ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ durable high power n channel mosfet ] การจับคู่ 23 ผลิตภัณฑ์.
อุตสาหกรรมทนทานพลังงานสูง N Channel Mosfet, การระบายความร้อน Mosfet โมสเฟต โมสเฟต โมสเฟต โมสเฟต
| ประเภท: | เอ็น |
|---|---|
| พลัง: | พลังงานสูง |
| ชื่อสินค้า: | มอสเฟตกำลังสูง |
FET ความดันต่ําหลากหลาย, ทนทานแรงต่ํา N ช่อง Mosfet
| ความต้านทาน: | ถนนต่ำ(ON) |
|---|---|
| การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก: | การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ |
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
N Channel High Power MOSFET อุปกรณ์ทนทานสําหรับเครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์
| ความถี่: | ความถี่สูง |
|---|---|
| พลัง: | พลังงานสูง |
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูง |
โมสเฟตพลังงานสับซ้อนที่ทนทาน โมสเฟตป้องกันความแรง N Channel
| ความจุ: | ความจุทางแยกต่ำเป็นพิเศษ |
|---|---|
| แพ็คเกจ: | แพ็คเกจขนาดเล็กพิเศษ |
| ประเภทอุปกรณ์: | อุปกรณ์จ่ายไฟแบบแยกส่วน |
MOSFET ประสิทธิภาพสูงที่น่าเชื่อถือ สําหรับการใช้งานในเครื่องปรับแสงอาทิตย์และเครื่องแปลง DC/DC
| ประเภทอุปกรณ์: | มอสเฟต |
|---|---|
| ใบสมัคร: | เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ |
| ความถี่: | ความถี่สูง |
650 วอลต์ ไฟฟอร์คาร์บิดซิลิคอน มอสเฟต มวลฟังก์ชัน ทนทาน N Channel
| การใช้งาน: | เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ |
|---|---|
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูง |
MOSFET ประสิทธิภาพสูงที่มีความทนทานและความต้านทานทางความร้อนที่เพิ่มขึ้นสําหรับการใช้งานแบบ N
| ใบสมัคร: | เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ |
|---|---|
| พิมพ์: | n |
| ประเภทอุปกรณ์: | มอสเฟต |
มอสเฟตกำลังสูงชนิด N Channel ประสิทธิภาพสูง พร้อมการผลิตตามมาตรฐานทางทหารเพื่อประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้
| ข้อดี: | ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้ |
|---|---|
| พิมพ์: | n |
| ใบสมัคร: | เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ |
การเก็บพลังงาน MOSFET ความดันต่ํา ใช้งาน N Channel ความสามารถ EAS สูง
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
|---|---|
| ข้อดีของกระบวนการร่องลึก: | RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ |
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
High Power MOSFET High Frequency and for Unmatched Performance Output
| Efficiency: | High Efficiency |
|---|---|
| Power: | High Power |
| Advantages: | Based On The National Military Standard Production Line, The Process Is Stable And The Quality Is Reliable |