รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET พลังงานสูง เป็นชนิดของ FET พลังงานสูง (Field Effect Transistor) ที่มีพลังงานสูงและความต้านทานต่ํา มีประสิทธิภาพสูงและเหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลายเช่น อินเวอร์เตอร์พลังแสงอาทิตย์, เครื่องปรับความแรงดันสูง DC / DC, คนขับมอเตอร์, แหล่งไฟฟ้า UPS, แหล่งไฟฟ้าสลับ, ค้อนชาร์จ, ฯลฯการแก้ไขที่มีประสิทธิภาพในเรื่องค่าใช้จ่าย สําหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าความแรงสูงและพลังงานสูง. สามารถให้ผลงานได้ดีเยี่ยมในขณะที่ลดความสูญเสียในการสลับให้น้อยที่สุด. ด้วยการออกแบบที่ทันสมัยของมัน, มันสามารถลดการบริโภคพลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพของระบบ.MOSFET พลังงานสูง เป็นทางเลือกที่เหมาะสมสําหรับความดันสูง, การใช้งานพลังงานสูง และเป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับ HV MOSFET, FET ความดันสูง และการใช้งาน MOSFET พลังงานสูง

ปริมาตรเทคนิค:

ชื่อสินค้า

ลักษณะ

MOSFET ความแรงสูง

ประสิทธิภาพ: ประสิทธิภาพสูง
ความต้านทาน: ความต้านทานน้อย
การประยุกต์ใช้: เครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้า DC/DC ความดันสูง เครื่องขับมอเตอร์ เครื่องไฟฟ้า UPS เครื่องไฟฟ้าสลับ เครื่องชาร์จอัพพลาย เป็นต้น
พลัง: พลังสูง
ความถี่: ความถี่สูง
ประเภทอุปกรณ์: MOSFET
ประเภท:
ข้อดี: พื้นฐานบนสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ กระบวนการคงที่และคุณภาพมีความน่าเชื่อถือ

การใช้งาน:

REASUNOS High Power MOSFET เป็นอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูง ที่ถูกออกแบบมาเพื่อให้เกิดประสิทธิภาพสูงและความถี่สูงในหลายรูปแบบของการใช้งานอุปกรณ์สามารถให้ผลิตแรงดันสูง (HV) และผลิตปัจจุบันสูง, ทําให้มันเหมาะสมสําหรับความต้องการที่เกี่ยวข้องกับพลังงานที่หลากหลาย ด้วยประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูง MOSFET นี้เป็นที่สมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งาน เช่น การจัดการพลังงาน, การแปลงพลังงาน, และการเก็บข้อมูลมันยังมีความต้านทานที่ต่ําและการชาร์จประตูต่ํา, ทําให้ความหนาแน่นของพลังงานสูงและการบริโภคพลังงานที่ต่ํา

บางส่วนของลักษณะสําคัญของ REASUNOS MOSFET พลังงานสูง ประกอบด้วยการออกแรงดันสูง, การออกกระแสไฟฟ้าสูง, ประสิทธิภาพสูง, ความถี่สูง, ความต้านทานต่ํา, การชาร์จประตูต่ํา,และความหนาแน่นของพลังงานสูงอุปกรณ์นี้ยังให้ความยืดหยุ่นมากกับการใช้งานที่หลากหลาย เช่น การจัดการพลังงาน การแปลงพลังงาน และการเก็บข้อมูลอุปกรณ์มีราคาที่สามารถแข่งขันได้ และมีในกล่อง GB+Master. เวลาในการจัดส่งระหว่าง 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดที่สั่งและเงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW).REASUNOS MOSFET พลังงานสูง เป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับใครก็ตามที่มองหา MOSFET HV ที่มีประสิทธิภาพและน่าเชื่อถือ.

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความแรงสูง

เราภูมิใจที่จะนําเสนอการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่ครบวงจรสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความแรงสูงของเราทีมวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์ของเราพร้อมที่จะช่วยกับคําถามทางเทคนิคหรือการแก้ไขปัญหาที่อาจเกิดขึ้นการสนับสนุนทางเทคนิคของเราสามารถติดต่อได้ทางโทรศัพท์ อีเมล หรือผ่านทางพอร์ตัลการสนับสนุนออนไลน์ของเรา

เรายังให้บริการหลากหลายของการฝึกอบรมและทรัพยากรการศึกษา เพื่อช่วยลูกค้าเรียนรู้มากขึ้นเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ของเราและวิธีการใช้มันและวัสดุการศึกษาอื่น ๆ ให้ช่องทางที่ง่ายสําหรับลูกค้าที่จะเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ของเราและวิธีการได้รับประโยชน์จากมัน.

