実用的なシリコンカービッド MOSFET 安定高周波軍用標準

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x材料 | シリコンカービッド | 頻度 | 高周波 |
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装置タイプ | MOSFET | 効率性 | 高性能 |
適用する | ソーラーインバータ、高圧DC/DCコンバータ、モータドライバ、UPS電源、スイッチング電源、充電パイルなど | 抵抗 | 低いオン抵抗 |
利点 | 国家軍事規格の生産ラインに基づいており、プロセスは安定しており、品質は信頼できます | 製品名 | 炭化ケイ素MOSFET |
ハイライト | 実用的なシリコンカービッドMOSFET,シリコンカービッドモスフェット 安定,軍用 シック モスフェット 高周波 |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
低抵抗性シリコンカービッドフィールド効果トランジスタ
製品説明:
シリコンカービッドMOSFETは,シリコンカービッドフィールド効果トランジスタ (SiC FET) とも呼ばれ,高周波,N型,高電力デバイスである.パワーコンバーターなどSiC FET は従来のシリコンベースのMOSFETよりも優れた性能を提供し,低電力損失,改善されたスイッチ速度,熱安定性も向上します高電流と高温により,シリコンカービッドMOSFETは高電力用途に最適です.設計者が効率と性能を向上させるために電源システムを最適化できるようにする.
技術パラメータ:
特徴 | 詳細 |
---|---|
利点 | 国軍標準生産ラインに基づいて,プロセスは安定し,品質は信頼性があります |
頻度 | 高頻度 |
パワー | 高い力 |
装置の種類 | MOSFET |
効率性 | 高効率性 |
抵抗力 | 抵抗 が 少なく |
適用する | ソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバー,UPS電源,スイッチング電源,充電台など |
タイプ | N |
材料 | シリコンカービッド |
製品名 | シリコンカービッドモスフェット |
キーワード | シリコンカービッドMOSFET,SiCフィールド効果トランジスタ,SiCMOSFET |
応用:
REASUNOS シリコンカービッド金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) は,最低注文量600個,生産能力は月5KKの高性能製品です.国軍標準生産ラインに基づいて生産されています主に太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換機,モータードライバ,UPS電源,スイッチ電源,充電堆などに使用されています.
商品は中国広東で製造されています. 価格は製品に基づいて確認する必要があります. 包装は防塵,防水,反静的管状の包装です.紙箱の中に入れる配送時間は2~30日で,総量によって決まります. 支払条件は100%T/T (EXW) です.
このシリコンカービッドMOSFETの利点は,国家軍事標準生産ラインに基づいていること,プロセスが安定し,品質が信頼性があることです.
サポートとサービス
シリコン・カービッド・MOSFETの技術サポートとサービスを提供します
- 設計及び応用支援
- トラブルシューティング
- 現地での技術支援
- ソフトウェアとファームウェアの更新
- 訓練
経験豊富なエンジニアは,あなたが必要なサポートを提供するために利用可能です.今すぐ私たちに連絡して,より多くのことを知る.
梱包と輸送:
シリコン カービッド MOSFET は,保護 泡 の 緩衝 付き の 密閉 プラスチック 包装 中 に 配送 さ れ て い ます.包装 は,湿気 が 腐食 や 腐食 を 引き起こ し ない よう 涼しく 乾燥 し た 場所 に 保管 し なけれ ば なり ませ ん.送料 は,通常,航空 貨物 で 行なわ れ,追跡 番号 が 付与 さ れ ます.送料 を 受け た 際 に,パッケージ を 開き,損傷 が ある か も しれ ませ ん か を 検査 し て ください.
FAQ:
- Q:シリコンカービッドMOSFETのブランド名は何ですか?
A: ブランド名は REASUNOS. - Q:シリコンカービッドMOSFETの原産地は?
A: 原産地は中国広東です - Q:最低注文に必要なMOSFETは?
A: 最低の注文量は 600 です. - Q:シリコンカービッドMOSFETの価格は?
A: 価格は製品によって異なります. 確認価格についてはご連絡ください. - Q:シリコンカービッドMOSFETのパッケージは?
A: 梱包は,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に入れます. - Q:シリコンカービッドMOSFETの配送には どれくらい時間がかかりますか?
A: 配送時間は総量に依存します.一般的に2~30日かかります. - Q:シリコンカービッドMOSFETの支払い期間は?
A: 支払期間は100%T/T (EXW) による. - Q:毎月何個のシリコンカービッドMOSFETが供給できるでしょうか?
A:月5KKを供給できます