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mots clés [ high power mosfet ] rencontre 182 produits.
MOSFET à haute tension pratique à l'épreuve de la chaleur 300V-1500V pour demi-pont
| Avantages: | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara |
|---|---|
| Application du transistor MOSFET Ultra-HT: | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie |
| Technologie: | Transistor MOSFET |
MOSFET de puissance à basse tension à tranchée durable, MOSFET de tension de seuil ultra bas SGT
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
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Convertisseur stable de puissance de silicium Mosfet, carbure de silicium ISO de puissance de silicium semi-conducteurs
| Type de dispositif: | Transistor MOSFET |
|---|---|
| Matériel: | Carbure de silicium |
| Le type: | N |
300V de puissance stable à haute tension Mosfet, conducteur LED Transistor à commutation rapide
| dissipation thermique: | Grande dissipation thermique |
|---|---|
| Le type: | N |
| Application du transistor MOSFET Ultra-HT: | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie |
Mosfets à faible puissance polyvalents, N-Channel Mosfet Voltage de seuil bas
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Un mousquet de puissance à superjonction durable, un mousquet anti-surtension.
| Capacité: | Capacité de jonction très réduite |
|---|---|
| le paquet: | Paquet ultra petit |
| Type de dispositif: | Dispositifs discrets de puissance |
60V 150V basse tension haut courant Mosfet durable multi-fonction
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Transistors Mosfet à faible puissance 20V 60V pour la charge sans fil
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
|---|---|
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
SGT Puissance à basse tension industrielle Mosfet, Mosfet stable Voltage de seuil de basse porte
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Transistors Mosfet à faible puissance multi-scène SGT Stable avec basse tension de seuil
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |