LED Driver Super Junction MOSFET Anti Surge Anti EMI Piccola resistenza interna

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potere Capacità Capacità di giunzione ultrabassa
Nome del prodotto Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET Margine di EMI Grande EMI Margin
pacchetto Pacchetto ultra piccolo Applicazione Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime
Tipo N Resistenza interna Resistenza interna ultra piccola
Evidenziare

MOSFET a super giunzione del driver LED

,

Super Junction MOSFET Anti Surge

,

Anti EMI Super Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a super giunzione per driver a LED con eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge

Descrizione del prodotto:

MOSFET a super giunzione con pacchetto ultra piccolo e margine EMI elevato

I MOSFET a super giunzione sono una scelta ideale per applicazioni quali driver a LED, circuito PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua e attrezzature elettriche a nuova energia.Con il suo pacchetto ultra piccolo e il suo margine EMI elevato è altamente efficiente e affidabile.

Il grande margine EMI dei MOSFET a super giunzione è ottenuto grazie alla sua capacità di giunzione ultra-bassa, che aiuta a ridurre il rumore EMI dal circuito.si traduce in un funzionamento più efficiente e affidabileInoltre, la dimensione del pacchetto ultra piccolo dei MOSFET Super Junction ne fa una scelta adatta per applicazioni in cui lo spazio della scheda è limitato.

Nel complesso, i MOSFET Super Junction sono progettati per fornire prestazioni e affidabilità massime in una varietà di applicazioni.Il loro grande margine EMI e il loro pacchetto ultra piccolo li rendono una scelta ideale per LED Driver, circuito PFC, alimentazione di commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua e nuove attrezzature di energia.

 

Parametri tecnici:

Attributo Valore
Pacco Confezione ultrapiccola
Vantaggi E' realizzato con il processo di epitaxia a più strati, ha eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge rispetto al processo di trench.
Resistenza interna Resistenza interna molto piccola
Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potenza
Applicazione Guida LED, circuito PFC, alimentazione a commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua, apparecchiature di alimentazione a nuova energia, ecc.
Margine di emissione Grandi margini di IME
Capacità Capacità di giunzione ultra-bassa
Nome del prodotto MOSFET/SJ MOSTET a super giunzione
Tipo N
 

Applicazioni:

MOSFET a super giunzione:Questo transistor a effetto campo a super giunzione di ossido metallico semiconduttore di marca REASUNOS (sj mosfet) è realizzato a Guangdong, CN.contenenti, in peso, 0,25% o più, ma non più di 0,25% di acido acido. Il suo tempo di consegna è di 2-30 giorni (Dipende dalla quantità totale) e i termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo ((EXW). La capacità di fornitura è di 5KK / mese. È realizzato da processo di epitaxia multi-livello.Rispetto al processo di trincea, ha eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge. È adatto per driver a LED, circuito PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua, attrezzature elettriche di nuova energia, ecc.È un dispositivo discreto di potenza con tipo N.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e assistenza al MOSFET Super Junction

Forniamo supporto tecnico e assistenza per i nostri prodotti MOSFET Super Junction, in modo che i clienti possano ottenere le migliori prestazioni dai loro dispositivi.

Il nostro team di supporto tecnico è disponibile per rispondere a qualsiasi domanda relativa al prodotto o fornire assistenza con l'installazione e la configurazione.

Offriamo anche una garanzia completa sui nostri prodotti MOSFET Super Junction. Questa garanzia copre eventuali difetti nei materiali e nella lavorazione, nonché qualsiasi altro problema inaspettato che possa sorgere.

Se avete domande o avete bisogno di assistenza, non esitate a contattarci. Il nostro team è disponibile 24 ore su 24 per aiutarvi a ottenere il massimo dal vostro MOSFET Super Junction.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione

I MOSFET Super Junction vengono confezionati e spediti in formato tubo o nastro e bobina.

I tubi sono rivestiti di schiuma e sigillati in sacchetti di plastica, mentre le parti a nastro e bobina sono confezionate in sacchetti antistatici con un essiccante.

 

FAQ:

D: Cos'è il MOSFET di super giunzione?
A: Super Junction MOSFET è un tipo di MOSFET che utilizza i progressi nella tecnologia di processo per ridurre la resistenza di accensione del dispositivo.di una lunghezza di 20 mm o più, controllo motore e alimentatori.
D: Qual è il marchio di Super Junction MOSFET?
R: Il marchio di Super Junction MOSFET è REASUNOS.
D: Dov'è il luogo di origine del MOSFET Super Junction?
R: Il luogo di origine del MOSFET a super giunzione è il Guangdong, in Cina.
D: Qual è il prezzo del Super Junction MOSFET?
R: Il prezzo del Super Junction MOSFET dipende dal prodotto, per ulteriori informazioni contattaci.
D: Come viene imballato il MOSFET Super Junction?
A:Il MOSFET Super Junction è confezionato con un imballaggio tubulare antirughe, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
D: Quanto tempo ci vuole per consegnare il Super Junction MOSFET?
R: Di solito ci vogliono 2-30 giorni per consegnare il Super Junction MOSFET, a seconda della quantità totale.