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低Rdsシリコンカービッド半導体,実用 N型半導体 シリコン
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x商品の詳細
| 電圧 | 高電圧 | 熱放散 | 大きい熱放散 |
|---|---|---|---|
| パワー | 高い発電 | RDS （） | 低いRDS （） |
| タイプ | N | 接続点キャパシタンス | 低ジャンクション容量 |
| 利点 | 安定した プロセス と 信頼 できる 品質 | 頻度 | 高周波 |
| ハイライト | 低Rdsシリコンカービッド半導体,シリコンカービッド半導体N型,実用的なN型半導体シリコン |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | |
| 3 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | |
| 5 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
| 9 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
| 10 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 |
製品の説明
低Rds ON と高周波の SiC パワー半導体
製品説明:
SiCパワー半導体 (SiC Power Semiconductor) は,電源半導体の一種であるシリコンカービッド半導体の一種である.高電源レベルと低Rds ((ON) のN型半導体である.高周波操作が可能です高い電源アプリケーションの理想的なコンポーネントです.信頼性と耐久性のために設計されており,さまざまなアプリケーションで使用できます.優れた電力効率を提供し,高電力アプリケーションに適していますSIC Power Semiconductorは,電源を供給するあらゆるアプリケーションに最適な電源半導体です.
技術パラメータ:
| 名前 | 価値 |
|---|---|
| Rds (オン) | 低Rds ((ON) |
| 電圧 | 高電圧 |
| 製品名 | SIC パワー半導体 |
| 熱散 | 熱 の 散らばる 大量 |
| パワー | 高い力 |
| 利点 | 安定した プロセス と 信頼 できる 品質 |
| タイプ | N |
| 頻度 | 高頻度 |
| 漏れ | 漏れが少ない |
| 交差点容量 | 低ジャンクション容量 |
応用:
高効率のアプリケーションのための統合電力半導体
REASUNOS SiC電源半導体は高効率のアプリケーションに最適なものです. 中国広東で製造,私たちの製品は,防塵,防水,抗静的管状のパッケージで送料は2~30日で,総量に応じて,EXW価格が100%T/Tで,REASUNOS SIC電源半導体は経済的な選択です5KK/月の供給能力で,私たちの製品はプロセスで安定し,品質で信頼性があり,低Rds ((ON),高電圧,高電力があります.
サポートとサービス
SiC パワー半導体技術サポートとサービス
SiC パワーセミコンダクターは 顧客に包括的な技術サポートとサービスを提供していますあなたのSICパワー半導体製品についてあなたが持っているかもしれない質問に答えるために利用可能である経験豊富なエンジニアと技術者のチームを持っています. 当社の技術サポートチームは,トラブルシューティング支援,ベストプラクティスのアドバイス,診断および修理サービスを提供します.
迅速かつ効率的に SiC Power Semiconductor 製品を稼働させることが重要だと理解しています連絡してください..
梱包と輸送:
SiC パワー半導体の包装と輸送:
- SiCパワー半導体は,湿度,電磁干渉,衝撃などの環境要因に耐えるESD安全な材料で出荷されています.
- 包装には,泡のパッシング,衝撃吸収材料,強化コーナーなどの追加の保護機能も含まれています.
- パッケージには,製造者の名前,部品番号,配送情報を含む製品仕様も記載されています.
- パッケージはしっかりと密封され,準備が整ったらすぐに顧客に送られます.
FAQ:
Q1: SiC パワー半導体とは?
A1:SiCパワーセミコンダクターは,シリコンカービッドから作られ,様々なパワー電子アプリケーションに使用される半導体材料である.それは,広東のブランドであるREASUNOSによって製造されている.中国.
Q2: SiC パワー半導体の価格は?
A2 についてSiC パワー半導体の価格は,製品種類と量に依存します. 価格を確認するには,私達に連絡してください.
Q3: SiC パワー半導体はどのようにパッケージ化されていますか?
A3 についてSiC Power Semiconductorは,防塵,防水,抗静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.
Q4: 配送時間はどのくらいですか?
A4 式:SiC パワー半導体の配送時間は,総量に応じて通常2〜30日かかります.
Q5:どんな支払い条件を承りますか?
A5:我々は,100%T/Tを SiC パワー半導体に対して,前払いで受け入れる.
