REACH 高電流モスフェット 安定 Nチャネル金属酸化半導体

起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 GB+マスター・カートン
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
タイプ N 製品名 高い発電MOSFET
頻度 高周波 パワー 高い発電
抵抗 低いオン抵抗 装置タイプ MOSFET
適用する ソーラーインバータ、高圧DC/DCコンバータ、モータドライバ、UPS電源、スイッチング電源、充電パイルなど 利点 国家軍事規格の生産ラインに基づいており、プロセスは安定しており、品質は信頼できます
ハイライト

REACH 高電流電源モスフェット

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Nチャンネル 高電流電源モスフェット

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安定したNチャネル金属酸化半導体

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

製品説明:

高電圧MOSFETは,高電圧と低電阻を持つ高電圧FET (フィールド効果トランジスタ) の種類である.高効率で,幅広い用途に適している.ソーラーインバーターなど高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバー,UPS電源,スイッチ電源,充電台など. 高電源MOSFETは信頼性の高い,高電圧および高電力アプリケーションのための費用対効果の高いソリューション. スイッチ損失を最小限に抑えながら優れたパフォーマンスを提供することができる. 高度な設計により,電力消費を削減し,システムの効率を向上させることができます.高電圧用には理想的な選択です高電圧MOSFET,高電圧FET,および高電源MOSFETアプリケーションに最適です.

 

技術パラメータ:

製品名 特徴
高功率MOSFET 効率: 高効率
抵抗力: 抵抗力 が 低い
適用:太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換機,モータードライバー,UPS電源,スイッチング電源,充電堆,など
権力: 高い力
頻度: 高頻度
装置タイプ:MOSFET
タイプ:N
利点は: 国軍標準生産ラインに基づいて,プロセスは安定し,品質は信頼性があります
 

応用:

REASUNOS ハイパワー MOSFETは,幅広いアプリケーションで高効率と高周波を提供するために設計された高性能デバイスです.装置は,高電圧 (HV) 出力と高電流出力を提供することができますこのMOSFETは,高電力効率により,電力管理,電力変換,データ取得などのアプリケーションに最適です.また,低電阻と低ゲート充電高い電力密度と低電力消費を可能にします

REASUNOS 高電力のモスフェットの主要特徴は,高電圧出力,高電流出力,高効率,高周波,低電阻,低ゲート充電,そして高電力密度このデバイスは,電力管理,電力変換,データ取得などの幅広いアプリケーションで,大きな柔軟性も提供しています.デバイスは競争力のある価格で,GB+Master カートンパッケージで提供されています.配送時間は,注文された総量に応じて 2-30 日間で,支払い条件は 100% T/T アドバンス (EXW) です. 5KK / 月までの供給能力で,効率的で信頼性の高いHV MOSFETを探している人にとって完璧な選択です.

 

サポートとサービス

高功率 MOSFET 技術サポートとサービス

高電力モスフェット製品に 総合的な技術サポートとサービスを提供できることを誇りに思います経験豊富なエンジニアと技術者のチームは,技術的な質問やトラブルシューティングに役立つために利用可能です携帯,メール,オンラインサポートポータルでサポートできます.

オンライン・チュートリアルやウェブ・セミナーや顧客が私たちの製品についてもっと学ぶための簡単な方法を提供し,それらを最大限に活用する方法です.

顧客への最高レベルのサービスも提供しています 製品が顧客プロジェクトにとって重要な要素であることを理解しています可能な限り最高の顧客サービス体験を提供するために努力しています必要なときはいつでも質問に答え 援助やサポートをします

 

梱包と輸送:

高功率MOSFETの梱包と輸送:

  • すべての製品は,シールされた防静電袋に泡のパッシングで包装されています.
  • 送料は通常,FedEx,UPSまたはDHLなどの信頼できるキャリアを通じて行われます.
  • 商品が発送されるとすぐに追跡情報は提供されます.
 

FAQ:

  1. Q: 高性能MOSFETのブランド名は何ですか?
    A: ブランドはREASUNOSです
  2. Q: 高性能MOSFETの原産地は?
    A: 原産地は中国広東です
  3. Q: 高性能MOSFETの価格は?
    A: 商品の価格は製品によって確認されます.
  4. Q: 高性能MOSFETのパッケージの詳細は?
    A: 梱包の詳細はGB+マスターカートンです.
  5. Q: 高性能MOSFETの配達時間は?
    A: 配送時間は2~30日です. 総量によって異なります.
  6. Q: 高電力 MOSFET の支払い条件は?
    A: 支払条件は100%T/T (EXW) です.
  7. Q: 高電力MOSFETの供給能力は?
    A: 供給能力は月5KKです