แน่นอนเรายังให้บริการลูกค้าของเราในระดับสูงสุด เราเข้าใจว่าผลิตภัณฑ์ของเราเป็นส่วนประกอบสําคัญในโครงการของลูกค้าของเราและเราพยายามที่จะให้ประสบการณ์การบริการลูกค้าที่ดีที่สุดเราพร้อมที่จะตอบคําถาม ให้ความช่วยเหลือ และให้การสนับสนุน เมื่อไหร่ก็ตามที่จําเป็น

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่งสําหรับ MOSFET ความแรงสูง:

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดถูกบรรจุในถุงกันสแตติกที่ปิดปิดด้วยผง
การส่งมอบโดยปกติทําผ่านผู้ขนส่งที่น่าเชื่อถือ เช่น FedEx, UPS หรือ DHL
ข้อมูลการติดตามจะถูกให้ทันทีที่สินค้าถูกส่ง

FAQ:

คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
A: แบรนด์คือ REASUNOS
คําถาม: สถานที่ที่มาของ MOSFET พลังงานสูงอยู่ที่ไหน?
ตอบ: สถานที่กําเนิดคือ กวางดง ประเทศจีน
คําถาม: ราคาของ MOSFET พลังสูงเท่าไหร่?
A: ราคาของสินค้าถูกยืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า
Q: รายละเอียดการบรรจุของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
A: รายละเอียดการบรรจุคือ GB + Master Carton
คําถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
A: เวลาในการจัดส่งคือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
คําถาม: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
ตอบ: เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T/T Advance (EXW)
คําถาม: ความสามารถในการจําหน่ายของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
ตอบ: ความสามารถในการจําหน่ายคือ 5KK / เดือน

แท็ก:

สถานที่กำเนิด	กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์	REASUNOS
ราคา	Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ	GB + กล่องมาสเตอร์
เวลาการส่งมอบ	2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน	100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต	5KK/เดือน

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RSM065030W	N	55	650	30	50	TO247-3	600
checkbox	2	RSM065030Z	N	55	650	30	50	TO247-4	600
checkbox	3	RSM065060W	N	29	650	60	79	TO247-3	600
checkbox	4	RSM065060Z	N	29	650	60	79	TO247-4	600
checkbox	5	RSM120018Z	N	105	1200	18	26	TO247-4	600
checkbox	6	RSM120025W	N	90	1200	25	34	TO247-3	600
checkbox	1	RSE60R190F	N	17.6	600	165	190	TO-220F	1000
checkbox	2	RSE60R190S	N	17.6	600	165	190	TO-263	800
checkbox	3	RSE60R150F	N	22	600	130	150	TO-220F	1000
checkbox	4	RSF60R150F	N	22	600	130	150	TO-220F	1000
checkbox	5	RSF60R190F	N	17.6	600	165	190	TO-220F	1000
checkbox	6	RS60R130F	N	30	600	110	130	TO-220F	1000
checkbox	7	RS60R130W	N	30	600	110	130	TO247-3	600
checkbox	8	RSF60R099F	N	31	600	86	99	TO-220F	1000
checkbox	1	RS2N65D	N	2	650	3.8	4.5	TO-252	2500
checkbox	2	RS2N65F	N	2	650	3.8	4.5	TO-220F	1000
checkbox	3	RS4N65D	N	4	650	2	2.4	TO-252	2500
checkbox	4	RS4N65MD	N	4	650	2	2.4	TO-251	4000
checkbox	5	RS4N65F	N	4	650	2	2.4	TO-220F	1000
checkbox	6	RS5N65D	N	5	650	1.8	2.1	TO-252	2500
checkbox	7	RS5N65F	N	5	650	1.8	2.1	TO-220F	1000

มอสเฟตกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

มอสเฟตแรงดันสูง

มอสเฟตแรงดันต่ำ

IGBT พลังงานสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

เอสไอซี พาวเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์

REACH โมสเฟตพลังงานกระแสไฟฟ้าสูง สถานที่ N Channel Metal Oxide Semiconductor