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palavras-chave [ converter high power mosfet ] Combine 96 produtos.
Alta Capacidade EAS Baixa Rds ((ON) Processo de trincheira MOSFET Rectificação síncrona
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
MOSFET de baixa tensão, motor de alta eficiência para estação base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Industrial SiC Carbide Mosfet Frequência de comutação resistente ao calor durável
| eficiência: | Eficiência elevada |
|---|---|
| Materiais: | Carbono de silício |
| Tipo de dispositivo: | MOSFET |
MOSFET de carburo de silício prático estável de alta frequência padrão militar
| Materiais: | Carbono de silício |
|---|---|
| Frequência: | De alta frequência |
| Tipo de dispositivo: | MOSFET |
Multiscene MOSFET de Ultra Baixa Tensão Estável para Carregamento Rápido
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
|---|---|
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
Motor Driver baixa tensão Fet estável para interruptor de alta frequência
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
Função multi MOSFET de baixa tensão SGT durável com RSP menor
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
|---|---|
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
MOSFET de baixa tensão industrial multifuncional para estação base 5G
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
Armazenamento de energia MOSFET de baixa tensão Prático N Canal Alta Capacidade EAS
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
|---|---|
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
Componente de semicondutores de alta frequência revolucionário para sistemas de energia renovável
| Resistência à temperatura: | Resistência à alta temperatura |
|---|---|
| Corrente de recuperação reversa: | Corrente de recuperação reversa extremamente baixa |
| Eficiência: | Eficiência elevada |