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Multiscene Siliziumkarbid SBD Hochtemperaturbeständigkeit für PFC-Schaltkreis

  • Multiscene Silicon Carbide SBD High Temperature Resistance For PFC Circuit
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu Produktbezeichnung Silikonkarbid SBD/Sic SBD
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Macht Hohe Leistung
Material Siliziumkarbid Anwendung PFC-Schaltkreis, Gleichspannungs-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Str
Häufigkeit Hochfrequenz Eigenschaften Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung
Hervorheben

Multicene Siliziumkarbid SBD

,

Silikonkarbid SBD Temperaturbeständigkeit

,

PFC-Schaltkreis Siliziumkarbiddiode
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No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
1 RSS04065D 1.4 4 1 650 TO-252 2500
2 RSS04065G 1.4 4 1 650 DFN5*6 5000
3 RSS04065A 1.4 4 1 650 TO-220-2L 1000
4 RSS04065B 1.4 4 1 650 TO-220Internal insulation 1000
5 RSS06065D 1.36 6 1.2 650 TO-252 2500
6 RSS06065G 1.36 6 1.2 650 DFN5*6 5000
7 RSS06065R 1.36 6 1.2 650 DFN8*8 260
8 RSS06065S 1.36 6 1.2 650 TO-263 800
9 RSS06065A 1.36 6 1.2 650 TO-220-2L 1000
10 RSS06065B 1.36 6 1.2 650 TO-220Internal insulation 1000
11 RSS08065D 1.39 8 6 650 TO-252 2500
12 RSS08065G 1.39 8 6 650 DFN5*6 5000
13 RSS08065R 1.39 8 6 650 DFN8*8 260
14 RSS08065S 1.39 8 6 650 TO-263 800
15 RSS08065A 1.39 8 6 650 TO-220-2L 1000
16 RSS08065B 1.39 8 6 650 TO-220Internal insulation 1000
17 RSS10065D 1.37 10 5 650 TO-252 2500
18 RSS10065R 1.37 10 5 650 DFN8*8 260
19 RSS10065S 1.37 10 5 650 TO-263 800
20 RSS10065A 1.37 10 5 650 TO-220-2L 1000
21 RSS10065B 1.37 10 5 650 TO-220Internal insulation 1000
22 RSS15065A 1.4 15 2 650 TO-220-2L 1000
23 RSS20065A 1.35 20 6 650 TO-220-2L 1000
24 RSS20065W 1.45 20 5 650 TO-247-2L 600
25 RSS20065K 1.37 20 5 650 TO-247-3L 600
26 RSS30065W 1.5 30 2 650 TO-247-2L 600
27 RSS30065K 1.4 30 1 650 TO-247-3L 600
28 RSS40065K 1.35 40 6 650 TO-247-3L 600
29 RSS50065W 1.5 50 2 650 TO-247-2L 600
30 RSS60065K 1.5 60 2 650 TO-247-3L 600
31 RSS02120D 1.38 2 1 1200 TO-252 2500
32 RSS10120A 1.43 10 2 1200 TO-220-2L 1000
33 RSS10120W 1.43 10 2 1200 TO-247-2L 600
34 RSS15120W 1.55 15 5 1200 TO-247-2L 600
35 RSS20120W 1.45 20 2 1200 TO-247-2L 600
36 RSS20120K 1.45 20 2 1200 TO-247-3L 600
37 RSS30120W 1.5 30 5 1200 TO-247-2L 600
38 RSS30120K 1.55 30 5 1200 TO-247-3L 600
39 RSS40120K 1.45 40 2 1200 TO-247-3L 600
40 RSS40120W 1.45 40 2 1200 TO-247-2L 600
41 RSS50120W 1.4 50 30 1200 TO-247-2L 600
42 RSS25170W 1.55 25 5 1700 TO-247-2L 600
43 RSS10200W 1.45 10 8 2000 TO-247-2L 600
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No. Part No. VF（V）Typ (TA=25℃) IF（A）TC=145℃(TA=25℃) Typ IR（µA）(TA=25℃) VR（V）(TA=25℃) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

SBD aus Siliziumkarbid mit hoher Leistung und extrem niedrigem Rückwärtsstrom

Beschreibung des Produkts:

Silicon Carbide SBD (SiC Schottky Barrier Diode) ist ein leistungsdiskretes Gerät mit hoher Temperaturbeständigkeit und hoher Effizienz.Gleichstrom-/Wechselstromumrichter für die Erzeugung von Solar- und WindenergieEs basiert auf der nationalen militärischen Standard-Produktionslinie, die den Prozess stabil und die Qualität zuverlässig macht.Das Produkt verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Rückwärtsstrom, geringer Vorwärtsspannungsabfall und geringer Leckstrom, was ihn zur idealen Wahl für Leistungselektronikdesigns macht.Es ist auch in der Lage, bei Temperaturen bis zu 200 °C zu arbeiten und hat eine hohe WärmeleitfähigkeitSeine überlegene Leistung macht ihn zu einer idealen Wahl für Hochleistungsanwendungen.

Technische Parameter:

Eigenschaften Spezifikationen
Produktbezeichnung Silikonkarbid SBD/SiC SBD
Material Siliziumkarbid
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Macht Hohe Macht
Häufigkeit Hochfrequenz
Wärmebeständigkeit Hochtemperaturbeständigkeit
Effizienz Hohe Effizienz
Eigenschaften Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung
Anwendung PFC-Schaltkreis, Gleichstrom-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Stromversorgung, Motorantrieb usw.
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
 

Anwendungen:

REASUNOS Silicon Carbide Schottky-Rectifier Diode (SBD Silicon Carbide) ist ein ideales Bauteil für Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.Mit extrem niedrigem Rückwärtsstrom und starker Überspannungskraft, ist es weit verbreitet in PFC-Schaltkreis, DC / AC-Wechselrichter für Solar- und Windenergie, UPS-Stromversorgung, Motor-Treiber, etc.Die Schottky-Rectifier-Diode besteht aus Siliziumkarbid-Material mit einem staubdichten, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Karton verpackt, hat einen wettbewerbsfähigen Preis und eine schnelle Lieferzeit von 2-30 Tagen, je nach Gesamtmenge.Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat, und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Silicon Carbide SBD bietet technische Unterstützung und Dienstleistungen, um unseren Kunden zu helfen, die Leistung ihrer Produkte und Anwendungen zu maximieren.Unser erfahrenes technisches Team kann Lösungen für technische Fragen und Probleme bieten, und Orientierungshilfen für Best Practices bei der Konzeption und Umsetzung.

Wir bieten vor Ort technische Dienstleistungen für die Installation, Integration und Wartung von Silicon Carbide SBD-Produkten.einschließlich Fehlerbehebung und Problemlösung.

Wir bieten eine Vielzahl von Schulungsmöglichkeiten an, einschließlich Online- und vor Ort und maßgeschneiderter Schulungen, um den Bedürfnissen unserer Kunden gerecht zu werden. Our trainers have extensive experience in the application of Silicon Carbide SBD technology and can provide the knowledge and skills necessary to maximize the effectiveness of your product or application.

Unser technischer Support und unsere Dienstleistungen sind rund um die Uhr, sieben Tage die Woche, verfügbar und können per Telefon, E-Mail oder unserem Online-Support-Portal abgerufen werden.

 

Verpackung und Versand:

Silicon Carbide SBD wird gemäß den folgenden Richtlinien verpackt und versandt:

  • Verpackung: Das Produkt ist sicher in einem versiegelten Behälter oder Karton verpackt.
  • Versand: Das Produkt wird über einen seriösen Spediteur wie FedEx, UPS oder DHL versandt.
 

Häufige Fragen:

F1: Was ist Siliziumkarbid SBD?

A1: Siliziumkarbid SBD ist ein Halbleitermaterial von REASUNOS mit hoher elektrischer und hervorragender Wärmeleitfähigkeit.Es ist ideal für den Einsatz in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.

F2: Wo wird Silicon Carbide SBD hergestellt?

A2: Silicon Carbide SBD wird von REASUNOS in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie viel kostet die SBD aus Siliziumkarbid?

 

A3: Der Preis für Siliziumkarbid SBD hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Details.

F4: Wie lange dauert die Lieferzeit für Silicon Carbide SBD?

A4: Die Lieferzeit für Silicon Carbide SBD beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.

F5: Welche Zahlungsbedingungen stehen für Silicon Carbide SBD zur Verfügung?

A5: REASUNOS akzeptiert Zahlungsbedingungen von 100% T/T im Voraus (EXW).

Umbauten:

Silikon-Schottky-Barriere-Rectifier-Diode

Multifunktionale Superbarriere-Diode

Silikonkarbid SBD praktisch