Adapter Hochspannung Sic Mosfet N-Typ

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Typ N Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig
Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
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Adapter Hochspannung Sic Mosfet

,

Hochspannung Sic Mosfet stabil

,

Multifunktion Mosfet Typ N

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

MOSFET für Adapter mit einer geringen Leckage von weniger als 1 μA

Beschreibung des Produkts:

Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art hochspannungsspezifischer MOS-Gate-Transistor.die die neue seitliche variable Dopingtechnologie und die spezielle Leistung MOS-Struktur nutzt, um hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen zu bietenEs verfügt auch über eine hohe Wärmeableitung, was es für Motorenreihen, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltungsanwendungen usw. geeignet macht.

Ein eingebettetes FRD HV MOSFET ist ein revolutionäres Produkt, das die Vorteile von MOSFET und Leistungs-MOSFET für eine Ultra-Hochspannungsanwendung kombiniert.Niedriger EinsatzwiderstandEs eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte erfordern, wie z. B. Motorenreihen, Wechselrichter und Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltungsanwendungen.

Hochspannungs-MOSFET ist eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für diejenigen, die eine große Wärmeableitung und eine Ultra-Hochspannungsanwendung benötigen.ausgezeichnete thermische Eigenschaften, und eine hohe Abbruchspannung, was es zur idealen Wahl für Motorenreihen-, Wechselrichter- und Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltungsanwendungen macht.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile, Inverter, Motorreihe, Inverter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Technologie MOSFET
Typ N
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
 

Anwendungen:

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET bietet eine überlegene Leistung in anspruchsvollen Anwendungen.Sicherstellung hervorragender Eigenschaften bei hohen Temperaturen. Es wird weit verbreitet in Hochspannungsanwendungen wie eingebetteten FRD-Hochspannungs-MOSFET, Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor und mehr verwendet.Es kann den Stromverlust effektiv reduzieren und die Leistung des Systems verbessern..

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist in verschiedenen Verpackungsmöglichkeiten erhältlich, z. B. staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert sind.Der Preis des Erzeugnisses wird je nach Produkt bestimmt.Darüber hinaus verfügt es über eine große Lieferkapazität von 5KK/Monat und bietet Kunden die Zahlungsfrist von 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET

In der GesellschaftGründe, bieten wir vollständige technische Unterstützung und Dienstleistungen für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unser erfahrenes Team von Ingenieuren und Technikern ist bereit, alle Fragen oder Anliegen zu beantworten.Wir bieten eine Vielzahl von Dienstleistungen, um sicherzustellen, dass Ihr Produkt ordnungsgemäß funktioniert und alle Ihre Anforderungen erfüllt.

  • Produktinstallation und Fehlerbehebung
  • Produktanpassung und Optimierung
  • Hardware- und Software-Upgrades
  • Ersatzteile und Zubehör
  • Technische Ausbildung und Unterstützung

Wir bieten Ihnen auch eine Vielzahl von zusätzlichen Dienstleistungen an, die Ihren spezifischen Bedürfnissen entsprechen.

  • Produktberatung vor dem Kauf
  • Installation und Wartung des Produkts vor Ort
  • Regelmäßige Wartung und Inspektion der Produkte
  • Dienstleistungen im Bereich der Produktgarantie und Reparatur

Wir sind bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen anzubieten.Bitte zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren..

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET

Verpackung:

Hochspannungs-MOSFETs sind in antistatischen und feuchtigkeitsdichten Materialien verpackt, die den Anforderungen des Produkts und den Anforderungen des Kunden entsprechen.

Versand:

Hochspannungs-MOSFETs werden nach den Anforderungen des Kunden versandt.

 

Häufige Fragen:

F: Wie heißt dieser Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname dieses Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo wird dieses Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
A: Dieses Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F: Welche Verpackung wird für dieses Hochspannungs-MOSFET verwendet?
A: Dieses Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F: Wie lange dauert die Lieferung für dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit für dieses Hochspannungs-MOSFET beträgt je nach Gesamtmenge 2 bis 30 Tage.
F: Wie lange dauert die Zahlungsfrist für dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Zahlungsfrist für dieses Hochspannungs-MOSFET beträgt 100% T/T im Voraus (EXW).
F: Was ist die Versorgungsfähigkeit dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Versorgungsfähigkeit für dieses Hochspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.