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전원 공급 수퍼 융합 MOSFET 표면 마운트 멀티 기능

  • Power Supply Super Junction MOSFET Surface Mount Multi Function
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
적용 LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급 장치, 연속 전원 공급 시스템의 UPS, 신 에너지 전력 장비 등 장점 It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. 다층 에피택시 공정으로 만들어졌습니다. Compared With Tren
제품 이름 슈퍼접합 MOSFET/SJ MOSTET 장치 타입 전력 이산 장치
내부 저항 초소형 내부 저항 전기 용량 초저 접합 정전 용량
종류 엔 패키지 초소형 패키지
강조하다

전원 공급 수퍼 융합 MOSFET

,

슈퍼 융합 MOSFET 표면 장착

,

다기능 SJ MOSTET
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

초저조합 용량 전력 디스크리트 장치 슈퍼조합 MOSFET/SJ MOSTET

제품 설명:

슈퍼 융합 MOSFET는 전력 반도체 기술에서 혁명적인 돌파구입니다. 초연결 구조를 사용하는 최초의 전력 MOSFET입니다.초저단절용량과 큰 EMI 마진을 달성할 수 있습니다.다층 에피택시 공정으로 만들어져 EMI 방지 및 급증 방지 기능 측면에서 전통적인 트렌치 프로세스에 우월합니다. 또한 초소형 패키지를 갖추고 있습니다.높은 전력 밀도를 필요로 하는 애플리케이션에 적합하도록, 그리고 아주 작은 내부 저항.슈퍼 융합 MOSFET는 소비자 및 산업용 애플리케이션의 광범위한 범위에서 전력 변환 및 전압 조절에 이상적인 선택이되었습니다..

 

기술 매개 변수:

제품 이름 설명
슈퍼 융합 MOSFET 슈퍼 융합 금속 산화물 반도체 트랜지스터, SJ MOSFET, N 타입
적용 LED 드라이버, PFC 회로, 스위칭 전원 공급, UPS의 연속 전원 공급 시스템, 새로운 에너지 전력 장비, 등
장치 유형 전력 분별 장치
용량 초저조절 용량
장점 다층 에피타시 공정으로 만들어집니다. 트렌치 프로세스와 비교하면 우수한 반 EMI 및 항 급증 능력을 가지고 있습니다.
내부 저항 극히 작은 내부 저항
패키지 아주 작은 패키지
EMI 마진 큰 EMI 마진
 

응용 프로그램:

REASUNOS Si Super Junction MOSFET는 다층 에피택시 공정에 의해 만들어진 전력 분별 장치이다. 초소형 패키지, 큰 EMI 마진, 초저조절 용량으로 구성되어 있다.트렌치 프로세스와 비교하면, 그것은 우수한 반 EMI 및 반 급증 기능을 가지고 있으며, 높은 효율성, 낮은 전력 소비 및 낮은 EMI를 필요로하는 응용 프로그램에서 인기있는 선택입니다.이 제품의 가격은 전체 양에 따라 달라집니다.. 먼지 방지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장재로 포장되어, 카드본 상자 안에 카튼으로 배치됩니다. 배송 시간은 일반적으로 2-30 일입니다. 공급 능력은 5KK / 달입니다.지불 조건은 100% T/T 사전 (EXW).

 

지원 및 서비스:

슈퍼 융합 MOSFET는 기술 지원 및 서비스를 제공하여 당신이 당신의 제품에서 최고의 것을 얻을 수 있도록합니다. 우리의 기술 지원 및 서비스는 문제를 해결하는 데 도움이하도록 설계되었습니다,성능을 최적화, 그리고 당신의 제품을 최대한 활용할 수 있습니다.

우리는 웹 사이트, 이메일, 전화 등을 통해 기술 지원과 서비스를 제공합니다.우리의 기술 지원 직원은 반도체 산업에서 오랜 경험을 가지고 있으며 필요한 정보와 지원을 제공 할 준비가되어 있습니다..

우리는 또한 제품 테스트, 제품 인증 및 제품 엔지니어링을 포함한 다양한 서비스를 제공합니다.이 서비스는 귀하의 슈퍼 융합 MOSFET가 최고 품질 표준을 충족하고 신뢰할 수 있고 효율적이라는 것을 보장하도록 설계되었습니다..

우리의 기술 지원 및 서비스는 당신이 당신의 슈퍼 융합 MOSFET 제품에서 최대한을 얻을 수 있도록 설계되었습니다. 당신이 어떤 질문이나 도움이 필요하면, 언제든지 저희에게 연락하십시오.

 

포장 및 운송:

슈퍼 융합 MOSFET 제품은 운송 중에 보호되도록 완충 재료로 강화 된 단단하고 안전한 상자 / 카트에서 포장되고 배송됩니다.각 상자/카트에는 Super Junction MOSFET 제품이 포함되어 있습니다.모든 운송품은 수신자에게 올바른 주소와 추적 번호가 표시되어 있어야 합니다.

슈퍼 융합 MOSFET의 운송은 목적지에 따라 가장 신뢰할 수 있는 운반자를 통해 전송됩니다. 모든 운송은 보험으로 전송되며 배달 시 서명이 필요합니다.우리는 또한 더 빠른 배송을 필요로하는 고객을 위해 익스프레스 배송 옵션을 제공합니다..

 

FAQ:

Q: 슈퍼 융합 MOSFET란 무엇인가요?
A: 슈퍼 융합 MOSFET는 전기 전류의 흐름을 제어하는 데 사용되는 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 의 일종입니다.
Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 슈퍼 융합 MOSFET는 어디서 왔나요?
A: 슈퍼 융합 MOSFET은 중국 광둥에서 왔습니다.
질문: 슈퍼 융합 MOSFET의 가격은 얼마입니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.
Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 패키지는 무엇입니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET는 먼지 막, 방수, 반 정적 튜버형 포장재에 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 배송 시간은 얼마나 되나요?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일입니다.
Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 지불 조건은 무엇입니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.
Q: 슈퍼 융합 MOSFET의 공급 능력은 무엇입니까?
A: 슈퍼 융합 MOSFET의 공급 능력은 5KK / 달입니다.
꼬리표:

금속산화물 초결합 트랜지스터

PFC 회로 초연결 MOSFET

전원 공급 수퍼 융합 MOSFET