ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
สารครอบครอบครอบครอบครอบครอบครอบครอบครอบครอบครอบ
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| โวลเตชั่น | ไฟฟ้าแรงสูง | การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี |
|---|---|---|---|
| พลัง | พลังงานสูง | RDS (เปิด) | ถนนต่ำ(ON) |
| ประเภท | เอ็น | ความจุของแยก | ความจุต่ํา |
| ข้อดี | กระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่เชื่อถือได้ | ความถี่ | ความถี่สูง |
| เน้น | สารครึ่งประสาทซิลิคอนคาร์ไบด์ Rds ต่ํา,ซิลิคอนคาร์ไบด์เซมีคอนดักเตอร์ N Type,ซิลิคอนประเภท N แบบเชิงปฏิบัติการ |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | |
| 3 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | |
| 5 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
| 9 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
| 10 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 |
รายละเอียดสินค้า
เทคโนโลยีที่ทันสมัย SiC แพวเวอร์เซมีคอนดักเตอร์ด้วย Rds ON ต่ําและความถี่สูง
คําอธิบายสินค้า:
SiC Power Semiconductor เป็นชนิดของซิลิคอนคาร์ไบด์ semiconductor ซึ่งเป็นชนิดของ Power Semiconductor เป็นชนิดของ N แบบ semiconductor ที่มีระดับพลังงานสูงและ Rds ((ON) ต่ํามันสามารถทํางานความถี่สูง, ทําให้มันเป็นองค์ประกอบที่เหมาะสมในการใช้งานพลังงานสูง. มันถูกออกแบบให้มีความน่าเชื่อถือและทนทาน, ทําให้มันสามารถใช้ในหลากหลายการใช้งาน.มันมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดี และเหมาะสําหรับการใช้งานพลังงานสูงนอกจากนี้ ความสามารถความถี่สูงของมันทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานความเร็วสูง คุณสมบัติทั้งหมดนี้ทําให้ SIC Power Semiconductor เป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานพลังงานใด ๆ
ปริมาตรเทคนิค:
| ชื่อ | มูลค่า |
|---|---|
| Rds ((ON) | Rdsต่ํา ((ON) |
| โวลเตชั่น | โวลเตชั่นสูง |
| ชื่อสินค้า | SIC พลังงานครึ่งประสาท |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
| พลัง | อํานาจสูง |
| ข้อดี | กระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่น่าเชื่อถือ |
| ประเภท | N |
| ความถี่ | ความถี่สูง |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ํา |
| ความจุของแยก | ความจุต่ํา |
การใช้งาน:
โครงการครึ่งประสาทพลังงานบูรณาการ สําหรับการใช้งานประสิทธิภาพสูง
REASUNOS SiC แรงครึ่งประสาทเป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบ สําหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง ผลิตในกวนดง, จีน ผลิตภัณฑ์ของเรากันฝุ่น, กันน้ําและบรรจุแบบท่อแบบกันสแตติก, และวางอยู่ในกล่องกระดาษในกล่องกระดาษสําหรับการจัดส่งที่ปลอดภัยและปลอดภัย.REASUNOS SIC แรงครึ่งประสาทคือทางเลือกที่ประหยัดด้วยความสามารถในการจําหน่าย 5KK / เดือน ผลิตภัณฑ์ของเรามีความมั่นคงในกระบวนการและมีคุณภาพที่น่าเชื่อถือ และมี Rds ((ON) ต่ํา โวลเตจสูง และพลังงานสูง
การสนับสนุนและบริการ:
การสนับสนุนทางเทคนิคและการบริการของ SiC Power Semiconductor
SiC Power Semiconductor ให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่ครบถ้วนแก่ลูกค้าของเราเรามีทีมวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์ ที่พร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีเกี่ยวกับสินค้า SIC Power Semiconductorทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราสามารถให้ความช่วยเหลือในการแก้ไขปัญหา ให้คําปรึกษาเกี่ยวกับแนวปฏิบัติที่ดีที่สุด และให้บริการด้านการวินิจฉัยและการซ่อมแซม
เราเข้าใจความสําคัญของการได้รับสินค้า SiC Power Semiconductor ของคุณขึ้นและทํางานอย่างรวดเร็วและมีประสิทธิภาพ ทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเรามีให้บริการ 24/7 เพื่อให้บริการที่ดีที่สุดดังนั้นอย่าลังเลที่จะติดต่อเราเพื่อความช่วยเหลือ.
การบรรจุและการขนส่ง
SiC Power Semiconductor การบรรจุและการจัดส่ง:
- SiC Power Semiconductor ถูกจัดส่งในวัสดุที่ปลอดภัยจาก ESD ที่ทนทานต่อปัจจัยสิ่งแวดล้อม เช่น ความชื้น การขัดแย้งทางแม่เหล็กไฟฟ้า และการกระแทก
- การ แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค แพ็ค
- แพ็คเกจยังติดป้ายด้วยรายละเอียดสินค้า รวมถึงชื่อผู้ผลิต หมายเลขชิ้นส่วน และข้อมูลการจัดส่ง
- แพ็คเกจถูกปิดไว้อย่างมั่นคง และส่งไปยังลูกค้าทันทีที่มันพร้อม
FAQ:
Q1: SiC Power Semiconductor คืออะไร?
A1:SiC Power Semiconductor เป็นวัสดุครึ่งประสาทที่ทําจากซิลิคอนคาร์ไบด์ และใช้ในการใช้งานในอิเล็กทรอนิกส์พลังงานต่าง ๆจีน.
Q2: ราคาของ SiC Power Semiconductor คือเท่าไหร่?
A2:ราคาของ SiC Power Semiconductor ขึ้นอยู่กับประเภทสินค้าและปริมาณ, กรุณาติดต่อเราเพื่อยืนยันราคา
Q3: SiC Power Semiconductor แพคเกจอย่างไร?
A3:SiC Power Semiconductor แพ็คในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง
Q4: ระยะเวลาในการจัดส่งเป็นเวลาเท่าไหร่?
A4:ระยะเวลาในการจัดส่ง SiC Power Semiconductor โดยปกติใช้เวลา 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
Q5: คุณยอมรับเงื่อนไขการชําระเงินอะไร?
A5:เรายอมรับการชําระเงิน 100% T/T Advance ((EXW) สําหรับ SiC Power Semiconductor
แนะนำผลิตภัณฑ์
