsschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
N-Kanal-Super-Junction MOSFET Multifunktionales für die UPS-Stromversorgung
| Typ: | N |
|---|---|
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
N-Kanal Niederspannungs-MOSFET Stabil hoher EAS für Gleichspannungs-Gleichspannungswandler
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |