すべての製品
多機能スーパージャンクション MOSFET PFC回路用耐久性
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
安定したマルチシーンのスーパージャンクション モスフェット,アンチEMI ディスクレート モスフェット
| EMIの差益: | 大きいEMIの差益 |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| タイプ: | N |
産業用スーパージャンクションMOSFET Nチャネル多層プロセス
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
変換機のための実用的なスーパージャンクションFET Nタイプマルチ機能
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
N型スーパージャンクション MOSFET 多目的用 交換電源
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| EMIの差益: | 大きいEMIの差益 |
PFC回路のためのアンチEMIスーパージャンクション MOSFET 安定型超高速スイッチング
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
|---|---|
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
メタルオキシド超接点トランジスタ 多機能工業用
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
アンチ・サーージ・スーパー・ジャンクション・モス Nチャネル・メタル・オキシッド半導体
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
|---|---|
| タイプ: | N |
| キャパシタンス: | 超低い接続点キャパシタンス |