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Halbleiter mit niedrigem RDS-Silikonkarbid, praktischer Halbleiter des Typs N
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Spannung | Hochspannung | Wärmeableitung | Große Wärmeableitung |
|---|---|---|---|
| Macht | Hohe Leistung | RDS (an) | Niedriges RDS (AN) |
| Typ | N | Kreuzungskapazitanz | Niedrige Knotenkapazität |
| Vorteile | Stabiler Prozess und zuverlässige Qualität | Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Hervorheben | Halbleiter aus Siliziumkarbid mit niedrigem RDS,Halbleiter aus Siliziumkarbid Typ N,Praktische Halbleiter des Typs N Silizium |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | |
| 3 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | |
| 5 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
| 9 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
| 10 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 |
Produkt-Beschreibung
Advanced Technology SiC Power Halbleiter mit niedrigem Rds ON und hoher Frequenz
Beschreibung des Produkts:
SiC Power Halbleiter ist eine Art Siliziumkarbid Halbleiter, der eine Art Power Halbleiter ist.Es ist in der Lage, Hochfrequenz-Operationen, so dass es eine ideale Komponente für Hochleistungsanwendungen ist. Es ist zuverlässig und langlebig konzipiert, so dass es in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden kann.Es bietet eine hervorragende Energieeffizienz und eignet sich für Anwendungen mit hoher LeistungAußerdem ist der SIC Power Semiconductor eine ausgezeichnete Wahl für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
Technische Parameter:
| Name | Wert |
|---|---|
| Rds(ON) | Niedrige Rds ((ON) |
| Spannung | Hochspannung |
| Produktbezeichnung | SIC-Leistungshalbleiter |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Macht | Hohe Macht |
| Vorteile | Stabiler Prozess und zuverlässige Qualität |
| Typ | N |
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Leckage | Niedrige Leckage |
| Verbindungskapazität | Niedrige Knotenkapazität |
Anwendungen:
Integrierte Leistungshalbleiter für hocheffiziente Anwendungen
REASUNOS SiC-Leistungshalbleiter sind die perfekte Wahl für Anwendungen, die hohe Effizienz erfordern.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, und in einem Karton in Kartons für eine sichere Lieferung platziert. Mit einer Lieferzeit von 2-30 Tagen, je nach Gesamtmenge, und einem EXW-Preis von 100% T/T im Voraus,REASUNOS SIC Leistungshalbleiter ist eine wirtschaftliche Wahl. Mit einer Lieferfähigkeit von 5KK/Monat sind unsere Produkte stabil in der Verarbeitung und zuverlässig in der Qualität und verfügen über niedrige Rds ((ON), hohe Spannung und hohe Leistung.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Wartung von SiC Power Halbleitern
SiC Power Semiconductor bietet unseren Kunden umfassenden technischen Support und Service.Wir haben ein Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern, die zur Verfügung stehen, um alle Fragen zu beantworten, die Sie über Ihr SIC Power Semiconductor Produkt haben können. Unser technisches Support-Team kann bei der Fehlerbehebung helfen, Beratung zu bewährten Verfahren anbieten und Diagnostik- und Reparaturdienste anbieten.
Wir verstehen, wie wichtig es ist, Ihr SiC Power Semiconductor Produkt schnell und effizient in Betrieb zu nehmen.Also zögern Sie nicht, uns für Hilfe zu kontaktieren..
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von SiC Power Halbleitern:
- Der SiC Power Halbleiter wird in einem ESD-sicheren Material geliefert, das gegen Umweltfaktoren wie Feuchtigkeit, elektromagnetische Störungen und Stoßbelastungen beständig ist.
- Die Verpackung enthält auch zusätzliche Schutzvorrichtungen wie Schaumpolsterung, Stoßdämpfer und verstärkte Ecken.
- Die Verpackung ist auch mit den Produktspezifikationen, einschließlich Herstellername, Teilenummer und Versandinformationen, versehen.
- Das Paket wird sicher versiegelt und dem Kunden zugestellt, sobald es fertig ist.
Häufige Fragen:
F1: Was ist SiC Power Semiconductor?
A1:SiC Power Semiconductor ist ein Halbleitermaterial, das aus Siliziumkarbid hergestellt und für verschiedene Leistungselektronik-Anwendungen verwendet wird.China.
F2: Wie hoch ist der Preis von SiC Power Semiconductor?
A2:Der Preis für SiC Power Semiconductor hängt von der Art und Menge des Produkts ab, bitte kontaktieren Sie uns, um den Preis zu bestätigen.
F3: Wie wird SiC Power Semiconductor verpackt?
A3:SiC Power Semiconductor wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F4: Wie lange dauert die Lieferzeit?
A4:Die Lieferzeit von SiC Power Semiconductor dauert in der Regel 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
F5: Welche Zahlungsbedingungen akzeptieren Sie?
A5:Wir akzeptieren 100% T/T im Voraus für SiC Power Semiconductor.
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