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Beleuchtung Stabil Hochleistungs-MOSFET-Multiscene Hochgeschwindigkeitsschalter
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xProduktdetails
| Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu | Einheitentyp | MOSFET |
|---|---|---|---|
| Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, | Macht | Hohe Leistung |
| Widerstand | Geringer Widerstand | Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Produktbezeichnung | MOSFET der hohen Leistung | Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Hervorheben | MOSFET für die Beleuchtung mit hoher Leistung,Stabiles Hochleistungs-MOSFET,Multiscene Hochgeschwindigkeits-Leistungs-Mosfet |
||
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
| 3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
| 5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
| 7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
| 8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
| 1 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | |
| 3 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | |
| 4 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | |
| 5 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | |
| 6 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | |
| 7 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 |
Produkt-Beschreibung
Hochfrequente MOSFET
Beschreibung des Produkts:
High Power MOSFET ist eine Art Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, die mit hoher Frequenz arbeitet und einen hohen Wirkungsgrad bietet.mit stabilem Prozess und zuverlässiger QualitätEs eignet sich für Anwendungen mit hohem Strom und hoher Spannung wie Stromversorgungen, Gleichspannungs-Gleichspannungsumrichter, Motorantriebe, Beleuchtung und andere hohe Leistungsanforderungen.Es ist mit fortschrittlicher Technologie ausgelegt.Es hat auch eine ausgezeichnete thermische Leistung, die es für Hochstrom- und Hochleistungsanwendungen geeignet macht.Es verfügt über eine breite Palette von Strom- und Spannungswerte, so dass es für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist.
High Power MOSFET bietet viele Vorteile, wie z. B. geringe Gate-Antriebsleistung, hohe Stromkapazität, geringen Widerstand und die Fähigkeit, mit hoher Spannung umzugehen.Es hat eine ausgezeichnete Leistungsdichte und Effizienz.Es bietet außerdem eine ausgezeichnete thermische Leistung, so dass es ohne Probleme bei hohen Temperaturen und hohen Frequenzen arbeiten kann.Mit seinem robusten Design, kann es ohne Probleme bei Hochstrom- und Hochspannungsanwendungen umgehen.
High Power MOSFET ist die perfekte Wahl für diejenigen, die hohe Leistung und hohe Effizienz in ihren Anwendungen benötigen.Es ist eine ideale Wahl für Hochstrom- und HochspannungsanwendungenEs basiert auf der nationalen militärischen Standard-Produktionslinie, mit stabilem Prozess und zuverlässiger Qualität, was es zur besten Wahl für hohe Leistung und hohe Effizienzanforderungen macht.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | Hochleistungs-MOSFET |
|---|---|
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Typ | N |
| Macht | Hohe Macht |
| Gerätetypen | MOSFET |
| Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
| Effizienz | Hohe Effizienz |
| Widerstand | Niedriger Widerstand |
| Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
Anwendungen:
REASUNOS Hochleistungs-MOSFET: Das ultimative Hochspannungs-FET
REASUNOS High Power MOSFET ist das ideale Gerät für Anwendungen, die hohe Spannung und hohe Leistung erfordern.Dieses Gerät besteht aus hochwertigen Materialien und wird in einer militärischen Produktionslinie hergestellt, um maximale Zuverlässigkeit zu gewährleisten.Der Preis dieses Geräts hängt vom gewählten Produkt ab und ist in GB+Master Karton erhältlich.und es akzeptiert Zahlungen in Form von 100% T/T im Voraus (EXW). Mit seiner Fähigkeit, bis zu 5KK pro Monat zu produzieren, ist REASUNOS High Power MOSFET die perfekte Wahl für jede anspruchsvolle Anwendung.
Dieses leistungsstarke MOSFET ist so konzipiert, dass es höchste Effizienzstandards und geringe Widerstände erfüllt.und seine Zuverlässigkeit ist unübertroffen.Daher ist es die perfekte Wahl für Anwendungen, die hohe Effizienz und geringen Widerstand erfordern, wie z. B. Solarenergiesysteme, Automobil- und medizinische Geräte.Sie können sich auf höchste Qualität und Leistung verlassen.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochleistungs-MOSFET
Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochleistungs-MOSFET-Produkte an. Unser Expertenteam ist rund um die Uhr zur Verfügung, um bei der Produktauswahl, Installation, Fehlerbehebung zu helfen,Und noch mehr.
Unsere Mitarbeiter für technische Unterstützung sind in einer Vielzahl von Anwendungen gut informiert und können Ihnen Anleitungen zu Produktspezifikationen und -merkmalen geben.sowie Hilfe bei Produktfehlern.
Wir bieten auch vor Ort Schulungen für Hochleistungs-MOSFET-Produkte an. Unser Expertenteam kann Ihnen praktische Anweisungen und Anleitungen geben, damit Sie das Beste aus Ihren Produkten herausholen können.
Für weitere Informationen über unsere technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochleistungs-MOSFET-Produkte kontaktieren Sie uns bitte noch heute.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochleistungs-MOSFET
High Power MOSFET wird sicher in statisch-dissipative Verpackungen verpackt und in einem robusten Behälter mit ausreichender Polsterung versandt, um das Produkt zu schützen und seine sichere Ankunft zu gewährleisten.
Der Behälter ist mit Klebeband versiegelt und mit entsprechenden Versandinformationen und einer Warnung gegen das Öffnen oder Beschädigen der Verpackung versehen.
Das Produkt wird mit einem Tracking-Code versandt, um die Lieferung zu gewährleisten, und kann auch online verfolgt werden.
Häufige Fragen:
F1: Was ist ein REASUNOS Hochleistungs-MOSFET?
A1: REASUNOS High Power MOSFET ist eine Art von Metalloxid-Halbleiternfeldwirkungstransistor (MOSFET), der für hohe Leistungsbelastungen ausgelegt ist.
F2: Wo wird REASUNOS High Power MOSFET hergestellt?
A2: REASUNOS High Power MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F3: Wie viel kostet das REASUNOS Hochleistungs-MOSFET?
A3: Der Preis für REASUNOS High Power MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
F4: Wie ist die Verpackung von REASUNOS High Power MOSFET?
A4: REASUNOS High Power MOSFET ist in GB+Master Karton verpackt.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit für REASUNOS High Power MOSFET?
A5: Die Lieferzeit für REASUNOS High Power MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
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