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Schlüsselwörter [ practical high power semiconductor ] Spiel 31 produits.
Praktische Super Junction Fet N Typ Multi-Funktion für Konverter
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Anwendung: | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
PFC-Schaltkreis Super Junction MOSFET praktische Multiscene Typ N
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Anwendung: | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
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Praktische elektronische Schottky-Rectifikatordiode, MBRF2045CT SiC Schottky-Schrankendiode
| Leckage: | Niedriges Durchsickern |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Schottky-Sperrschichtdioden |
| Eigenschaften: | Niedrig vorwärts Niedrigspannungsabfall, geringer Verlust, extrem kurze Rückwärtswiederherstellung |
Multi-Funktion Power Schottky-Rectifier Praxis MBRF20100CT
| Kosten: | Niedrige Kosten |
|---|---|
| Leckage: | Niedriges Durchsickern |
| Eigenschaften: | Niedrig vorwärts Niedrigspannungsabfall, geringer Verlust, extrem kurze Rückwärtswiederherstellung |
MOSFET mit hoher EAS-Kapazität für drahtlose Ladung
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Multiscene Siliziumkarbid SBD Hochtemperaturbeständigkeit für PFC-Schaltkreis
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Silikonkarbid SBD/Sic SBD |
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
Hohe Effizienz Niedriger Stromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench/SGT-Prozess
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |
Hohe EAS-Kapazität Niedrige Rds ((ON) Trench-Prozess MOSFET Synchrone Berichtigung
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |