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parole chiave [ practical high power semiconductor ] incontro 31 prodotti.
Funzione multifunzione di tipo N per convertitori
| Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
| Resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola |
PFC Circuit Super Junction MOSFET Practical Multiscene tipo N
| Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
| Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |
Interruttore Mosfet pratico a bassa potenza, transistor multifunzionale a bassa tensione
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |
|---|---|
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
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Diodo di rettificatore Schottky elettronico pratico, MBRF2045CT SiC Diodo di barriera Schottky
| Perdita: | Perdita bassa |
|---|---|
| Nome del prodotto: | Diodi di barriera di Schottky |
| Caratteristiche: | Diminuzione di tensione verso l'avante, bassa perdita, tempo di recupero inverso estremamente breve |
Rettificatore Schottky di potenza multifunzione pratico MBRF20100CT
| Costo: | Basso costo |
|---|---|
| Perdita: | Perdita bassa |
| Caratteristiche: | Diminuzione di tensione verso l'avante, bassa perdita, tempo di recupero inverso estremamente breve |
MOSFET a bassa tensione ad alta capacità EAS per la ricarica wireless
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Low Voltage MOSFET Trench Process High Efficiency Motor Driver per la stazione base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Resistenza alle alte temperature per il circuito PFC
| Vantaggi: | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
|---|---|
| Nome del prodotto: | SBD del carburo di silicio/Sic SBD |
| Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |
Alta efficienza bassa perdita di potenza basso voltaggio MOSFET processo di trincea/SGT
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |
Capacità EAS elevata Rds basso ((ON) processo di trincea MOSFET rettifica sincrona
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |