Tất cả sản phẩm
Kewords [ n channel high power mosfet ] trận đấu 48 các sản phẩm.
UPS bán dẫn công suất cao với quá trình ổn định chống nhiệt độ cao
| Chống đột biến hiện tại: | Srtong Khả năng chống đột biến hiện tại |
|---|---|
| Tần số: | Tân sô cao |
| Đảo ngược phục hồi hiện tại: | Dòng phục hồi ngược cực thấp |
Hiệu quả cao công suất bán dẫn Low Rds ON cho công nghiệp
| RDS(bật): | Đường thấp (BẬT) |
|---|---|
| Ứng dụng: | Máy biến đổi năng lượng mặt trời, Máy chuyển đổi DC / DC điện áp cao, Máy điều khiển động cơ, UPS, C |
| Tần số: | Tân sô cao |
300V 600V Điện áp cao N Channel Mosfet, Công nghiệp Điện áp cao Power Transistor
| Ứng dụng MOSFET FRD HV nhúng: | Dòng động cơ, Biến tần, Ứng dụng mạch nửa cầu/toàn cầu, v.v. |
|---|---|
| Loại: | N |
| Công nghệ: | MOSFET |
Mặt trời Inverter Silicon Carbide MOSFET kênh N cho công nghiệp
| Loại thiết bị: | MOSFET |
|---|---|
| Tính thường xuyên: | Tân sô cao |
| Sức chống cự: | Mức kháng cự thấp |
Anti Surge Super Junction Mos, Chất bán dẫn oxit kim loại kênh N thực tế
| Ứng dụng: | Trình điều khiển LED, Mạch PFC, Bộ nguồn chuyển mạch, UPS của hệ thống cung cấp điện liên tục, Thiết |
|---|---|
| Loại: | N |
| điện dung: | Điện dung tiếp giáp cực thấp |
300V 500V MOSFET điện áp cao kênh N cho ứng dụng công nghiệp
| Loại: | N |
|---|---|
| Ứng dụng MOSFET siêu HV: | Đồng hồ thông minh, Nguồn điện tủ, Nguồn điện chuyển mạch công nghiệp, Hệ thống điện, v.v. |
| Công nghệ: | MOSFET |
đa năng điện áp thấp FET, bền điện thấp N kênh Mosfet
| Sức chống cự: | Đường thấp (BẬT) |
|---|---|
| Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
| Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
650V Silicon Carbide Power Mosfet đa chức năng bền N Channel
| Ứng dụng: | Biến tần năng lượng mặt trời, Bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, Trình điều khiển động cơ, Bộ nguồn UP |
|---|---|
| Sức chống cự: | Mức kháng cự thấp |
| hiệu quả: | Hiệu quả cao |
Sạc nhanh MOSFET điện áp thấp N kênh đa năng cho tài xế xe máy
| Sự tiêu thụ năng lượng: | Mất điện thấp |
|---|---|
| Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
| Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
Chất lượng siêu kết nối bền Mosfet, chống sóng N Channel Mosfet
| điện dung: | Điện dung tiếp giáp cực thấp |
|---|---|
| gói: | Gói siêu nhỏ |
| Loại thiết bị: | Thiết bị rời điện |