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Mehrzweck-MOSFET-N-Superverbindung Typ 600V für LED-Treiber

  • Multipurpose Super Junction MOSFET N Type 600V For LED Driver
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez Paket Ultra Päckchen
Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Typ N EMS-Rand Große EMI Margin
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET
Hervorheben

Mehrzweck-MOSFET mit Superverbindung

,

MOSFET mit Überschneidung vom Typ N

,

LED-Treiber-Superschnitt Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Ultra-niedrige Verbindungskapazität Superverbindungsdiode mit ultra-kleinem Paket und innerem Widerstand

Beschreibung des Produkts:

Die Super Junction MOSFET ist eine Art Super Junction Diode, die speziell als Leistungsdiskretgerät entwickelt wurde.Dieser Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ist ein N-Typ Gerät, das in einem ultra kleinen Paket geliefert wird., so dass es perfekt für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe Leistungsdichte mit minimalem Platz erfordern.StromversorgungsschalterDies ist ein wichtiger Faktor für die Entwicklung der neuen Technologien.Das Super Junction MOSFET ist aufgrund seiner überlegenen Leistung zu einer zunehmend beliebten Wahl für viele Leistungselektronik-Anwendungen geworden.

 

Technische Parameter:

Produktattribute Beschreibung
Produktbezeichnung Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET
Paket Ultra-kleines Paket
EMI-Marge Große EMI-Marge
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS des kontinuierlichen Stromversorgungssystems, neue Energieversorgungsausrüstung usw.
Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Im Vergleich zum Trench-Prozess hat es ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten.
Typ N
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
 

Anwendungen:

MOSFET mit Superverbindung

Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (Super Junction MOSFET), auch bekannt als super mosfet, ist ein Leistungsdiskretes Gerät, das von REASUNOS aus Guangdong, China, entwickelt wurde.Es wird durch ein mehrschichtiges Epitaxieverfahren hergestellt, um eine ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeit zu bieten.Das Gerät verfügt über einen sehr geringen internen Widerstand und kommt in einem sehr kleinen Paket.

Das Super Junction MOSFET von REASUNOS ist staubdicht, wasserdicht und antistatisch und wird für eine effiziente und sichere Lieferung in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.Der Preis des Erzeugnisses ist abhängig von der Gesamtmenge zu bestätigen. Die Lieferzeit beträgt in der Regel zwischen 2 und 30 Tagen, und Kunden können die Zahlung mit T / T im Voraus (EXW) vornehmen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Super Junction

Super Junction MOSFET ist eine revolutionäre Technologie, die ein effizientes Energiemanagement und eine verbesserte Leistung in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen ermöglicht.Toshiba bietet umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen für Super Junction MOSFET-Produkte.

Technische Unterstützung

Das technische Support-Team von Toshiba ist bestrebt, zeitnahe und umfassende Unterstützung bei Super Junction MOSFET-Produkten zu leisten.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren ist bereit, alle Fragen zu beantworten und technische Beratung zu gebenWir stellen auch detaillierte Produktspezifikationen und Anwendungsnotizen zur Verfügung.

Service und Reparatur

Toshiba bietet Service- und Reparaturmöglichkeiten für Super Junction MOSFET-Produkte. Unsere erfahrenen Techniker können jedes Problem mit Ihrem Gerät schnell und effizient diagnostizieren und reparieren.Wir bieten auch vorbeugende Wartungsdienste an, um sicherzustellen, dass Ihr Gerät immer optimal funktioniert.

 

Verpackung und Versand:

Super Junction MOSFET Verpackung und Versand:

  • Die Produkte werden in Vakuumverpackungen verpackt, um sicherzustellen, dass sie während des Transports nicht beschädigt werden.
  • Anschließend werden die Pakete in eine Kartonbox in Standardgröße mit einer zusätzlichen Schicht Blasenfolie eingepackt.
  • Der Versand erfolgt über einen zuverlässigen Kurierdienst, der dem Kunden eine Nachverfolgungsnummer zur Verfügung stellt.
 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Super Junction MOSFET?
A: Super Junction MOSFET ist ein fortschrittliches Strommanagement-Gerät, das als Schalter zur Steuerung des Stromflusses in Leistungselektronik-Anwendungen arbeitet.
F: Wo ist der Ursprungsort von Super Junction MOSFET?
A: Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F: Was ist der Markenname von Super Junction MOSFET?
A: Der Markenname von Super Junction MOSFET ist REASUNOS.
F: Wie ist der Preis für Super Junction MOSFET?
A: Die Preise von Super Junction MOSFET basieren auf dem Produkt, kontaktieren Sie uns bitte für weitere Details.
F: Wie ist die Verpackung von Super Junction MOSFET?
A: Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F: Wie lange dauert die Lieferung von Super Junction MOSFET?
A: Die Lieferzeit von Super Junction MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
F: Wie sind die Zahlungsbedingungen von Super Junction MOSFET?
A: Die Zahlungsbedingungen von Super Junction MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).
F: Wie groß ist die Versorgungsfähigkeit von Super Junction MOSFET?
A: Die Lieferkapazität von Super Junction MOSFET beträgt 5KK/Monat.
Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET