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多目的スーパージャンクション MOSFET N型 600V LEDドライバー用

  • Multipurpose Super Junction MOSFET N Type 600V For LED Driver
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
利点 それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある パッケージ 超小型パッケージ
適用する 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 キャパシタンス 超低い接続点キャパシタンス
タイプ N EMIの差益 大きいEMIの差益
装置タイプ 力の分離した装置 製品名 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET
ハイライト

多目的スーパージャンクションMOSFET

,

スーパージャンクション MOSFET N型

,

LEDドライバースーパージャンクション モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

超低結合容量超結合ダイオード,超小容量と内部抵抗

製品説明:

スーパー・ジャンクションMOSFETは,特に電源離散装置として使用するように設計されたスーパー・ジャンクション二極管の一種である.この超接合金属酸化半導体場効果トランジスタは 超小型のパッケージで提供される N型デバイスです極低の接続容量で特徴付けられ,LEDドライバ,PFC回路,電源を切り替える連続電源システム,新しいエネルギー発電設備,および他の多くのアプリケーション.スーパー・ジャンクション MOSFETは,優れた性能により,多くのパワー電子機器アプリケーションでますます人気のある選択肢となっています..

 

技術パラメータ:

製品属性 記述
製品名 超交差点MOSFET/SJ MOSTET
パッケージ 超小型パッケージ
EMI マージン 高いEMI手数料
適用する LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など
利点 多層エピタキシープロセスで作られています. トレンチプロセスと比較して,優れた抗EMIと抗急上昇能力を持っています.
タイプ N
容量 超低回路容量
内面 の 抵抗 極小な内抵抗
装置の種類 電源を分離する装置
 

応用:

スーパージャンクション MOSFET

スーパージャンクション金属酸化物場効果トランジスタ (Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor,Super Junction MOSFET) は,超モスフェットとしても知られており,中国広東のREASUNOSによって開発された電源離散装置である.それは優れた抗EMIと抗急上昇能力を提供するために,マルチ層エピタキシープロセスによって作られています装置は内部抵抗が非常に小さいので とても小さなパッケージで用意されています

REASUNOSのスーパージャンクション MOSFETは防塵,防水,防静的であり,効率的かつ安全な配達のために,紙箱の中に詰められています.商品の価格は,総量によって確認される.. 配達時間は通常2〜30日間で,顧客はT/Tを事前で支払うことができます. REASUNOSは,この製品に対して月5KKの供給能力を提供しています.

 

サポートとサービス

スーパージャンクション MOSFET 技術サポートとサービス

スーパージャンクション MOSFETは 効率的なエネルギー管理と 幅広い電子アプリケーションでの性能向上を可能にする 革新的な技術です東芝は,スーパージャンクション MOSFET 製品に対する包括的な技術サポートとサービスを提供している..

技術支援

東芝の技術サポートチームは,スーパージャンクション MOSFET製品に対して,迅速かつ包括的な支援を提供することにコミットしています.経験豊富なエンジニアのチームは,すべての質問に答え,技術的なアドバイスを提供するために利用可能です詳細な製品仕様とアプリケーションノートも提供します

サービス と 修理

東芝は,Super Junction MOSFET 製品に対するサービスと修理オプションを提供しています.当社の経験豊富な技術者は,デバイスのあらゆる問題を迅速かつ効率的に診断し,修復することができます.デバイスが常に最適な性能で動作することを保証します.

 

梱包と輸送:

スーパージャンクション MOSFET 梱包と輸送:

  • 製品が輸送中に損傷しないように真空密封されたパッケージに詰め込まれます.
  • 包装品は,標準サイズの紙箱に詰められ,その中にさらに泡状の包装が加わっています.
  • 送料は信頼できる宅配便で,追跡番号が顧客に提供されます.
 

FAQ:

Q:スーパージャンクションMOSFETとは?
A: スーパージャンクション MOSFETは,パワー電子機器のアプリケーションで電力の流れを制御するためのスイッチとして機能する高度な電力管理装置です
Q: スーパージャンクション MOSFETの原産地は?
A: スーパージャンクション MOSFETは中国の広東で製造されています
Q:スーパージャンクションMOSFETのブランド名は何ですか?
A: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q: スーパージャンクション MOSFETの価格は?
A: スーパージャンクション MOSFETの価格は製品によって決まります.詳細についてはご連絡ください.
Q: スーパージャンクション MOSFETのパッケージは?
A: スーパー ジュンクション MOSFET は 防塵,防水,防静的管状のパッケージで 紙箱の中に 詰め込まれています.
Q: スーパージャンクション MOSFETの配達時間は?
A: スーパー・ジャンクション MOSFETの配達時間は,総量に応じて 2~30 日です.
Q:スーパージャンクション MOSFETの支払い条件は?
A: スーパー・ジャンクション MOSFETの支払い条件は 100% T/T アドバンス (EXW) です.
Q:スーパージャンクションMOSFETの供給能力は?
A: スーパージャンクション MOSFETの供給能力は 5KK / 月です.
札:

メタルオキシド超接点トランジスタ

PFC回路のスーパージャンクションMOSFET

電源スーパージャンクション MOSFET