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parole chiave [ high power mosfet ] incontro 182 prodotti.
MOSFET ad alta tensione pratico a prova di calore 300V-1500V per mezzo ponte
| Vantaggi: | Tecnologia di verniciatura variabile laterale nuova, potere speciale MOS Structure, caratteristiche |
|---|---|
| Applicazione del MOSFET Ultra-alta tensione: | Metro astuto, alimentazione elettrica del Governo, alimentazione elettrica di commutazione industria |
| Tecnologia: | MOSFET |
MOSFET di potenza a bassa tensione di fossa durevole, MOSFET di soglia ultra bassa SGT
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
|---|---|
| efficienza: | Alta efficienza e affidabilità |
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
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Convertitore stabile Sic Power Mosfet, ISO Silicon Carbide Sic Power Semiconductors
| Tipo di dispositivo: | MOSFET |
|---|---|
| Materiale: | Carburo di silicio |
| Tipo: | N |
Potenza stabile ad alta tensione di 300V Mosfet, Transistor a guida a LED con commutazione rapida
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
|---|---|
| Tipo: | N |
| Applicazione del MOSFET Ultra-alta tensione: | Metro astuto, alimentazione elettrica del Governo, alimentazione elettrica di commutazione industria |
Mosfetti multiuso a bassa potenza, N-Channel Mosfet bassa tensione di soglia
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
|---|---|
| Processo di struttura: | Trincea/SGT |
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |
Mosfet di potenza di super giunzione resistente, Mosfet anti-surge N Channel
| Capacità: | Capacità di giunzione ultrabassa |
|---|---|
| pacchetto: | Pacchetto ultra piccolo |
| Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |
60V 150V Basso Voltaggio Alta Corrente Mosfet Durable Multi Function
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
|---|---|
| efficienza: | Alta efficienza e affidabilità |
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
Transistor Mosfet a bassa potenza 20V 60V pratici per la ricarica wireless
| Vantaggi del processo di trincea: | RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili |
|---|---|
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
SGT Potenza a bassa tensione industriale Mosfet, Mosfet stabile
| Processo di struttura: | Trincea/SGT |
|---|---|
| Vantaggi del processo di trincea: | RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili |
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
Transistori Mosfet a bassa potenza multiscene SGT stabili con bassa tensione soglia
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
|---|---|
| Nome del prodotto: | MOSFET a bassa tensione |
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |