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Schlüsselwörter [ durable high power n channel mosfet ] Spiel 19 produits.
Langlebige industrielle Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet, Wärmeverlust-Mosfet Metalloxid
| Typ: | N |
|---|---|
| Macht: | Hohe Leistung |
| Produktbezeichnung: | MOSFET der hohen Leistung |
Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET, langlebige Niedrigleistung N-Kanal-Mosfet
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
N-Kanal-Hochleistungs-MOSFET-Gerät für Solarumrichter
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
|---|---|
| Macht: | Hohe Leistung |
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Dauerhafte Superjunction Power Mosfet, Überspannungshemmung N-Kanal Mosfet
| Kapazitanz: | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
|---|---|
| Paket: | Ultra Päckchen |
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
650V Siliziumkarbid-Leistung Mosfet Multifunktions-Dauerhaft N-Kanal
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
|---|---|
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
High Power MOSFET High Frequency and for Unmatched Performance Output
| Efficiency: | High Efficiency |
|---|---|
| Power: | High Power |
| Advantages: | Based On The National Military Standard Production Line, The Process Is Stable And The Quality Is Reliable |
Hochleistungs-MOSFET mit hoher Frequenz
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
|---|---|
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Anti-Surge-Strom Hochleistungs-Halbleiter Starke Fähigkeit für Solar-Inverter
| Produktbezeichnung: | Halbleiter mit hoher Leistung |
|---|---|
| RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |
| Vorteile: | Der nationale Militärstandard Chinas mit stabilem Prozess und zuverlässiger Qualität |
UPS-Hochleistungs-Halbleiter mit hohem Temperaturwiderstand
| Antisurge-Strom: | Stärkung der Leistungsfähigkeit des Überspannungstroms |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |