REACH উচ্চ বর্তমান ক্ষমতা Mosfet, স্থিতিশীল এন চ্যানেল ধাতু অক্সাইড অর্ধপরিবাহী

উৎপত্তি স্থল গুয়াংডং, সিএন
পরিচিতিমুলক নাম REASUNOS
মূল্য Confirm price based on product
প্যাকেজিং বিবরণ GB+মাস্টার শক্ত কাগজ
ডেলিভারি সময় 2-30 দিন (মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে)
পরিশোধের শর্ত 100% T/T অগ্রিম (EXW)
যোগানের ক্ষমতা 5KK/মাস

বিনামূল্যে নমুনা এবং কুপন জন্য আমার সাথে যোগাযোগ করুন.

হোয়াটসঅ্যাপ:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

স্কাইপ: sales10@aixton.com

আপনার কোন উদ্বেগ থাকলে, আমরা 24-ঘন্টা অনলাইন সহায়তা প্রদান করি।

x
পণ্যের বিবরণ
প্রকার এন পণ্যের নাম উচ্চ ক্ষমতা MOSFET
ফ্রিকোয়েন্সি উচ্চ তরঙ্গ শক্তি উচ্চ ক্ষমতা
প্রতিরোধ কম প্রতিরোধ ক্ষমতা ডিভাইসের ধরন MOSFET
প্রয়োগ সোলার ইনভার্টার, হাই-ভোল্টেজ ডিসি/ডিসি কনভার্টার, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, সুইচিং পাওয সুবিধাদি ন্যাশনাল মিলিটারি স্ট্যান্ডার্ড প্রোডাকশন লাইনের উপর ভিত্তি করে, প্রক্রিয়াটি স্থিতিশীল এবং গুণমান ন
বিশেষভাবে তুলে ধরা

REACH উচ্চ বর্তমান শক্তি Mosfet

,

এন চ্যানেল হাই স্ট্রিম পাওয়ার মোসফেট

,

স্থিতিশীল এন চ্যানেল মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর

আপনি আপনার প্রয়োজনীয় পণ্যগুলি টিক দিতে পারেন এবং বার্তা বোর্ডে আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
একটি বার্তা রেখে যান
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
পণ্যের বর্ণনা

পণ্যের বর্ণনাঃ

হাই পাওয়ার MOSFET একটি উচ্চ ভোল্টেজ FET (ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর) এর একটি প্রকার যা উচ্চ শক্তি এবং কম প্রতিরোধের সাথে। এটি উচ্চ দক্ষতার বৈশিষ্ট্যযুক্ত এবং বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত,যেমন সৌর ইনভার্টার, উচ্চ-ভোল্টেজ ডিসি / ডিসি রূপান্তরকারী, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, চার্জিং পিল, ইত্যাদি। হাই পাওয়ার MOSFET একটি নির্ভরযোগ্য,উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ ক্ষমতা অ্যাপ্লিকেশন জন্য খরচ কার্যকর সমাধান. এটি সুইচিংয়ের ক্ষতি হ্রাস করার সময় দুর্দান্ত পারফরম্যান্স সরবরাহ করতে সক্ষম। এর উন্নত নকশার সাথে এটি শক্তি খরচ হ্রাস করতে এবং সিস্টেমের দক্ষতা বাড়াতে সক্ষম।হাই পাওয়ার MOSFET উচ্চ ভোল্টেজের জন্য আদর্শ পছন্দ, উচ্চ ক্ষমতা অ্যাপ্লিকেশন, এবং এইচভি MOSFET, উচ্চ ভোল্টেজ FET, এবং উচ্চ ক্ষমতা MOSFET অ্যাপ্লিকেশন জন্য নিখুঁত পছন্দ।

 

টেকনিক্যাল প্যারামিটারঃ

পণ্যের নাম বৈশিষ্ট্য
উচ্চ ক্ষমতা MOSFET দক্ষতা: উচ্চ দক্ষতা
প্রতিরোধ ক্ষমতা: কম প্রতিরোধ ক্ষমতা
প্রয়োগঃ সৌর ইনভার্টার, উচ্চ-ভোল্টেজ ডিসি / ডিসি রূপান্তরকারী, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, চার্জিং পিল ইত্যাদি
ক্ষমতা: উচ্চ ক্ষমতা
ফ্রিকোয়েন্সিঃ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি
ডিভাইসের ধরনঃ MOSFET
প্রকারঃ N
সুবিধাঃ জাতীয় সামরিক মান উত্পাদন লাইন উপর ভিত্তি করে, প্রক্রিয়া স্থিতিশীল এবং গুণমান নির্ভরযোগ্য
 

অ্যাপ্লিকেশনঃ

REASUNOS হাই পাওয়ার MOSFET একটি উচ্চ-কার্যকারিতা ডিভাইস যা বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চ দক্ষতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সরবরাহ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।ডিভাইস উচ্চ ভোল্টেজ (এইচভি) আউটপুট এবং একটি উচ্চ বর্তমান আউটপুট প্রদান করতে সক্ষম, যা এটিকে বিভিন্ন শক্তি সম্পর্কিত প্রয়োজনের জন্য আদর্শ করে তোলে। এর উচ্চ শক্তি দক্ষতার সাথে, এই এমওএসএফইটি পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট, পাওয়ার রূপান্তর এবং ডেটা অধিগ্রহণের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য নিখুঁত।এটি একটি কম প্রতিরোধের এবং কম গেট চার্জ বৈশিষ্ট্য, যা উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং কম শক্তি খরচকে অনুমতি দেয়।

REASUNOS হাই পাওয়ার MOSFET এর কিছু মূল বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে উচ্চ ভোল্টেজ আউটপুট, উচ্চ বর্তমান আউটপুট, উচ্চ দক্ষতা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, কম প্রতিরোধ, কম গেট চার্জ,এবং উচ্চ ক্ষমতা ঘনত্বএই ডিভাইসটি শক্তি ব্যবস্থাপনা, শক্তি রূপান্তর এবং তথ্য অধিগ্রহণের মতো বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলির সাথে দুর্দান্ত নমনীয়তা সরবরাহ করে।ডিভাইসটি একটি প্রতিযোগিতামূলক দামের সাথে আসে এবং GB+Master কার্টন প্যাকেজিংয়ে পাওয়া যায়অর্ডারকৃত মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে ডেলিভারি সময় ২-৩০ দিনের মধ্যে এবং পেমেন্টের শর্তাবলী ১০০% টি/টি ইন অ্যাডভান্স (এক্সডব্লিউ) ।REASUNOS উচ্চ ক্ষমতা MOSFET একটি দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য HV MOSFET খুঁজছেন যে কেউ জন্য নিখুঁত পছন্দ.

 

সহায়তা ও সেবা:

উচ্চ ক্ষমতা MOSFET প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা

আমরা আমাদের হাই পাওয়ার MOSFET পণ্যগুলির জন্য ব্যাপক প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরিষেবা সরবরাহ করতে গর্বিত।আমাদের অভিজ্ঞ প্রকৌশলী এবং প্রযুক্তিবিদদের দল যে কোন প্রযুক্তিগত প্রশ্ন বা সমস্যা সমাধানের জন্য সাহায্যের জন্য উপলব্ধআমাদের প্রযুক্তিগত সহায়তা ফোন, ইমেইল বা আমাদের অনলাইন সহায়তা পোর্টালের মাধ্যমে উপলব্ধ।

আমরা বিভিন্ন প্রশিক্ষণ এবং শিক্ষামূলক সংস্থান সরবরাহ করি যাতে গ্রাহকরা আমাদের পণ্যগুলি সম্পর্কে এবং কীভাবে সেগুলি ব্যবহার করতে হয় সে সম্পর্কে আরও জানতে পারে। আমাদের অনলাইন টিউটোরিয়াল, ওয়েবিনার,এবং অন্যান্য শিক্ষামূলক উপকরণ গ্রাহকদের জন্য আমাদের পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে এবং তাদের থেকে সর্বাধিক উপার্জন করার জন্য একটি সহজ উপায় প্রদান করে.

অবশ্যই, আমরা আমাদের গ্রাহকদের সর্বোচ্চ স্তরের গ্রাহক সেবা প্রদান করি। আমরা বুঝতে পারি যে আমাদের পণ্যগুলি আমাদের গ্রাহকদের প্রকল্পের গুরুত্বপূর্ণ উপাদান।এবং আমরা সর্বোত্তম গ্রাহক সেবা অভিজ্ঞতা প্রদান করার জন্য প্রচেষ্টাআমরা আপনার প্রশ্নের উত্তর দিতে, সহায়তা প্রদান করতে এবং যখনই প্রয়োজন হবে তখনই সহায়তা প্রদান করতে প্রস্তুত।

 

প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ

উচ্চ ক্ষমতা MOSFET জন্য প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ

  • সমস্ত পণ্য একটি সীলমোহরযুক্ত অ্যান্টি-স্ট্যাটিক ব্যাগে প্যাকেজ করা হয়।
  • সাধারণত FedEx, UPS বা DHL এর মতো নির্ভরযোগ্য ক্যারিয়ার মাধ্যমে শিপমেন্ট করা হয়।
  • পণ্যটি পাঠানোর সাথে সাথেই ট্র্যাকিংয়ের তথ্য দেওয়া হবে।
 

প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ

  1. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET এর ব্র্যান্ড নাম কি?
    উঃ ব্র্যান্ড হচ্ছে REASUNOS।
  2. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET এর উৎপত্তি স্থান কোথায়?
    উঃ উৎপত্তিস্থল গুয়াংডং, চীন।
  3. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET এর দাম কত?
    উত্তরঃ পণ্যের দাম পণ্যের উপর ভিত্তি করে নিশ্চিত করা হয়।
  4. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET এর প্যাকেজিংয়ের বিবরণ কি?
    উত্তরঃ প্যাকেজিংয়ের বিবরণ হল GB + মাস্টার কার্টন।
  5. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET-এর ডেলিভারি সময় কত?
    উত্তরঃ ডেলিভারি সময় মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে 2-30 দিন।
  6. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET-এর পেমেন্টের শর্ত কি?
    উত্তরঃ পেমেন্টের শর্তাবলী হল ১০০% টি/টি অ্যানডভান্স (এক্সডব্লিউ) ।
  7. প্রশ্ন: হাই পাওয়ার MOSFET এর সরবরাহ ক্ষমতা কত?
    উত্তর: সরবরাহের ক্ষমতা ৫ কেজি/মাস।
প্রস্তাবিত পণ্য