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N-Kanal Siliziumkarbid MOSFET Mehrzweck für Motorfahrer

  • N Channel Silicon Carbide MOSFET Multipurpose For Motor Driver
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Min Bestellmenge 600
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Typ N Häufigkeit Hochfrequenz
Widerstand Geringer Widerstand Produktbezeichnung Siliziumkarbid-MOSFET
Material Siliziumkarbid Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit
Macht Hohe Leistung Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil,
Hervorheben

N-Kanal-MOSFET aus Siliziumkarbid

,

Motorfahrer Siliziumkarbid-MOSFET

,

Mehrzweckmotorfahrer Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

MOSFET aus Siliziumkarbid für Motorfahrer

Beschreibung des Produkts:

Silicon Carbide MOSFET ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der aus Silicon Carbide (SiC) hergestellt wird.die die Stabilität des Prozesses und die Qualität gewährleistetAufgrund der hohen Frequenz des Siliziumcarbid-MOSFET-Geräts kann es eine bessere Leistung als herkömmliche Alternativen liefern.Es eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, die eine hohe Frequenz und hohe Leistung erfordernDas MOSFET bietet eine verbesserte Effizienz, zuverlässige Qualität und einen stabilen Prozess, der Ihnen hilft, Ihre Aufgaben zu erledigen.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Gerätetypen MOSFET
Material Siliziumkarbid
Widerstand Niedriger Widerstand
Macht Hohe Macht
Typ N
Häufigkeit Hochfrequenz
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Produktbezeichnung MOSFET aus Siliziumkarbid
Effizienz Hohe Effizienz
 

Anwendungen:

REASUNOS Silicon Carbide Field Effect Transistor (SiC MOSFET) ist ein sehr zuverlässiges, hochfrequentes Gerät mit niedrigem Widerstand, das auf der National Military Standard Produktionslinie basiert.Es handelt sich um einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der aus Siliziumkarbid (SiC) hergestellt ist und für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist, wie Solarwechselrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-Gleichspannungs-Wandler, Motorantriebe, UPS-Stromversorgungen, Schaltnetzteile und Ladestellen.und antistatische RohrverpackungenDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.und der Preis wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt. REASUNOS ist in der Lage, bis zu 5KK/Monat zu liefern.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Technikunterstützung und Service für Siliziumkarbid

Unser technisches Support- und Service-Team ist hier, um Ihnen bei Ihren Silicon-Carbide-MOSFET-Produkten zu helfen.

  • Technische Dokumentation
  • Anleitungen zur Fehlerbehebung
  • Online-Unterstützungsforen
  • Technischer Live-Chat
  • E-Mail- und Telefonunterstützung

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren!

 

Verpackung und Versand:

Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in einem speziellen Behälter verpackt und versendet, um sicherzustellen, dass es sicher ankommt.und andere UmweltfaktorenDer Container ist außerdem so konzipiert, daß das Produkt sicher gelagert wird und den Einschränkungen des Transportes standhält.Das Produkt wird in einer Kunststofffolie verschlossen und dann in eine Kartonbox gelegt.Die Box wird dann in eine Wellpappenbox gelegt und mit Klebeband, Blasenfolie und/oder Polstermaterial gesichert.Das Produkt wird dann sorgfältig auf eine Palette geladen und zum Bestimmungsort verschifft.

 

Häufige Fragen:

F1: Was ist Siliziumkarbid-MOSFET?

A1: Siliconcarbide MOSFET ist ein Leistungshalbleitergerät, das in verschiedenen Arten von Leistungselektronik-Anwendungen weit verbreitet ist.Es handelt sich um eine Art Schaltvorrichtung, die in der Lage ist, den Stromfluss effizient und genau zu steuern.

F2: Was sind die Vorteile von Siliziumkarbid-MOSFET?

A2: Siliziumkarbid-MOSFETs haben die Vorteile eines geringen Widerstands, einer schnellen Schaltleistung, eines hohen Temperaturbetriebs, einer hohen Leistungsdichte und einer hohen Effizienz.

F3: Wie heißt der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET?

A3: Der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET ist REASUNOS.

F4: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET?

A4: Die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 600.

F5: Was ist die Versorgungsfähigkeit von Siliziumkarbid-MOSFET?

A5: Die Versorgungsfähigkeit von Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 5KK/Monat.

Umbauten:

Praktische Fahrzeugtechnik Sic Mosfet

N Typ Sic Power Mosfet

MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie