N type 1200V Sic Power Mosfet, Transistor à effet de champ de silicium d' oxyde métallique
Lieu d'origine | Guangdong, NC |
---|---|
Nom de marque | REASUNOS |
Quantité de commande min | 600 |
Prix | Confirm price based on product |
Détails d'emballage | Emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en cart |
Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |

Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.
xNom du produit | MOSFET en carbure de silicium | l'efficacité | Rendement élevé |
---|---|---|---|
Résistance | Faible résistance | Matériel | Carbure de silicium |
Le type | N | Fréquence | À haute fréquence |
Le pouvoir | Puissance élevée | Avantages | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
Mettre en évidence | N type Sic Power Mosfet,1200V Sic Puissance Mosfet,Transistor à effet de champ de silicium d'oxyde métallique |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Description du produit:
Le transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur au carbure de silicium (SiC MOSFET) est un appareil à haute puissance, faible résistance et haute fréquence avec d'excellentes performances de commutation.Il est largement utilisé dans l'inverseur solaire, Convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentation commutée et pile de charge.Cet appareil utilise la technologie de carbure de silicium la plus avancée pour réduire considérablement les pertes de conductionAvec sa faible résistance à l'alimentation et sa fréquence de commutation élevée, il peut être utilisé pour la commutation de la charge et de la charge de la porte.SiC MOSFET offre aux entreprises et aux consommateurs la plus grande efficacité énergétique, fiabilité et longue durée de vie.
Le MOSFET SiC est doté d'une structure tridimensionnelle unique, offrant une tolérance à haute tension allant jusqu'à 1200 V, une vitesse de commutation rapide et une large plage de températures de fonctionnement.Cela en fait le choix idéal pour un large éventail d'applicationsIl offre également d'excellentes performances thermiques, avec une faible valeur RDS (on) et une faible charge de passerelle.Cela offre aux entreprises et aux consommateurs les coûts d'exploitation les plus bas possibles et les plus hauts niveaux de fiabilité.
SiC MOSFET est un choix idéal pour un large éventail d'applications exigeantes, de l'automobile à l'industrie, de l'électronique grand public à l'énergie renouvelable.et haute fréquence, le MOSFET SiC offre aux entreprises et aux consommateurs la plus haute efficacité énergétique, la fiabilité et une longue durée de vie.
Paramètres techniques:
Paramètres | Les valeurs |
---|---|
Fréquence | Fréquence élevée |
Application du projet | Invertisseur solaire, convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentation commutée, pile de charge, etc. |
Efficacité | Haute efficacité |
Le pouvoir | Le pouvoir suprême |
Les avantages | Basé sur la ligne de production militaire nationale, le processus est stable et la qualité est fiable |
Résistance | Faible résistance |
Type de dispositif | MOSFET |
Matériel | Carbure de silicium |
Le type | N |
Nom du produit | MOSFET au carbure de silicium |
Mots clés | Transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de carbure de silicium, MOSFET SiC, Transistors à effet de champ SiC |
Applications:
Les transistors à effet de champ à métaux-oxydes de carbure de silicium (MOSFET) sont parfaits pour des applications à haute efficacité et à haute puissance.Ils sont capables de gérer des convertisseurs CC/DC haute tensionAvec leur puissance élevée et leur efficacité élevée, ils sont idéaux pour les onduleurs solaires, les onduleurset autres applications à haut rendementLeur type de MOSFET est N, qui est capable de gérer plus de puissance et de fournir une plus grande efficacité.placés dans une boîte en carton dans des cartons. Leur quantité minimale de commande est de 600, et leur capacité d'approvisionnement est de 5KK / mois. Leur délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale. Les conditions de paiement sont 100% T / T à l'avance ((EXW),et le prix doit être confirmé en fonction du produit.
Assistance et services:
Le MOSFET au carbure de silicium fournit un soutien technique et des services pour assurer une transition et un fonctionnement harmonieux du produit.instructions d'utilisation du produitLe service comprend, mais sans s'y limiter, l'assistance en ligne et téléphonique, l'assistance sous garantie et les services de maintenance et de réparation.
Emballage et expédition
Emballage et expédition du MOSFET au carbure de silicium:
- Le produit est emballé dans un récipient imperméable à l'humidité et à la stabilité.
- Le produit est ensuite enveloppé dans un coussin protecteur en mousse.
- Le produit est ensuite placé dans une boîte d'expédition isolée avec un matériau d'amortissement suffisant.
- Le produit est ensuite expédié par un transporteur assuré, tel que FedEx ou UPS.
FAQ:
Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET au carbure de silicium?
R1: La marque est REASUNOS.
Q2: D'où provient le produit?
R2: Le produit provient du Guangdong, en Chine.
Q3: Quelle est la quantité minimale de commande?
R3: La quantité minimale de commande est de 600.
Q4: Quel est le prix du produit?
R4: Le prix du produit sera confirmé en fonction du produit.
Q5: Quel est l'emballage du produit?
R5: Le produit est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.