ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
Multiscene Ultra High Voltage Power Transistor 500V สําหรับอุตสาหกรรม
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| การประยุกต์ใช้งาน HV Mosfet | ไดร์เวอร์ LED, อะแดปเตอร์, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ ฯลฯ | คะแนนแรงดันไฟฟ้า | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ |
|---|---|---|---|
| ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง | เทคโนโลยี | มอสเฟต |
| แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ | การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A |
| การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี | แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
| เน้น | ทรานซิสเตอร์พลังงานความดันสูงหลายฉาก,ทรานซิสเตอร์พลังงานความดันสูง 500V,ทรานซิสเตอร์แรงดันสูงสุดอุตสาหกรรม |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
รายละเอียดสินค้า
MOSFET ความดันสูงสุดที่มีความต้านทานต่ํา เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่
คําอธิบายสินค้า:
มอสเฟตความดันสูง (High Voltage MOSFET) เป็นชนิดใหม่ของทรานซิสเตอร์มอสเฟตพลังงานที่มีความดันสูงและความดันสูงสุด โดยใช้เทคโนโลยีดอปปิ้งตัวแปรด้านหลังล่าสุดที่สามารถบรรลุได้ต่ํากว่า 1μA, และมีลักษณะที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง MOSFET ความดันสูงนี้มีข้อดีมากมาย เช่น ประสิทธิภาพสูง, ความเร็วการสลับสูง, และความต้านทานต่ํามันถูกใช้อย่างแพร่หลายในเครื่องวัดสมาร์ท, เครื่องพลังงานตู้, เครื่องพลังงานสลับอุตสาหกรรมและระบบพลังงานไฟฟ้า, เป็นต้น
เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านล่างที่โดดเด่นทําให้โอไซด์ประตูของ Ultra-HV MOSFET สามารถทนต่อความดันสูงและอุณหภูมิสูงได้โครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษให้ความแรงดันสูงและความแรงดัน ultra-high การทํางาน. MOSFET พลังงานความดันสูงมีกระแสรั่วที่ต่ําและลักษณะที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง ทําให้มันเป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งานอุณหภูมิสูง
MOSFET ความดันสูงเป็นทางออกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานที่ต้องการความดันสูงและผลงานความดันสูงสุดมันยังเหมาะสําหรับการใช้งานที่ต้องการกระแสรั่วน้อยและลักษณะที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูงด้วยผลงานที่ดีที่สุด MOSFET ความดันสูง เป็นทางเลือกที่ดีที่สุดสําหรับการใช้งานพลังงาน
ปริมาตรเทคนิค:
| เทคโนโลย | MOSFET |
|---|---|
| HV Mosfet การใช้งาน | ไดรฟ์ LED, อดอปเตอร์, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ เป็นต้น |
| ระดับความกระชับกําลัง | ความดันสูง/ความดันสูงสุด |
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ํา |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
| การใช้งาน FRD HV MOSFET ที่ติดตั้ง | เครื่องยนต์ซีรีส์ อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น |
| การใช้งาน MOSFET Ultra-HV | เครื่องวัดอัจฉริยะ เครื่องไฟฟ้ากระบวนการ เครื่องไฟฟ้าเปลี่ยนอุตสาหกรรม เครื่องไฟฟ้าระบบไฟฟ้า เป็นต้น |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μ A |
| ประเภท | N |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
การใช้งาน:
Reasunos high voltage fet, hv mosfet และ ultra-hv MOSFET เป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งานในวงจรมอเตอร์ซีรีส์, อินเวอร์เตอร์, half bridge/full bridge และอื่นๆด้วยความต้านทานที่ต่ํา และเทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนทางด้านใหม่, พลังงานพิเศษโครงสร้าง MOS, คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง, ผลิตภัณฑ์นี้เป็นทางเลือกที่ดี.
สินค้านี้ถูกผลิตในกรุงกวนดง ประเทศจีน และมีราคาที่สามารถแข่งขันได้ ขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งซื้อและบรรจุท่อแบบต้านสแตติกภายในกล่องกระดาษในกล่องกล่อง การจัดส่งเวลาโดยทั่วไประหว่าง 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดและการชําระเงินที่ต้องการล่วงหน้าผ่าน 100% T / T (EXW)Reasunos มีศักยภาพในการจัดส่ง 5KK / เดือน.
การสนับสนุนและบริการ:
การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความดันสูง
เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคที่น่าเชื่อถือ และบริการสําหรับลูกค้า MOSFET ความดันสูงทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราประกอบด้วย วิศวกรและเทคนิคที่มีความชํานาญและมีความรู้สูง ที่มีประสบการณ์ที่กว้างขวางใน MOSFET ความดันสูง.
เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่ครบวงจร สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของเราและช่วยลูกค้าในการปรับปรุงการออกแบบระบบของพวกเขาเรายังให้การฝึกอบรมและการสนับสนุนทางเทคนิคในสถานที่สําหรับลูกค้าที่ต้องการความช่วยเหลือกับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของพวกเขา
การสนับสนุนและบริการทางเทคนิคของเรามีให้บริการตลอด 24 ชั่วโมง 7 วันต่อสัปดาห์และทีมงานของเราก็พร้อมตอบทุกคําถาม หรือความกังวลของลูกค้า.
เรายังให้โปรแกรมและฟอร์มแวร์อัพเดทเป็นประจํา เพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของเราจะทันสมัยและยังคงเชื่อถือได้เรายังให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการสําหรับลูกค้าของเรา.
เราพยายามที่จะให้ลูกค้าของเราที่มีการสนับสนุนทางเทคนิคที่ดีที่สุดและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของพวกเขาทีมงานของเรามุ่งมั่นในการให้บริการลูกค้าที่ดีที่สุด และให้ลูกค้าของเรามีประสบการณ์ที่ดีกับสินค้าของเรา.
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันสูง
MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุและส่งในวัสดุที่ปลอดภัยจากสแตติก สินค้าถูกคุ้มกันจากการกระแทก, การสั่นสะเทือน, และการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิมันถูกบรรจุในถังที่ปลอดภัยจาก ESD และส่งไปในกล่องกระโปรง
กล่อง มี ใบ ติด ชื่อ ของ สินค้า, เบอร์ รุ่น, และ รายละเอียด ที่เกี่ยวข้อง อื่น ๆ. มัน ยัง มี รายการ เติม ใส่ เพื่อ รับรอง ว่า ลูกค้า ได้ รับ สินค้า ทั้งหมด ที่ เขา สั่ง.จากนั้นกล่องจะปิดและปิดด้วยเทป เพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์จะมาถึงอย่างปลอดภัย.
FAQ:
Q1: MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A1: MOSFET ความดันสูง เป็นชนิดของ MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ที่สามารถจัดการความดันสูง โดย Reasunos
Q2: Reasunos ผลิต MOSFET ความดันสูงที่ไหน?
A2: Reasunos ผลิต MOSFET ความดันสูงในกวนดง, จีน.
คําถามที่ 3: ราคาเท่าไหร่?
A3: ราคาของ MOSFET ความดันสูงขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์; กรุณาติดต่อ Reasunos สําหรับราคายืนยัน.
Q4: มันบรรจุยังไง?
A4: MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น, กันน้ําและกันสแตติก, วางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกล่อง
Q5: เวลาในการจัดส่งคืออะไร?
A5: ระยะเวลาการจัดส่งของ MOSFET ความดันสูงคือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
แนะนำผลิตภัณฑ์
