Multipurpose SBD Mosfet, langlebiger Oberflächen-Mount Schottky Barrier Rectifier

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Eigenschaften Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung Häufigkeit Hochfrequenz
Material Siliziumkarbid Produktbezeichnung Silikonkarbid SBD/Sic SBD
Wärmebeständigkeit Widerstand der hohen Temperatur Macht Hohe Leistung
Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit
Hervorheben

Mehrzweck-SBD Mosfet

,

Oberflächenberg SBD Mosfet

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Dauerhafte Oberflächen-Schottky-Barriere-Rectifier

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No. Part No. VF(V)Typ (TA=25℃) IF(A)TC=145℃(TA=25℃) Typ IR(µA)(TA=25℃) VR(V)(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
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No. Part No. VF(V)Typ (TA=25℃) IF(A)TC=145℃(TA=25℃) Typ IR(µA)(TA=25℃) VR(V)(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Silicon Carbide SBD (auch bekannt als Silicon Carbide Schottky Rectifier Diode oder Silicon Carbide Schottky Diode) ist ein leistungsdiskretes Gerät aus Silicon Carbide Material.Es verfügt über einen extrem niedrigen RückwärtsstromDies macht es ideal für den Einsatz in Leistungselektronik-Anwendungen.

Die Silicon Carbide SBD hat einen Temperaturkoeffizienten von -2mV/K, eine maximale Betriebstemperatur der Verbindung von 175°C und eine Umkehrspannung von bis zu 650V.Es bietet auch eine geringe Kapazität und einen geringen On-State-Widerstand für schnelleres Schalten und eine höhere LeistungsdichteDas Gerät ist außerdem sehr zuverlässig und bietet eine ausgezeichnete thermische Stabilität.

Das Silicon Carbide SBD hat eine breite Palette von Anwendungen in der Leistungselektronik, einschließlich Solarstromsysteme, Hybrid-Elektrofahrzeuge, Motorsteuerung, Stromversorgungen und Energiespeichersysteme.Es kann auch in Industrie- und Verbraucherelektronik verwendet werden.

Technische Parameter:

Parameter Einzelheiten
Wärmebeständigkeit Hochtemperaturbeständigkeit
Macht Hohe Macht
Häufigkeit Hochfrequenz
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Eigenschaften Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Effizienz Hohe Effizienz
Produktbezeichnung Silikonkarbid SBD/SiC SBD
Anwendung PFC-Schaltkreis, Gleichstrom-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Stromversorgung, Motorantrieb usw.
Material Siliziumkarbid
Schlüsselwörter SiC SBD, SiC SBD, SiC Schottky-Schrankendiode

 

Anwendungen:

 

Die REASUNOS Silicon Carbide Schottky Barrier Diode (SiC SBD) ist ein leistungsdiskretes Gerät aus hochwertigem Siliziumkarbidmaterial mit hoher Leistung, hoher Frequenz und hervorragender Stabilität.Basierend auf der nationalen militärischen ProduktionslinieDie Verpackung des Produkts besteht aus staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt werden.Der Preis wird nach dem Kauf des Produkts bestätigtDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Die Lieferfähigkeit beträgt 5KK/Monat.

Siliziumkarbid SBD hat eine breite Palette von Anwendungen in verschiedenen Branchen. Es kann für Hochfrequenz-Schaltnetzteile, Motorantriebe, Leistungsverstärker, Spannungsregler,Kraftwandler, Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler usw. Es wird auch in der Luft- und Raumfahrtindustrie für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochzuverlässigkeitsanwendungen wie Leistungswandler, Motorantriebe, Radarsysteme,und AvioniksystemeIn der Automobilindustrie wird Siliziumkarbid SBD weit verbreitet in Leistungsmodulen wie Elektrofahrzeugen, Hybrid-Elektrofahrzeugen und Solar-Photovoltaikanlagen eingesetzt.Silicon Carbide SBD kann auch in industriellen Anwendungen verwendet werden, wie beispielsweise variable Drehzahlantriebe, ununterbrochene Stromversorgungen und Motorsteuerungen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

 

Silicon Carbide SBD bietet technische Unterstützung und Dienstleistungen, um einen reibungslosen Betrieb, Leistungsoptimierung und Produktwartung sicherzustellen.Unsere technischen Experten stehen Ihnen zur Verfügung, um Ihnen zu helfen und alle Fragen zu beantworten.Zu unseren Dienstleistungen gehören:

  • Systemintegration, Einrichtung und Installation
  • Fehlerbehebung und Problemlösung
  • Softwareaktualisierungen und -upgrades
  • Wartung und Reparatur von Hardware
  • Kontinuierliche Produktunterstützung und Weiterbildung

 

Verpackung und Versand:

 

Silicon Carbide SBD wird in der Regel nach folgenden Spezifikationen verpackt und versandt:

  • Verpackung: Standardkisten mit antistatischem Material
  • Versand: Luftfracht oder Seefracht nach Anforderung

 

Häufige Fragen:

 

F1: Was ist Siliziumkarbid SBD?
A1: Siliziumkarbid SBD ist ein Halbleitergerät, das von REASUNOS, einem speziellen Hersteller mit Sitz in Guangdong, China, hergestellt wird. Es wird häufig in Leistungselektronikgeräten wie Geräten, Wechselrichtern und Geräten mit elektrischer Leistung verwendet.,und Motorsteuerungssysteme.
F2: Was sind die Eigenschaften von Silicon Carbide SBD?
A2: Silicon Carbide SBD hat einen breiten Betriebstemperaturbereich und kann hohen Temperaturen standhalten, so dass es für raue Umgebungen geeignet ist.,und ausgezeichnete thermische Stabilität.
F3: Wie viel kostet die SBD aus Siliziumkarbid?
A3: Der Preis für Siliziumkarbid SBD hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie REASUNOS für weitere Informationen.
F4: Wie wird Silicon Carbide SBD verpackt?
A4: Silicon Carbide SBD wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit für Silicon Carbide SBD?
A5: Die Lieferzeit für Silicon Carbide SBD beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). REASUNOS hat eine monatliche Lieferkapazität von 5KK Einheiten.